高阻膜的镀膜装置的制作方法

本发明涉及一种高阻膜的镀膜装置。

背景技术：

磁控溅射镀膜是目前常用的一种镀膜方法，然而磁控溅射镀膜通常都是在真空状态下进行的，且一般都是直接对镀膜腔室进行抽真空，不仅抽真空时间长，效率低，直接影响生产效率，而且还容易损坏真空泵，影响其使用寿命。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种生产效率较高且能够使真空泵具有较长的使用寿命的高阻膜的镀膜装置。

一种高阻膜的镀膜装置，包括进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射室、第二过渡室、第二缓冲室、出片室、抽真空组件、冷阱组件、阴极组件和加热组件，所述进片室、所述第一缓冲室、所述第一过渡室、所述溅射室、所述第二过渡室、所述第二缓冲室和所述出片室依次连接，所述抽真空组件能够对所述进片室、所述第一缓冲室、所述第一过渡室、所述溅射室、所述第二过渡室、所述第二缓冲室和所述出片室抽真空，所述冷阱组件包括冷阱件、压缩机和制冷剂，所述冷阱件安装在所述第一缓冲室内，所述压缩机的入口与所述冷阱件的出口相连通，所述压缩机的出口与所述冷阱件的入口相连通，以使所述制冷剂能够在所述冷阱件和所述压缩机之间循环流动，所述阴极组件安装在所述溅射室内，所述加热组件能够对所述进片室、所述第一缓冲室、所述第一过渡室、所述溅射室、所述第二过渡室、所述第二缓冲室和所述出片室进行加热。

由于待镀件在外界会附着大量的水和/或油，在待镀件进入高阻膜的镀膜装置时，会同时将其上面附着的水和油带入高阻膜的镀膜装置中，而这些水和油在加热状态下会变成水蒸汽和油蒸汽，不仅会污染高阻膜的镀膜装置，而且在抽真空时这些水蒸汽和油蒸汽还容易发生反流，影响抽真空组件的抽真空效率，同时，过多的水蒸汽和/或油蒸汽还会损坏真空泵，而影响真空泵的使用寿命，而上述高阻膜的镀膜装置通过在第一缓冲室设置冷阱件，冷阱件能够捕集第一缓冲室内的水蒸汽和油蒸汽，并将其冷凝成液态，以降低其活性，不仅能够水蒸汽和油蒸汽对真空泵造成的损坏，而且还能够大大提高抽真组件的工作效率，缩短抽真空的时间，提高生产效率，使得上述高阻膜的镀膜装置的每个腔室的抽真空时间只需25秒～35秒，与传统的磁控溅射高阻膜的镀膜装置相比，生产效率提高2倍；且由于高阻膜的镀膜装置中的水蒸气和油蒸汽主要来源于外界和/或镀膜件上附着的水和/或油，将冷阱件安装在第一缓冲室内，能够确保水和/油尽可能地被汽化，以使其能够尽可能快且更加完全地附着在冷阱件上，提高抽真空效率，进一步地提高了生产效率和防止水蒸汽和油蒸汽对真空泵造成的损坏。

在其中一个实施例中，所述制冷剂为液氮。

在其中一个实施例中，所述冷阱件为一金属管以一端为固定点开始向外逐圈旋绕而形成的螺旋结构，所述冷阱件的两端分别为所述冷阱件的出口和入口。

在其中一个实施例中，所述加热组件为多个，所述进片室、所述第一缓冲室、所述第一过渡室、所述溅射室、所述第二过渡室、所述第二缓冲室和所述出片室内均安装有所述加热组件，每个所述加热组件包括热反射板和多个平行且间隔设置的加热管，所述热反射板竖直设置，多个所述加热管固定在所述热反射板的同一侧上，以使所述热反射板远离所述加热管的一侧能够朝向待镀件。

在其中一个实施例中，在所述第一缓冲室内，所述热反射板与所述冷阱件相对固定在所述第一缓冲室的侧壁上，以使所述待镀件能够在所述热反射板和所述冷阱件之间滑动。

在其中一个实施例中，所述抽真空组件包括多个机械泵、多个罗茨泵和多个分子泵，多个所述机械泵分别与所述进片室、所述溅射室和所述出片室相连通，多个所述罗茨泵分别与所述进片室、所述溅射室和所述出片室相连通，多个所述分子泵分别与所述第一缓冲室、所述第一过渡室、所述溅射室、所述第二过渡室和所述第二缓冲室相连通。

在其中一个实施例中，所述阴极组件包括阴极及多个用于安装靶材的导电载板，所述阴极固定安装在所述溅射室内，多个所述导电载板均固定在所述阴极的同一侧上，并沿竖直方向依次排列，且相邻两个所述导电载板间隔一段距离。

在其中一个实施例中，还包括布气组件，所述布气组件包括控制器、布气管和流量计，所述控制器能够控制反应气体的流量，所述布气管的一端与所述控制器连接，另一端收容于所述溅射室内，并穿过所述阴极而与多个所述导电载板位于所述阴极的同一侧，所述流量计安装在所述布气管的中部，并与所述控制器电信号连接。

在其中一个实施例中，所述控制器为具有多通道的控制器，所述布气管为多个，每个所述布气管的一端与所述控制器的一个通道相连通，另一端穿过所述阴极，且多个所述布气管远离所述控制器的一端间隔设置，所述流量计的数量与所述布气管的数量一致，一个所述流量计对应一个所述布气管，多个所述流量计均与所述控制器电信号连接。

在其中一个实施例中，所述溅射室包括两个相连通的溅射部，其中一个所述溅射部与所述第一过渡室相连通，另一个与所述第二过渡室相连通，所述阴极组件为多个，多个所述阴极组件分别安装在两个所述溅射部内。

附图说明

图1为一实施方式的高阻膜的镀膜装置的结构示意图；

图2为图1所示的高阻膜的镀膜装置的结构示意图；

图3为图1所示的高阻膜的镀膜装置的阴极组件的结构示意图；

图4为图1所示的高阻膜的镀膜装置的加热组件的结构示意图；

图5为图1所示的高阻膜的镀膜装置的冷阱组件的结构示意图；

图6为图1所示的高阻膜的镀膜装置的阴极组件与布气组件组装在一起的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1、图2、图3及图4所示，一实施方式的高阻膜的镀膜装置100，为一种磁控溅射镀膜装置。该高阻膜的镀膜装置100包括进片室110、第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140、第二过渡室150、第二缓冲室160、出片室170、传送组件180、抽真空组件190、冷阱组件210、阴极组件220和加热组件230。具体在图示的实施例中，进片室110、第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140、第二过渡室150、第二缓冲室160和出片室170沿一直线依次排列。

进片室110为待镀件经过的第一个腔室。进片室110具有进片口112，进片室110的进片口112处设有第一门阀114，第一门阀114控制进片室110与外界之间的连通。

进一步地，高阻膜的镀膜装置100还包括用于将待镀件移动至进片室110的进片口112的第一平移架240。

更进一步地，高阻膜的镀膜装置100还包括第一过渡架250，第一过渡架250设置在进片室110的进片口112，第一平移架240上的待镀件能够经过第一过渡架250从进片室110的进片口112进入进片室110。

第一缓冲室120与进片室110相连接。第一缓冲室120和进片室110之间设置有第二门阀122，第二门阀122控制第一缓冲室120和进片室110之间的连通。

第一过渡室130和第一缓冲室120连接。第一过渡室130和第一缓冲室120之间设置有第三门阀132，第三门阀132控制第一过渡室130和第一缓冲室120之间的连通。

溅射室140与第一过渡室130连接。其中，溅射室140与第一过渡室130直接连通。具体地，溅射室140包括两个相连通的溅射部142，其中一个溅射部142与第一过渡室130相连通。

第二过渡室150和溅射室140连接。其中，第二过渡室150与溅射室140直接连通。具体地，第二过渡室150与远离第一过渡室130的溅射部142相连通。

第二缓冲室160与第二过渡室150连接。其中，第二缓冲室160与第二过渡室150之间设置有第四门阀152，第四门阀152控制第二缓冲室160和第二过渡室150之间的连通。

出片室170与第二缓冲室160连接。其中，出片室170和第二缓冲室160之间设置有第五门阀162，第五门阀162控制出片室170与第二缓冲室160之间的连通。出片室170具有出片口172，出片室170的出片口172处还安装有第六门阀174，第六门阀174控制出片室170与外界的连通。

进一步地，高阻膜的镀膜装置100还包括用于承装出片室170的出片口172传送出的镀膜件的第二平移架260。

更进一步地，高阻膜的镀膜装置100还包括第二过渡架270，第二过渡架270设置在出片室170的出片口172，出片室170的出片口172传送出的镀膜件能够经过第二过渡架270后到第二平移架260上。

传送组件180依次穿设于进片室110、第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140、第二过渡室150、第二缓冲室160和出片室170。其中，传送组件180用于传送待镀件，以使待镀件从进片室110的进片口112进入，依次经过第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140、第二过渡室150、第二缓冲室160，而从出片室170的出片口172传出。具体地，传送组件180还能够穿设第一平移架240、第一过渡架250、第二过渡架270和第二平移架260，即待镀件从第一平移架240到第一过渡架250上，再从进片室110的进片口112进入，依次经过第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140、第二过渡室150、第二缓冲室160，然后从出片室170的出片口172传出至第二过渡架270，最后到第二平移架260上。具体地，传送组件180例如可以包含传送带等等。

抽真空组件190能够对进片室110、第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140、第二过渡室150、第二缓冲室160和出片室170抽真空。具体地，抽真空组件190包括多个机械泵192、多个罗茨泵194和多个分子泵196，多个机械泵192分别与进片室110、溅射室140和出片室170连通，多个罗茨泵194分别与进片室110、溅射室140和出片室170连通，多个分子泵196分别与第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140、第二过渡室150和第二缓冲室160连通。其中，机械泵192为低真空泵，主要抽真空范围为10⁵～10²；罗茨泵194为中真空泵，主要抽真空范围为10²～10^-1；分子泵196为高真空泵，主要抽真空范围为10^-1～10^-5。通过三种真空泵的配合使用，能够保证腔室内的真空度的稳定性，以使高阻膜的镀膜装置100的本底真空度能够维护在在5×10^-4。

具体地，机械泵192为型号为sv750bf的机械泵；罗茨泵194为型号为wau2001的罗茨泵；分子泵196为磁悬浮分子泵，例如，型号为mag-w2200的分子泵。

具体在图示的实施例中，机械泵192为三个，三个机械泵192分别与进片室110、溅射室140的两个溅射部142中的一个和出片室170相连通，即进片室110、溅射室140和出片室170这三个腔室均连通有一个机械泵192；罗茨泵194为三个，三个罗茨泵194分别与进片室110、溅射室140和出片室170相连通，即进片室110、溅射室140和出片室170这三个腔室均连通有一个罗茨泵194；其中，溅射室140中的机械泵192和罗茨泵194设置在其中一个溅射部142内。具体地，溅射室140中的机械泵192和罗茨泵194均设置在靠近第二过渡室150的溅射部142中。

分子泵196为十二个，十二个分子泵196分别与第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140的两个溅射部142、第二过渡室150和第二缓冲室160连通，即第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140的两个溅射部142、第二过渡室150和第二缓冲室160均连通有两个分子泵196。具体地，所有分子泵196的出口均连通一根与外界相连通的出气管198上。

具体地，第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140的两个溅射部142、第二过渡室150和第二缓冲室160这六个腔室中，每个腔室连接的两个分子泵196在竖直方向上间隔排列。

请一并参阅图5，冷阱组件210包括冷阱件212、压缩机214和制冷剂(图未示)。

冷阱件212安装在第一缓冲室120内，用于捕集第一缓冲室120内的水蒸汽和油蒸汽。由于待镀件在外界会附着大量的水和/或油，在待镀件进入高阻膜的镀膜装置100时，会同时将其上面附着的水和油带入高阻膜的镀膜装置100中，而这些水和油在加热状态下会变成水蒸汽和油蒸汽，这些水蒸汽和油蒸汽不仅会污染高阻膜的镀膜装置100，而且在抽真空时这些水蒸汽和油蒸汽还容易发生反流，而影响抽真空组件190的抽真空效率，同时，过多的水蒸汽和/或油蒸汽还会损坏真空泵，而影响真空泵的使用寿命，通过安装冷阱件212能够使水蒸汽和油蒸汽附着在冷阱件212，并冷凝成液态，以降低其活性，不仅能够大大提高抽真组件的工作效率，缩短抽真空的时间，提高生产效率，使得每个腔室的抽真空时间只需25秒～35秒，生产效率提高2倍，还能够水蒸汽和油蒸汽对真空泵造成的损坏。

且由于高阻膜的镀膜装置100中的水蒸气和油蒸汽主要来源于外界和/或镀膜件上附着的水和/或油，而待镀件进入进片室110时是大气与低真空交换，从进片室110到第一缓冲室120是低真空与高真空交换，即第一缓冲室120是低真空与高真空过渡的一个腔室，镀膜件进入进片室110才开始加热，使得水和/油在进片室110内不能完全被汽化，而将冷阱件212安装在第一缓冲室120内，不仅能够确保水和/油尽可能地被汽化，以使其能够尽可能快且更加完全地附着在冷阱件212上，提高抽真空效率，同时，还能够避免水蒸汽和油蒸汽通过第一过度室进入溅射室140，而污染第一过渡室130和溅射室140。具体地，冷阱件212固定在第一缓冲室120的侧壁上。

具体在图示的实施例中，冷阱件212为一金属管以一端为固定点开始向外逐圈旋绕而形成的螺旋结构，冷阱件212的两端分别为冷阱件212的出口和入口。螺旋结构的金属管能够增加冷阱件212的表面积，从而有利于增加第一缓冲室120内水蒸汽和油蒸汽附着在冷阱件212上的速率，以缩短抽真空的时间。其中，冷阱件212穿设于第一缓冲室120的侧壁而固定在第一缓冲室120内。

具体地，铜管具有一般金属的高强度，又比一般金属易弯曲，韧性好且延展性高，具有优良的抗振、抗冲击及抗冻胀性能，因此，金属管选用铜管。可以理解，金属管还可以为不锈钢管等。

压缩机214的入口与冷阱件212的出口相连通，压缩机214的出口与冷阱件212的入口相连通，以使制冷剂能够在冷阱件212和压缩机214之间循环流动。其中，压缩机214设置在第一缓冲室120的外部，压缩机214的入口和出口分别通过两个管道穿过第一缓冲室120的侧壁而与冷阱件212的出口和入口相连通。

其中，制冷剂可以为液氮、含冰盐水、乙二醇等。优选地，制冷剂为液氮，使用液氮作为制冷剂可以将冷阱件212的温度控制在-130℃～-150℃，使得冷阱件212具有较强的吸附能力，从而增加第一缓冲室120内水蒸汽和油蒸汽附着在冷阱件212上的速率。

请再次参阅图3，阴极组件220安装在溅射室140内。具体地，阴极组件220为多个，多个阴极组件220分别安装在两个溅射部142内，且每个溅射部142中的多个阴极组件220沿待镀件的传送方向依次排列。具体在图示的实施例中，阴极组件220为四个，每个溅射部142内安装有两个阴极组件220。其中，每个阴极组件220包括阴极222及多个用于安装靶材的导电载板224。

阴极222大致为条形板状结构。具体在图示的实施例中，阴极222的长度方向与竖直方向平行。阴极222固定安装在溅射室140的溅射部142内。其中，每个溅射部142中的多个阴极222沿待镀件的传送方向依次排列。

多个导电载板224均固定在阴极222的同一侧上，并沿竖直方向依次排列，即多个导电载板224沿阴极222的长度方向排列。其中，相邻两个导电载板224间隔一段距离，以给导电载板224预留热胀冷缩的空间，以防止导电载板224热胀冷缩而导致阴极222变形；且将导电载板224设置为多个，不仅能够避免一整块导电载板224过长过重而导致的导电载板224的弯曲问题，而且相对于一整块导电载板224，安装和粘靶更加方便，提高了安装和粘靶的效率。

具体地，相邻两个导电载板224间隔0.5毫米～0.8毫米。例如，阴极222的长度为1.5米，阴极222上固定有5块29毫米长的导电载板224。其中，靶材安装在导电载板224远离阴极222的一侧上。在工作时，每个导电载板224安装有靶材的一面朝向待镀件。

其中，导电载板224为铜板，可以理解，导电载板224的材料不限于为铜，也可以为其它具有导电能力的材料。

请一并参阅图6，进一步地，高阻膜的镀膜装置100还包括用于向溅射室140中通入反应气体的布气组件280。具体地，布气组件280的数量与溅射部142的数量一致，例如，在图示的实施例中，溅射部142为两个，布气组件280对应为两个。其中，每个布气组件280包括控制器282、布气管284和流量计286。

控制器282用于控制反应气体的流量。具体地，控制器282为具有多通道的控制器，例如，英国真科(gencoa)的多通道的speedflo控制器282。

布气管284的一端与控制器282连接，另一端收容于溅射室140内，并穿过阴极222而与多个导电载板224位于阴极222的同一侧。具体地，布气管284为多个，每个布气管284的一端与控制器282的一个通道相连通，另一端穿过阴极222，且多个布气管284远离控制器282的一端间隔设置。

流量计286安装在布气管284的中部，并与控制器282电信号连接。具体地，流量计286的数量与布气管284的数量一致，一个流量计286对应一个布气管284，多个流量计286均与控制器282电信号连接。

通过多布气管284、多流量计286以及多通道控制器282的配合，且一个布气管284对应控制器282的一个通道，一个流量计286对应一个布气管284，能够使反应气体的流量的精确度更高，以精准地控制充进溅射室140中的反应气体量，使得靶材表面不至于覆盖很厚的氧化物(辉光放电时靶材表面已经形成的氧化物层或者氮化物层，称之为中毒现象)而影响靶材在待镀件上形成的膜的质量，并改善沉积速率，提高膜的致密度，使膜的耐磨性能等更好。

例如，具体在图示的实施例中，每个布气组件280有一个八通道的speedflo控制器282、八个布气管284和八个流量计286，其中四个布气管284间隔穿设于一个阴极222，另外四个布气管284间隔穿设于另一个阴极222，使得每个布气组件280的流量精准到0.1sccm²/s。

可以理解，布气组件280可以省略，此时，可以直接采用加气装置向溅射室140通入反应气体。

加热组件230能够对进片室110、第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140、第二过渡室150、第二缓冲室160和出片室170加热。其中，加热组件230为多个，进片室110、第一缓冲室120、第一过渡室130、溅射室140、第二过渡室150、第二缓冲室160和出片室170内均安装有加热组件230。具体地，溅射室140的两个溅射部142均安装有加热组件230。

请再次参阅图4，其中，每个加热组件230包括热反射板232和多个平行且间隔设置的加热管234，热反射板232竖直设置，多个加热管234固定在热反射板232的同一侧上，以使热反射板232远离加热管234的一侧能够朝向待镀件。具体地，多个加热管234在竖直方向上间隔且平行排列。

其中，热反射板232的材质为金属，例如，不锈钢、铜、镜面铝、铁等。热反射板232的相对的两个表面均为光面。加热管234固定在热反射板232的一个表面上。

进一步地，在第一缓冲室120内，热反射板232与冷阱件212相对固定在第一缓冲室120的侧壁上，以使待镀件能够在热反射板232和冷阱件212之间滑动。

上述高阻膜的镀膜装置100至少有以下优点：

(1)由于待镀件在外界会附着大量的水和/或油，在待镀件进入高阻膜的镀膜装置100时，会同时将其上面附着的水和油带入高阻膜的镀膜装置100中，而这些水和油在加热状态下会变成水蒸汽和油蒸汽，不仅会污染高阻膜的镀膜装置100，而且在抽真空时这些水蒸汽和油蒸汽还容易发生反流，影响抽真空组件190的抽真空效率，同时，过多的水蒸汽和/或油蒸汽还会损坏真空泵，而影响真空泵的使用寿命，而上述高阻膜的镀膜装置100通过在第一缓冲室120设置冷阱件212，冷阱件212能够捕集第一缓冲室120内的水蒸汽和油蒸汽，并将其冷凝成液态，以降低其活性，不仅能够水蒸汽和油蒸汽对真空泵造成的损坏，而且还能够大大提高抽真组件的工作效率，缩短抽真空的时间，提高生产效率，使得上述高阻膜的镀膜装置100的每个腔室的抽真空时间只需25秒～35秒，与传统的磁控溅射高阻膜的镀膜装置100相比，生产效率提高2倍；且由于高阻膜的镀膜装置100中的水蒸气和油蒸汽主要来源于外界和/或镀膜件上附着的水和/或油，将冷阱件212安装在第一缓冲室120内，能够确保水和/油尽可能地被汽化，以使其能够尽可能快且更加完全地附着在冷阱件212上，提高抽真空效率，进一步地提高了生产效率和防止水蒸汽和油蒸汽对真空泵造成的损坏。同时，将冷阱件212安装在第一缓冲室120内，还能够避免水蒸汽和油蒸汽通过第一过度室进入溅射室140，而污染第一过渡室130和溅射室140。

(2)上述高阻膜的镀膜装置100的用于向溅射室140中通入反应气体的布气组件280包括控制器282、布气管284和流量计286，控制器282为具有多通道的控制器，布气管284为多个，一个布气管284对应控制器282的一个通道，流量计286为多个，一个流量计286对应一个布气管284，多个流量计286均与控制器282电信号连接，能够使反应气体的流量的精确度更高，以精准地控制充进溅射室140中的反应气体量，使得靶材表面不至于覆盖很厚的氧化物(辉光放电时靶材表面已经形成的氧化物层或者氮化物层，称之为中毒现象)而影响靶材在待镀件上形成的膜的质量，并改善沉积速率，提高膜的致密度，使膜的耐磨性能等更好。且经实验证明，与目前的磁控溅射镀膜装置100相比，该高阻膜的镀膜装置100的沉积速率提高了2倍～5倍，且采用上述高阻膜的镀膜装置100得到的膜层的均匀性为-1.5％～1.5％，比日本索尼公司的磁控溅射高阻膜的镀膜装置100得到的膜层的均匀性(-3％～3％)更好。

(3)上述高阻膜的镀膜装置100的每个加热组件230包括热反射板232和多个平行且间隔设置的加热管234，热反射板232竖直设置，多个加热管234固定在热反射板232的同一侧上，以使热反射板232远离加热管234的一侧能够朝向待镀件，从而能够使每个腔室的受热较为均匀，温度分布较为均匀(温度偏差-1.5℃～1.5℃)，使得待镀件的温度从常温到100℃只需3分钟～5分钟，与传统的磁控溅射设备(传统的磁控溅射设备的待镀件的温度从常温到100℃一般需要10分钟～15分钟)相比，提高了3倍～5倍；同时，上述加热组件230有利于避免因各个腔室内温度分布不均匀而导致的破片问题，从而减小破片率，提高良品率，以进一步提高生产效率。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。