1.一种防静电干扰层的制备方法，包括以下步骤：
（1）内嵌式触控屏彩色滤光阵列玻璃基板的外表面，进行清洁去污；
（2）采用等离子体清洗工艺，清除掉待镀膜玻璃表面的有机分子及水分子；
（3）采用真空磁控溅射镀膜技术，在内嵌式触控屏彩色滤光阵列玻璃基板的外表面镀防静电干扰层。
2.根据权利要求1所述的防静电干扰层的制备方法，其特征在于：所述防静电干扰层表面电阻位于5.0E+7～5.0E+10Ω/□，550nm波段处透光率大于96%；且经常温时效性测试及信耐性测试后，表面电阻依然位于5.0E+7～5.0E+10Ω/□。
3.根据权利要求1或2所述的防静电干扰层的制备方法，其特征在于：所述防静电干扰层的材质为陶瓷材料，抗氧化温度大于800℃，所述复合陶瓷材料在550nm波段处透光率大于96%。
4.根据权利要求3所述的防静电干扰层的制备方法，其特征在于：所述复合陶瓷材料由多种金属/非金属的氧化物或氮化物复合而成，其中的金属/非金属选自铝、钛、锆、铬、铌、钨、锗、锑、钇、钼、镍、锡或碳、硅、硼中的一种或几种，组成禁带宽度连续可调的半导体材料。
5.根据权利要求1所述的防静电干扰层的制备方法，其特征在于：所述防静电干扰层的厚度为20-25nm；优选为23nm。
6.根据权利要求1所述的防静电干扰层的制备方法，其特征在于：步骤（1）中清洁去污具体是指，经无水乙醇擦拭后，再用超纯水清洗，然后风刀吹干。
7.根据权利要求1所述的防静电干扰层的制备方法，其特征在于：步骤（2）具体是指，进入真空腔体后，传输到等离子体清洗腔，抽本底真空至10-3torr，通入氩气，流量控制100sccm，待真空稳定后，打开等离子体清洗装置，离子清洗5mins，以清除掉内嵌式触控屏彩色滤光阵列玻璃基板的外表面残留的有机物及水分子。
8.根据权利要求1所述的防静电干扰层的制备方法，其特征在于：步骤（3）具体是指，清洗完毕后，内嵌式触控屏传输至真空镀膜腔体，抽本底真空至10-5torr，通入氩气及反应气体，流量控制氩气为200sccm，反应气体200sccm，真空维持在10-3torr，待真空稳定后，开启磁控溅射阴极靶材电源，溅射功率10KW，镀膜时间2mins。