溅射装置及使用该溅射装置的溅射方法与流程

相关申请的交叉引用

2016年5月25日递交的名为“溅射装置及使用该溅射装置的溅射方法”的韩国专利申请第10-2016-0064237号通过引用被整体合并于此。

在本文中描述的一个或多个实施例涉及溅射装置及使用溅射装置的溅射方法。

背景技术：

溅射装置可将偏压施加到腔室内部的电极。偏压产生电场，电场影响惰性气体以形成等离子体。等离子体的离子被电场加速以与靶碰撞，从而溅射靶。被溅射的靶的靶材料可被沉积在基板上。

技术实现要素：

根据一个或多个实施例，溅射装置包括：基板支架；第一对置靶单元，包括第一靶和至少一个第一磁性部，以在邻近第一靶的第一等离子体区域中形成磁场；第二对置靶单元，包括第二靶和至少一个第二磁性部，以在邻近第二靶的第二等离子体区域中形成磁场，第二对置靶单元在第一方向上与第一对置靶单元分离，在第一对置靶单元与第二对置靶单元之间具有第一等离子体区域和第二等离子体区域；电源单元，用于将第一电力电压供给到第一靶和第二靶；以及控制阳极，在与第一方向相交的第二方向上面对基板支架，在控制阳极与基板支架之间具有第一等离子体区域和第二等离子体区域，并且控制阳极接收大于第一电力电压的控制电压。

电源单元可将第一电力电压和第二电力电压交替地供给到第一靶和第二靶。第一电力电压和第二电力电压可与周期性地限定的电源周期同步，在电源周期的第一时段期间，第一电力电压可被施加到第一靶，并且第二电力电压可被施加到第二靶；并且在电源周期的第二时段期间，第一电力电压可被施加到第二靶，并且第二电力电压可被施加到第一靶。第二电力电压可低于第一电力电压。

溅射装置可包括控制磁性部，控制磁性部在第二方向上面对基板支架，在控制磁性部与基板支架之间具有第一等离子体区域和第二等离子体区域。控制阳极可位于第一等离子体区域与控制磁性部之间以及第二等离子体区域与控制磁性部之间。

溅射装置可包括：多个第一磁性部；以及多个第二磁性部，其中：控制磁性部的第一磁极和第二磁极可被顺序排列在第一方向上；第一磁性部中最邻近控制磁性部的第一边缘磁性部的第二磁极可比该第一边缘磁性部的第一磁极更接近控制磁性部的第一磁极；并且第二磁性部中最邻近控制磁性部的第二边缘磁性部的第一磁极可比该第二边缘磁性部的第二磁极更接近控制磁性部的第二磁极。第一磁性部和第二磁性部的彼此面对的磁极可具有相反的极性。控制阳极可围绕控制磁性部。

溅射装置可包括位于控制磁性部与第一等离子体区域之间的磁轭，其中磁轭还位于控制磁性部与第二等离子体区域之间并且包括磁场屏蔽材料。以下条件可被满足：

θe<θm，

其中，θe为由第一磁性部产生的磁场的侵蚀角，并且θm为参考角，参考角被限定为由从第一磁性部连接到控制阳极的虚拟线和垂直于第一对置靶单元中的第一磁性支架基板的法线所形成的角。控制阳极可在第一方向上与第一对置靶单元和第二对置靶单元隔开。

第一对置靶单元可包括第一磁性支架基板和用于旋转第一磁性支架基板的第一旋转单元，第二对置靶单元可包括第二磁性支架基板和用于旋转第二磁性支架基板的第二旋转单元，该至少一个第一磁性部和至少一个第二磁性部分别位于第一磁性支架基板和第二磁性支架基板上。

第一对置靶单元和第二对置靶单元分别可包括具有平行于第三方向的侧表面的第一靶支架和第二靶支架，第三方向垂直于第一方向和第二方向，并且第一靶和第二靶可分别被提供到第一靶支架和第二靶支架的侧表面。

根据一个或多个其他的实施例，溅射沉积方法使用溅射装置，溅射装置包括第一磁性部和第二磁性部，第一磁性部用于在邻近第一靶的第一等离子体区域中形成磁场，第二磁性部在第一方向上与第一等离子体区域隔开并且用于在邻近第二靶的第二等离子体区域中形成磁场。

该方法包括：将基板提供到基板支架；将电力施加到第一靶和第二靶，以在第一等离子体区域和第二等离子体区域中形成等离子体；将大于第一电力电压的控制电压施加到在与第一方向相交的第二方向上面对基板支架的控制阳极，在控制阳极与基板支架之间具有第一等离子体区域和第二等离子体区域，电源单元的第一电力电压低于预设的第一靶电压并且电源单元的第一电力电流大于预设的第一靶电流；以及使用等离子体溅射第一靶和第二靶，使得第一靶和第二靶的靶材料被沉积在基板上。

施加电力的步骤包括将第一电力电压和低于第一电力电压的第二电力电压顺序并交替地提供到第一靶和第二靶。在施加控制电压时，第二电力电压低于预设的第二靶电压，并且电源的第二电力电流低于预设的第二靶电流。

第一电力电压和第二电力电压与周期性地限定的电源周期同步地被供给；在电源周期的第一时段期间，第一电力电压被施加到第一靶，并且第二电力电压被施加到第二靶；并且在电源周期的第二时段期间，第一电力电压被施加到第二靶，并且第二电力电压被施加到第一靶。

该方法可包括旋转第一磁性支架基板和第二磁性支架基板中的至少一个，其中第一磁性部和第二磁性部分别位于第一磁性支架基板和第二磁性支架基板上。可旋转该第一磁性支架基板以满足θe<θm的条件；其中θe为由第一磁性部产生的磁场的侵蚀角，并且θm为参考角，参考角被限定为由从第一磁性部连接到控制阳极的虚拟线和垂直于第一磁性支架基板的法线所形成的角。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将变得显而易见，附图中：

图1图示了溅射装置的实施例；

图2图示了溅射方法的实施例；

图3a和图3b图示了溅射装置的截面图；

图4图示了用于图3a和图3b中的溅射装置的时序图的实施例；以及

图5图示了形成在溅射装置内部的磁力线的示例。

具体实施方式

现在将参考附图描述示例实施例，然而，这些实施例可以以不同的形式体现，并且不应当被解释为限于这里所提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开充分和完整，并且向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。实施例(或其部分)可以被组合，以形成另外的实施例。

在图中，为了例示清楚，层和区域的尺寸可能被夸大。还将理解的是，当一层或要素被称为在另一层或基板“上”时，其可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，当一层被称为在另一层“下”时，其可以直接在下方，并且也可以存在一个或多个中间层。另外，还将理解的是，当一层被称为在两个层“之间”时，其可以是这两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的要素。

当一要素被提及为“连接”或“联接”到另一要素时，其可直接连接或联接到另一要素或利用置于其间的一个或多个中间要素而间接连接或联接到另一要素。另外，当一要素被提及为“包括”一部件时，这指示该要素可进一步包括另一部件而不排除另一部件，除非有不同的公开。

图1图示了溅射装置1000的实施例，溅射装置1000包括基板支架101、处理室110、气体供给单元120、溅射单元200、控制阳极300、控制磁性部400和电源单元500。

处理室110包括腔室壁111。由腔室壁111围绕的反应空间112可被包含在腔室壁111中。反应空间112可包括基板支架101、溅射单元200和控制阳极300。溅射和沉积工艺可在反应空间112中被执行。在实施例中，参考电压可被施加到腔室壁111。例如，参考电压可以是接地电压gnd，例如，0伏特。

在示例中，气体供给单元120可在处理室110的外部，并且可将用于产生等离子体的气体供给到反应空间112。例如，气体供给单元120可通过腔室壁111中的开口被连接到反应空间112并且可通过开口将气体供给到反应空间112。例如，气体可包括诸如氩(ar)的惰性气体或诸如氧(o2)的活性气体。

溅射单元200可包括第一对置靶单元210和第二对置靶单元220。第一对置靶单元210可包括第一磁性部211、第一磁性支架基板212、第一靶213、第一靶支架214和第一旋转单元215。

第一靶支架214可以具有圆柱形形状。例如，第一靶支架214可包括上表面、下表面以及连接到上表面和下表面的侧表面。侧表面可平行于第三方向dr3，第三方向dr3垂直于第一方向dr1和第二方向dr2。上表面和下表面可垂直于第三方向dr3。第一方向dr1和第二方向dr2可相交，并且例如，可彼此正交。

第一靶213位于第一靶支架214上。例如，第一靶213可在第一靶支架214的整个侧表面上。第一靶213可与第一靶支架214的侧表面的一部分(例如，面对第二对置靶单元220的部分)对应。

第一靶213可包括要被沉积在基板支架101上的靶材料。靶材料可包括例如li、ca、lif/ca、lif/al、al、mg、baf、ba、ag、或它们的复合物或它们的混合物(例如，ag和mg的混合物)，或者可包括例如ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)、zno(氧化锌)、itzo(氧化铟锡锌)、mo或ti等。

例如，第一磁性部211可以是具有第一磁极和第二磁极(例如，分别为n极和s极)的永磁体。例如，第一磁性部211可以是电磁体。在一个实施例中，多个第一磁性部211可被排列在第一磁性支架基板212上，并且在第二方向dr2上以预定间隔彼此隔开。

第一磁性部211在邻近第一靶213的第一等离子体区域pa1中形成磁场。例如，第一等离子体区域pa1可位于第一靶213与第二等离子体区域pa2之间。

由于第一旋转单元215被联接到第一磁性支架基板212以旋转第一磁性支架基板212，由第一磁性部211产生的、在第一等离子体区域pa1内部的磁力线的分布可被改变。

第二对置靶单元220可包括第二磁性部221、第二磁性支架基板222、第二靶223、第二靶支架224和第二旋转单元225。例如，第二靶支架224可具有圆柱形形状。在一个实施例中，第一靶支架214和第二靶支架224的形状可具有由彼此面对的第一靶213和第二靶223提供的、与圆柱形形状不同的形状。

第二靶223位于第二靶支架224上，并且例如，可位于第二靶支架224的整个侧表面上。第二靶223可与第二靶支架224的侧表面的一部分(例如，面对第一对置靶单元210的部分)对应。第二靶223可包括靶材料，例如，与第一靶213包括的靶材料相同的靶材料。

例如，第二磁性部221可以是永磁体。在一个实施例中，第二磁性部221可以是电磁体。在一个实施例中，多个第二磁性部221可被提供。例如，第二磁性部221可被提供为四块。第二磁性部221可被排列在第二磁性支架基板222上，并且在第二方向dr2上以预定间隔彼此隔开。

第二磁性部221在邻近第二靶223的第二等离子体区域pa2中形成磁场。例如，第二等离子体区域pa2可位于第一等离子体区域pa1与第二靶223之间。

第一磁性部211和第二磁性部221的彼此面对的磁极可具有相反的极性。例如，第一磁性部211中在第二方向dr2上最邻近控制磁性部400的第一磁性部211的第二磁极可面对第二磁性部221中在第二方向dr2上最邻近控制磁性部400的第二磁性部221的第一磁极。

由于第二旋转单元225被联接到第二磁性支架基板222以旋转第二磁性支架基板222，由第二磁性部221产生的、在第二等离子体区域pa2内部的磁力线的分布可被改变。

控制磁性部400可在第二方向dr2上面对基板支架101，在控制磁性部400与基板支架101之间具有第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2。例如，基板支架101可在第二方向dr2上与第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2隔开。控制磁性部400可在与第二方向dr2相反的第四方向dr4上与第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2隔开。

例如，控制磁性部400可以是永磁体。在实施例中，控制磁性部400可以是电磁体。例如，控制磁性部400的第一磁极和第二磁极可沿第一方向dr1排列。

第一磁性部211中最邻近控制磁性部400的第一磁性部可被定义为第一边缘磁性部211a。从第一边缘磁性部211a的第二磁极到控制磁性部400的第一磁极的距离可小于从第一边缘磁性部211a的第一磁极到控制磁性部400的第一磁极的距离。因此，可形成连接第一边缘磁性部211a的第二磁极和控制磁性部400的第一磁极的磁力线。

类似地，第二磁性部221中最邻近控制磁性部400的第二磁性部可被定义为第二边缘磁性部221a。从第二边缘磁性部221a的第一磁极到控制磁性部400的第二磁极的距离可小于从第二边缘磁性部221a的第二磁极到控制磁性部400的第二磁极的距离。因此，可形成连接第二边缘磁性部221a的第一磁极和控制磁性部400的第二磁极的磁力线。

控制阳极300可在第二方向dr2上面对基板支架101，在控制阳极300与基板支架101之间具有第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2。例如，控制阳极300可在第四方向dr4上与第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2隔开。在一个实施例中，控制阳极300可在平行于第一方向dr1的方向上与第一对置靶单元210和第二对置靶单元220隔开。因此，控制阳极300可在第二方向dr2上与第一对置靶单元210和第二对置靶单元220不重叠。

控制阳极300可位于第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2与控制磁性部400之间。此外，控制阳极300可位于第一对置靶单元210和第二对置靶单元220与控制磁性部400之间。

电源单元500将电力供给到第一对置靶单元210和第二对置靶单元220。例如，电源单元500可将第一电力和第二电力供给到第一靶213和第二靶223。电源单元500可通过施加第一电力电压v1和第一电力电流i1来供给第一电力，并且可通过施加第二电力电压v2和第二电力电流i2来供给第二电力。第一电力的第一电功率可基于第一电力电压v1和第一电力电流i1的乘积。第二电力的第二电功率可基于第二电力电压v2和第二电力电流i2的乘积。

当将第一电力和第二电力施加到第一靶213和第二靶223时，在第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2中形成等离子体，从而可开始溅射。第一电力和第二电力越大，将被形成的等离子体的密度越高。因此，可增加溅射工艺中的沉积速率。

图2图示了溅射方法的实施例。图3a和图3b是示出溅射装置的示例操作的截面图，溅射装置例如可以是图1中的溅射装置。图4图示了用于图3a和图3b中的溅射装置的时序图的实施例。

参考图2和图3a，基板sb被提供在基板支架101上(s1)。例如，基板sb可以是具有柔性的玻璃或塑料基板。在示例中，预先形成的层pl可被布置在基板sb上。有机材料和/或无机材料的一个或多个层可被提供在层pl和基板支架101之间。

由第一磁性部211和第二磁性部221分别在第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2中形成磁场。

电源单元500将电力供给到第一靶213和第二靶223(s2)。通过由电源单元500供给的电力，等离子体被形成并保持在第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2中。等离子体的离子与第一靶213和第二靶223碰撞以溅射第一靶213和第二靶223(s3)。在示例中，电源单元500可将第一电力电压v1和第二电力电压v2施加到第一靶213和第二靶223。例如，第二电力电压v2可低于第一电力电压v1。

例如，电源单元500可顺序且交替地供给第一电力电压v1和第二电力电压v2。例如，第一电力电压v1可以是在从几伏特(v)到几十伏特(v)的大概范围中的正电压，并且第二电力电压v2可以是在从负几十伏特(v)到负几百伏特(v)的大概范围中的负电压。例如，正电压可以是比接地电压高的电压。例如，负电压可以是比接地电压低的电压。

参考图4，第一电力电压v1和第二电力电压v2可与周期性地限定的电源周期pp同步地被提供。电源周期pp包括被顺序限定的第一时段p1和第二时段p2。

参考图3a，在第一时段p1期间，第一电力电压v1被施加到第一靶213，并且第二电力电压v2被施加到第二靶223。由于第一电力电压v1可以是几伏特(v)至几十伏特(v)，并且第二电力电压v2可以是负几十伏特至负几百伏特，来自第一靶213的正离子的能量可大于来自第二靶223的负离子的能量。

因此，强等离子体可被形成在第二等离子体区域pa2中。在这种情况下，在第二等离子体区域pa2与第二靶223之间可出现第二鞘区域，并且电场的大部分可被集中在第二鞘区域。负离子或电子通过电场移动到第二靶223以溅射第二靶223。

此外，等离子体的离子和电子可由在第二等离子体区域pa2中产生的磁场约束。例如，等离子体的离子和电子可通过洛伦兹力以磁场的磁力线为中心旋转。其结果是，可提高第二等离子体区域pa2中的等离子体密度。

参考图3b，在第二时段p2期间，第一电力电压v1被施加到第二靶223，并且第二电力电压v2被施加到第一靶213。相应地，强等离子体可被形成在第一等离子体区域pa1中。在这种情况下，在第一等离子体区域pa1与第一靶213之间可出现第一鞘区域，并且电场的大多数可被集中在第一鞘区域上。负离子或电子通过电场移动到第一靶213以溅射第一靶213。

此外，等离子体的离子和电子可由在第一等离子体区域pa1中产生的磁场约束。例如，等离子体的离子和电子可通过洛伦兹力以磁场的磁力线为中心旋转。其结果是，可提高第一等离子体区域pa1中的等离子体密度。

被溅射的靶材料从第一靶213和第二靶223移动到基板sb，并且包括靶材料的薄膜tf可被沉积在层pl上。

因此，第一电力电压v1和第二电力电压v2可被提供到第一靶213和第二靶223，使得第一靶213和第二靶223交替地被溅射。其结果是，可提高溅射效率。例如，由于等离子体交替地集中在第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2上，累积在第一靶213和第二靶223上的离子被移除。因此可提高等离子体密度。由于等离子体密度被提高，从第一靶213和第二靶223溅射的靶材料的量增加，并且可增加薄膜tf的沉积速率。

由于在第一鞘区域和第二鞘区域内的电场密度增加，等离子体粒子的能量可增加，并且等离子体粒子的一部分可朝向基板sb被提供。例如，等离子体粒子的氧负离子(例如，o^-或o2^-)可通过电场被加速，以具有几百电子伏特(ev)的能量。在与第一靶213和第二靶223碰撞之后，氧负离子可朝向基板sb移动。其结果是，层pl可被氧离子损伤。

具体地，当层pl为有机设备(例如，有机发光设备)中的有机膜时，有机膜的碳的束缚能比氧离子的能量小几至几十电子伏特(ev)。因此，有机膜的碳键可被破坏而损伤有机膜。因此，通过使用溅射装置1000在有机膜上沉积薄膜时，在有机膜中可发生缺陷。

根据本实施例，控制阳极300可有效地降低可施加到层pl的损伤。例如，比第一电力电压v1高的控制电压vc可被施加到控制阳极300(s4)。例如，第一电力电压v1可由电源单元500供给。例如，控制电压vc可由与电源单元500分离的电源设备供给。供给控制电压vc的电源的另一端可被接地。

由于控制电压vc被施加，等离子体的负离子可朝向控制阳极300移动。因此，第一电流i1和第二电流i2可增加。其结果是，当彼此完全相同的第一电功率和第二电功率被供给时，第一电力电压v1和第二电力电压v2可降低，使得电场强度降低，并且等离子体负离子的能量降低。因此，可有效地防止或减少对层pl的损伤。

在一个实施例中，等离子体的负离子的能量可降低20％至30％。在这种情况下，可显著降低可被施加到层pl的损伤的可能性。在一个示例中，基板支架101可不接地而是悬空。其结果是，层pl可较少受等离子体影响。

此外，在第一时段p1期间，大部分负离子可被集中在第二等离子体区域pa2上。集中在第二等离子体区域pa2和第二鞘区域上的等离子体的负离子可朝向控制阳极300移动。在朝向控制阳极300移动时，等离子体的负离子可与其他粒子碰撞，以增加第二等离子体区域pa2的等离子体密度。

此外，由于等离子体的负离子朝向控制阳极300移动，可降低等离子体的负离子朝向基板sb移动的可能性。因此，可有效地防止或减少对层pl的损伤。

在这种情况下，控制阳极300在第二等离子体区域pa2中对电子可不具有巨大影响。由于具有比等离子体的负离子的质量更小的质量，等离子体的电子可被磁场牢固地束缚，以在第二等离子体区域pa2中持续形成等离子体，而不脱离第二等离子体区域pa2。

第一靶213和第二靶223的溅射(s3)可在施加控制电压vc(s4)之前被执行。在另一实施例中，施加控制电压vc(s4)可在溅射第一靶213和第二靶223(s3)或将电力施加到第一靶213和第二靶223(s2)之前被执行。

图5图示了在溅射装置内部的磁力线的示例。参考图5，如前面所述，磁力线被连接在控制磁性部400与第一边缘磁性部211a和第二边缘磁性部221a之间。因此，在第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2中的负离子可更有效地通过磁力线朝向控制阳极300移动。其结果是，第一电力电流i1和第二电力电流i2可被更加有效地降低。

在一个示例中，第一旋转单元215和第二旋转单元225可分别旋转第一磁性支架基板212和第二磁性支架基板222，以控制磁场的分布。

参考图5，可在由第一磁性部211和第二磁性部221产生的磁场中定义侵蚀区域er1和er2及侵蚀角θe。在侵蚀区域er1和er2中的磁场的磁力线(例如，平行磁场)可基本平行于第一磁性支架基板212和第二磁性支架基板222。可通过平行磁场将等离子体集中在侵蚀区域er1和er2上。

侵蚀角θe可与形成将平行于第一磁性支架基板212和第二磁性支架基板222的磁力线连接到法线ol的第一虚拟线il1的角度对应，法线ol垂直于第一磁性支架基板212和第二磁性支架基板222。此外，侵蚀区域er1和er2的在第四方向dr4上的侵蚀区域可被定义为第二侵蚀区域er2。

在一个示例中，第一旋转单元215和第二旋转单元225可分别按照逆时针方向和顺时针方向以侵蚀角θe旋转第一磁性支架基板212和第二磁性支架基板222。

在一个实施例中，参考角θm可与由第二虚拟线il2和法线ol形成的角度对应，第二虚拟线il2从第一磁性部211和第二磁性部221连接到控制阳极300，法线ol垂直于第一磁性支架基板212和第二磁性支架基板222。

例如，侵蚀角θe和参考角θm可满足如下条件：

θe<θm

相应地，第一磁性部211和第二磁性部221的第二侵蚀区域er2可不面对控制阳极300，并且第一磁性部211和第二磁性部221可彼此面对。在第一磁性部211的第二侵蚀区域er2中的磁力线的一部分可被连接到在第二磁性部221的第二侵蚀区域er2中的磁力线的一部分。因此，在第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2中的等离子体密度可增加，并且因此溅射效率可降低。

当第一磁性部211和第二磁性部221的第二侵蚀区域er2面对控制阳极300时，在第二侵蚀区域er2中的磁力线的大部分被连接到控制阳极300。因此，在第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2中的等离子体密度可降低。

在一个实施例中，溅射装置1000可进一步包括位于控制磁性部400与第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2之间的磁轭600。磁轭600可与控制磁性部400的第一磁极和第二磁极对应。

磁轭600可控制在控制磁性部400中产生的磁场的分布。例如，磁轭600可阻挡在控制磁性部400中产生的磁场，使得在控制磁性部400中产生的磁场不会延伸到第一等离子体区域pa1和第二等离子体区域pa2。例如，磁轭600可包括屏蔽材料(例如，铁)以屏蔽磁场。

例如，磁轭600可暴露控制磁性部400的第一磁极和第二磁极的侧表面的一部分，使得控制磁性部400可被连接到第一磁性部211和第二磁性部221。

在一个实施例中，控制电压vc可高于第一电力电压v1。在另一实施例中，控制电压vc可低于第一电力电压v1并且高于第二电力电压v2。在这种情况下，可由控制电压vc控制针对靶材料和层pl(参见图3a)的特性而考虑的第一电力电流i1和第二电力电流i2、第一电力电压v1和第二电力电压v2、等离子体负离子的能量、以及沉积速率。

在一个实施例中，第一电力电压v1可变得低于预设的第一靶电压，并且电源单元500的第一电力电流i1可变得高于预设的第一靶电流。此外，第二电力电压v2可变得低于预设的第二靶电压，并且第二电力电流i2可变得低于预设的第二靶电流。第一靶电压和第二靶电压以及第一靶电流和第二靶电流可被预设，使得损伤不被施加到层pl。在某种意义上，第一电力电压v1和第二电力电压v2可变得更低，第一电力电压v1和第二电力电压v2的绝对值变得更小。

本文所描述的方法、工艺和/或操作可通过将由计算机、处理器、控制器或其他信号处理设备执行的代码或指令被执行。计算机、处理器、控制器或其他信号处理设备可以是本文所述的元件，或者是除了本文所述的元件之外的元件。因为对构成方法(或计算机、处理器、控制器或其他信号处理设备的操作)的基础的算法进行了详细描述，用于实施该方法实施例的操作的代码或指令可以将计算机、处理器、控制器或其他信号处理设备转换成用于执行本文中所描述的方法的专用处理器。

公开的实施例的信号发生器、电压发生器和其他信号处理特征可以在例如可以包括硬件、软件或二者的逻辑中实现。当至少部分在硬件中实现时，信号发生器、电压发生器和其他信号处理特征可以是例如各种集成电路中的任意一种，集成电路包括但不限于专用集成电路、现场可编程门阵列、逻辑门的组合、芯片上系统、微处理器或另一类型的处理或控制电路。

当至少部分在软件中实现时，信号发生器、电压发生器和其他信号处理特征可以包括例如用于存储将例如由计算机、处理器、微处理器、控制器或其他信号处理设备执行的代码或指令的存储器或其他存储设备。计算机、处理器、微处理器、控制器或其他信号处理设备可以是本文所述的元件，或者是除了本文所述的元件之外的元件。因为对构成方法(或计算机、处理器、微处理器、控制器或其他信号处理设备的操作)的基础的算法进行了详细描述，用于实施该方法实施例的操作的代码或指令可以将计算机、处理器、控制器或其他信号处理设备转换成用于执行本文中所描述的方法的专用处理器。

根据上述实施例中的一个或多个，溅射装置包括控制阳极，控制阳极增加用于产生等离子体的电源的电力电流。因此，可减小电源的电力电压，并且因此可减小在等离子体内部的粒子的能量。其结果是，可减少或防止粒子对基板和薄膜(在基板上预先形成的)的损伤。

在本文中已经公开了示例实施例，尽管使用了特定的术语，但它们仅以一般和描述性的意思被使用和解释，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如在递交本申请时对本领域技术人员来说将是显而易见的那样，结合特定实施例描述的特征、特性和/或要素可以单独使用，也可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或要素组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将理解，可在不脱离如以下权利要求中提出的本发明的精神和范围的情况下对形式和细节进行各种改变。