1.基于PECVD的石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，包括直线式排列的多个真空室和柔性基材输送机构，柔性基材输送机构贯穿于多个真空室中；多个真空室包括依次连接的放卷室、多个镀膜室和收卷室，各镀膜室内分别设有射频对靶装置，多个镀膜室内的射频对靶装置组成一个等离子体增强化学气相沉积系统，任意相邻两个镀膜室之间设有隔气室，放卷室、收卷室、各镀膜室和各隔气室分别外接高真空排气系统。
2.根据权利要求1所述基于PECVD的石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述射频对靶装置包括对称安装于柔性基材上下两侧的上靶和下靶。
3.根据权利要求2所述基于PECVD的石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述上靶和下靶结构相同，分别包括放电板、靶材、外罩体、绝缘板、绝缘套、防护罩和冷却水管，防护罩设于镀膜室外壁上，绝缘套一端设于镀膜室内壁上，绝缘套另一端与外罩体连接，靶材和放电板呈上下层叠方式依次设于外罩体内部，放电板位于靠近柔性基材的一侧，靶材与外罩体的内壁之间设有绝缘板，靶材与放电板之间设有冷却空间，冷却水管一端与冷却空间连通，冷却水管另一端由绝缘套中部伸出并进入防护罩中。
4.根据权利要求3所述基于PECVD的石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述冷却水管包括进水管和出水管，进水管和出水管分别外接循环装置，冷却空间、进水管、出水管和循环装置组成冷却水循环系统。
5.根据权利要求3所述基于PECVD的石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述放电板上分布有多个气孔。
6.根据权利要求1所述基于PECVD的石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述柔性基材输送机构包括放卷辊、多个导辊和收卷辊，放卷辊设于放卷室内，收卷辊设于收卷室内，放卷辊与收卷辊之间设有多个导辊。
7.根据权利要求6所述基于PECVD的石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述柔性基材输送机构上还设有纠偏机构，纠偏机构包括上夹辊、下夹辊、辊组驱动组件和上夹辊移动组件，上夹辊与下夹辊组成输送柔性基材的辊组， 辊组驱动组件与上夹辊的辊轴一端连接，上夹辊的辊轴两端分别与上夹辊移动组件连接，通过上夹棍移动组件调节上夹辊与下夹棍之间的间隙宽度。
8.根据权利要求1所述基于PECVD的石墨烯薄膜镀膜设备，其特征在于，所述高真空排气系统包括相互独立的粗抽机组和精抽机组，各镀膜室和各隔气室分别外接精抽机组，放卷室和收卷室分别外接粗抽机组。