技术总结
本发明属于核技术应用领域，具体涉及核物理实验所需的一种质量厚度为400～2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺。该工艺主要包括以下五个步骤：(1)用聚焦重离子溅射法在铜基衬上溅射沉积质量厚度为100～250μg/cm2的Ir沉积层，得到铜基Ir膜；(2)将铜基Ir膜放置在硝酸溶液表面，待铜基被硝酸腐蚀溶解完全后，得到与铜基衬分离的Ir沉积层；(3)利用载玻片将Ir沉积层转移至去离子水表面以清洗Ir沉积层表面的硝酸溶液；(4)将上述清洗过的Ir沉积层利用靶框固定；(5)以步骤(4)得到的Ir沉积层作为基衬，再次利用聚焦重离子溅射沉积法在该基衬上溅射沉积Ir，直至得到所需质量厚度的自支撑Ir靶。该制备工艺具有平整性好、厚度均匀性好的有益效果。
技术研发人员：樊启文;胡跃明;王华;张榕
受保护的技术使用者：中国原子能科学研究院
文档号码：201710001108
技术研发日：2017.01.03
技术公布日：2017.06.20