一种倾斜式连续真空磁控溅射镀膜装置及镀膜生产线的制作方法

本发明涉及镀膜生产线，尤其涉及一种倾斜式连续真空磁控溅射镀膜装置及镀膜生产线。

背景技术：

磁控溅射镀膜是指将涂层材料做为靶阴极，利用氩离子轰击靶材，产生阴极溅射，把靶材原子溅射到工件上形成沉积层的一种镀膜技术。现有的真空磁控溅射镀膜工艺中，主要有单箱体真空磁控溅射镀膜机和连续真空磁控溅射镀膜生产线，而在连续真空磁控溅射镀膜工艺领域只有传统的卧式连续真空磁控溅射镀膜生产线和传统的立式连续真空磁控溅射镀膜生产线。传统的卧式连续真空磁控溅射镀膜生产线因为其阴极在被溅射产品的上面，在溅射过程中等离子体没有完全氧化或磁场力衰减产生的微小颗粒及阴极上因靶材表面在溅射过程中产生的氧化物都会因重力作用而跌落在被溅射产品表面，形成缺陷，一般只适宜于对产品表面质量不严格的领域如幕墙玻璃，太阳能玻璃等，而传统的立式连续真空磁控溅射镀膜生产线虽然避免了卧式连续真空磁控溅射镀膜生产线的缺陷，但产品的装载必须夹持，在镀膜后却使产品边缘会产生夹痕，对于一些高端产品，为避免此缺陷，不得不以牺牲成品率、切裁率、装载率而更改加工流程，即先镀膜后冷加工，以满足产品需求。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种无需夹持工件，可避免工件上产生夹印，进而提高加工质量、提升成品率、提高加工效率的倾斜式连续真空磁控溅射镀膜装置及镀膜生产线。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案。

一种倾斜式连续真空磁控溅射镀膜装置，其包括有基座，所述基座上设有承重架，所述承重架的上方设有镀膜箱体，所述镀膜箱体内设有阴极罩，所述阴极罩内固定有镀膜阴极板，所述镀膜箱体内设有用于承载工件的载片架和用于驱使载片架进出镀膜箱体的载片架传动机构，所述镀膜箱体的底部与承重架之间通过两个高度调节机构而固定连接，两个高度调节机构的高度不同，以令所述镀膜箱体、镀膜阴极板、载片架和工件倾斜预设角度。

优选地，所述镀膜箱体的侧部固定有箱体支撑机构。

优选地，所述镀膜箱体内固定有载片架承托机构，所述载片架与所述载片架承托机构滑动连接。

优选地，所述载片架承托机构包括有承托支架，所述承托支架固定于镀膜箱体内，所述承托支架上安装有多个承托轮，多个承托轮沿承托支架的长度方向依次设置。

优选地，所述载片架传动机构包括有传动安装架，所述传动安装架固定于镀膜箱体内，所述传动安装架上设有载片架传动轮，所述载片架的边缘抵接于载片架传动轮，所述传动安装架的外侧设有载片架动力轮，所述载片架动力轮与所述载片架传动轮同轴设置，所述载片架动力轮驱使载片架传动轮转动。

优选地，所述载片架包括有上固定板和下固定板，所述上固定板和下固定板之间通过两个侧立板固定连接，两个侧立板之间穿设有多个载片横杆，所述下固定板的底部设有下导杆，所述下导杆固定有多个下陶瓷绝缘块，所述上固定板的顶部设有上滑板，所述上滑板固定有多个上陶瓷绝缘块。

一种连续真空磁控溅射镀膜生产线，其包括有沿工件的传送方向依次设置的入口室、入口过渡室、入口协调室、多个镀膜室、出口协调室、出口过渡室和出口室，所述镀膜室包括有上述镀膜装置。

优选地，所述入口室包括有入口箱门，所述入口室的前端设有第一阀门，所述入口室内设有用于驱使载片架移动的入口室传动机构。

优选地，所述入口过渡室包括有过渡箱门，所述入口过渡室的前后两端分别设有第二阀门和第三阀门，所述入口过渡室内设有用于驱使载片架移动的过渡室传动机构。

优选地，所述入口协调室的侧部和镀膜室的侧部分别设有分子泵。

本发明公开的倾斜式连续真空磁控溅射镀膜装置中，镀膜箱体按一定角度倾斜放置，使得镀膜阴极、载片架随之倾斜一定角度，使得玻璃工件倚靠在载片架上，不仅避免了在玻璃工件上产生夹印，还使得载片架上放置玻璃工件的通用性大大提高，装夹效率也显著提高，装载率得到明显提升，同时扩大了加工范围，改善了生产工艺，扩充了产品市场，使镀膜加工的产品不再具有尺寸的局限性，大大提高了材料的利用率，降低了材料成本。基于上述特性，使得本发明镀膜装置适合在磁控溅射镀膜技术领域推广应用，并具有较好的应用前景。

附图说明

图1为本发明生产线的俯视图。

图2为本发明镀膜装置的侧向结构图。

图3为载片架承托机构的结构图。

图4为载片架传动机构的结构图。

图5为载片架的结构图。

图6为入口室和入口过渡室的结构图。

图7为入口协调室和镀膜室的结构图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作更加详细的描述。

本发明公开了一种倾斜式连续真空磁控溅射镀膜装置，结合图2至图5所示，其包括有基座400，所述基座400上设有承重架401，所述承重架401的上方设有镀膜箱体402，所述镀膜箱体402内设有阴极罩404，所述阴极罩404内固定有镀膜阴极板405，所述镀膜箱体402内设有用于承载工件100的载片架406和用于驱使载片架406进出镀膜箱体402的载片架传动机构407，所述镀膜箱体402的底部与承重架401之间通过两个高度调节机构403而固定连接，两个高度调节机构403的高度不同，以令所述镀膜箱体402、镀膜阴极板405、载片架406和工件100倾斜预设角度。

上述镀膜装置中，镀膜箱体按一定角度倾斜放置，使得镀膜阴极、载片架随之倾斜一定角度，使得玻璃工件倚靠在载片架上，不仅避免了在玻璃工件上产生夹印，还使得载片架上放置玻璃工件的通用性大大提高，装夹效率也显著提高，装载率得到明显提升，同时扩大了加工范围，改善了生产工艺，扩充了产品市场，使镀膜加工的产品不再具有尺寸的局限性，大大提高了材料的利用率，降低了材料成本。基于上述特性，使得本发明镀膜装置适合在磁控溅射镀膜技术领域推广应用，并具有较好的应用前景。

本实施例中，为了使镀膜箱体402保持倾斜预设角度，所述镀膜箱体402的侧部固定有箱体支撑机构408。

关于载片架的承托部分，所述镀膜箱体402内固定有载片架承托机构409，所述载片架406与所述载片架承托机构409滑动连接。

进一步地，所述载片架承托机构409包括有承托支架410，所述承托支架410固定于镀膜箱体402内，所述承托支架410上安装有多个承托轮411，多个承托轮411沿承托支架410的长度方向依次设置。

本实施例中，为了保证载片架406可靠传送，所述载片架传动机构407包括有传动安装架412，所述传动安装架412固定于镀膜箱体402内，所述传动安装架412上设有载片架传动轮413，所述载片架406的边缘抵接于载片架传动轮413，所述传动安装架412的外侧设有载片架动力轮414，所述载片架动力轮414与所述载片架传动轮413同轴设置，所述载片架动力轮414驱使载片架传动轮413转动。

作为一种优选方式，关于载片架406的具体结构，所述载片架406包括有上固定板420和下固定板421，所述上固定板420和下固定板421之间通过两个侧立板422固定连接，两个侧立板422之间穿设有多个载片横杆423，所述下固定板421的底部设有下导杆424，所述下导杆424固定有多个下陶瓷绝缘块425，所述上固定板420的顶部设有上滑板426，所述上滑板426固定有多个上陶瓷绝缘块427。

本发明可应用于镀膜生产线中，为了更好地描述本发明的技术方案，本发明还公开了一种连续真空磁控溅射镀膜生产线，结合图1至图7所示，其包括有沿工件100的传送方向依次设置的入口室1、入口过渡室2、入口协调室3、多个镀膜室4、出口协调室5、出口过渡室6和出口室7，所述镀膜室4包括有上述的镀膜装置。

上述镀膜生产线的工作原理为：由于载片架为倾斜放置，所以装载工件时，只需放在载片架上即可，载片架完成装载后，入口室放气，第一阀门打开，传动系统快速把载片架输送到入口室内，第一阀门关闭，入口室泵组启动，启动过程是，先启动滑阀泵或旋片泵，当真空度达到设定值，再启动罗茨泵，当真空度达到开启第二门阀设定值，开启第二阀门，传动系统又快速把载片架输送到入口过渡室内，该入口过渡室真空泵组一直开启，包含分子泵、罗茨泵、滑阀泵或旋片泵，第二门阀关闭，当入口过渡室真空度达到开启第三门阀的设定值时，第三门阀开启，传动系统又快速把载片架输送到入口协调室内，第三门阀，协调室内传动转变为慢速传送，该过程与镀膜室慢速传送速度一致，然后载片架依次进入各个镀膜室镀膜，当此载片架到达出口协调室内时，打开相应的阀门，传动系统又快速把载片架输送到出口过渡室内，按同样原理，传动系统又快速把此载片架输送到出口室内，通过控制相应的阀门开合，传动系统又快速把此载片架输送出出口室，在此处把镀膜片卸载，之后载片架经回载片架传动系统回传送到装载处，继续下一次循环。

作为一种优选方式，所述入口室1包括有入口箱门10，所述入口室1的前端设有第一阀门11，所述入口室1内设有用于驱使载片架406移动的入口室传动机构12。

本实施例中，所述入口过渡室2包括有过渡箱门20，所述入口过渡室2的前后两端分别设有第二阀门21和第三阀门22，所述入口过渡室2内设有用于驱使载片架406移动的过渡室传动机构23。进一步地，所述入口协调室3的侧部和镀膜室4的侧部分别设有分子泵30。

本发明公开的倾斜式连续真空磁控溅射镀膜装置及镀膜生产线，将现有的立式连续真空磁控溅射镀膜生产线倾斜一定角度放置，克服了卧式连续真空磁控溅射镀膜生产线在镀膜品质上的缺陷，解决了立式镀膜线装夹的难题。同时箱体与载片架均倾斜一定角度后，玻璃是倚靠在载片架上的，玻璃下部设置有载片横杆，玻璃上部设置有载片横杆，上下均没有夹具，使得在载片架上放置产品的通用性大大提高，装夹效率大大提高，装载率得到质的提升，同时扩大了加工范围，改善了生产工艺，扩充了产品市场。此外，本发明还使镀膜加工的产品不再具有尺寸的局限性，大大提高材料的利用率，降低了材料成本，使真空镀膜产品更具竞争力，适合在连续真空磁控溅射镀膜技术领域推广应用。

以上所述只是本发明较佳的实施例，并不用于限制本发明，凡在本发明的技术范围内所做的修改、等同替换或者改进等，均应包含在本发明所保护的范围内。