1.一种质量厚度为400～2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺，其特征在于，该工艺主要包括以下五个步骤：
(1)以铜箔为基衬，用聚焦重离子溅射法在该基衬上溅射沉积质量厚度为100～250μg/cm2的Ir沉积层，得到铜基Ir膜；
(2)将步骤(1)得到的铜基Ir膜放置在硝酸溶液表面，其中铜基面直接接触硝酸溶液，待铜基被硝酸腐蚀溶解完全后，得到与铜基衬分离的Ir沉积层；
(3)利用载玻片将步骤(2)得到的Ir沉积层转移至去离子水表面以清洗Ir沉积层表面的硝酸溶液；
(4)将上述清洗过的Ir沉积层利用靶框固定；
(5)以步骤(4)得到的Ir沉积层作为基衬，再次利用聚焦重离子溅射沉积法在该基衬上溅射沉积Ir，直至得到所需质量厚度的自支撑Ir靶。
2.根据权利要求1所述的一种质量厚度为400～2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中所述Ir沉积层的质量厚度为250μg/cm2。
3.根据权利要求1所述的一种质量厚度为400～2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中所述铜箔的厚度为15～20μm。
4.根据权利要求1所述的一种质量厚度为400～2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺，其特征在于，步骤(2)中所述硝酸溶液的质量分数为50％。
5.根据权利要求1所述的一种质量厚度为400～2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺，其特征在于，步骤(1)、步骤(5)中所述重离子溅射法所采用的工艺参数为溅射离子类型为Ar+，加速电压为-8500V，聚焦电压为-500V，放电电压为-800V，磁场电压为9.1V，放电气压为5.6Pa，真空室真空度为1×10-3Pa。
6.根据权利要求1所述的一种质量厚度为400～2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺，其特征在于，步骤(4)中所述的靶框为铜环。