一种铝合金表面处理方法与流程

文档序号:14546277阅读:912来源:国知局

本发明涉及表面处理工艺技术领域,具体涉及一种铝合金表面处理方法。



背景技术:

铝合金,是以铝为主要金属元素的合金的通称。除铝外,铝合金还包括铜、硅、锰、锌、镍、铁、铬等元素。铝合金密度较低,但强度较高,性能指标接近优质钢,因此,铝合金被广泛应用在航空、电子、建筑等领域。在灯具领域,铝合金越来越多的被用于制备灯杆、灯罩等对力学性能要求较高结构部件。

虽然铝合金的性能较高,但多用于内置结构部件,这是因为铝合金经过表面抗腐蚀处理后,表观效果差,无法作为美观的外部构件使用。虽然可以通过电镀工艺制作纹理,但图案单一;此外,铝合金阳极氧化表面光泽为哑光,无法实现表面全光的光泽效果。而对铝合金表面施加彩色颜料后,经过一段时间的氧化和腐蚀,颜料容易脱落,影响美观。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种铝合金表面处理方法,通过该方法能对铝合金表面施加彩色装饰,且不易脱落,处理后的铝合金能够作为美观的装饰材料使用。

一种铝合金表面处理方法,由以下步骤组成:

(1)对铝合金表面进行清洗,去除污渍和油渍;

(2)在该铝合金基体的表面磁控溅射铬过渡层;

(3)在铬过渡层表面上覆盖图案掩模,然后磁控溅射镍连接层;

(4)在镍连接层上涂覆磁性颜料层;

(5)经过步骤(4)处理后的表面沉积一层纳米二氧化钛层;

其中,所述磁性颜料由以下组分组成(重量份):环氧树脂20-25份,

磷酸酯2-5份,颜料3-5份,γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷

0.3-0.4份,二苯甲酮亚胺0.15-0.35份,石蜡油0.1-0.5份,四氧化

三铁粉末8-10份。

优选地,铬过渡层的厚度为1-2μm。

优选地,镍连接层的厚度为2-3μm。

优选地,纳米二氧化钛层的厚度为2-5μm。

优选地,磁性颜料由以下组分组成:环氧树脂23份,磷酸酯2.3份,颜料4份,γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷0.35份,二苯甲酮亚胺0.2份,石蜡油0.35份,四氧化三铁粉末9.5份。

优选地,步骤(2)和(3)的工作条件为:以氩气为工作气体,其流量为100~300sccm,溅射温度为90~200℃,工作电压为160~300v。

优选地,步骤(5)中采用磁控溅射法制备纳米二氧化钛层,以氩气和氧气为工作气体,氩气与氧气的体积比为1:1,流量为20-100sccm,溅射功率为150-230w。

采用本发明方法对铝合金进行表面处理,利用铬层对铝合金表面进行保护和封孔,同时作为过渡层实现铝合金与镍层的界面牢固连接;将图案制备到掩模上,形成镍图案层,然后在镍图案层是涂覆磁性颜料,由于颜料中带有磁性颗粒,利用磁性使颜料与镍层实现双重牢固结合,避免后续处理产生脱落,采用纳米二氧化钛层作为覆盖层,实现了对图案的保护,同时二氧化钛层具有自清洁功能,保证处理后的铝合金干净、美观,提高了铝合金的使用寿命。

附图说明

图1为本发明铝合金表面结构示意图;

图中,1-铝合金,2-铬过渡层,3-镍连接层,4-磁性颜料层,5-纳米二氧化钛层。

具体实施方式

一种铝合金表面处理方法,由以下步骤组成:

(1)对铝合金1表面进行清洗,去除污渍和油渍;优选进行超声波清洗。

(2)在该铝合金1基体的表面磁控溅射铬过渡层2,以氩气为工作气体,其流量为200sccm,溅射温度为120℃,工作电压为200v,溅射厚度为1μm。

(3)在掩上镂空制作所要设计的图案,然后将掩模放置在铬过渡层2表面上,磁控溅射镍连接层3,以氩气为工作气体,其流量为200sccm,溅射温度为150℃,工作电压为200v,溅射厚度为3μm;

(4)在镍连接层3上涂覆磁性颜料层4,磁性颜料由以下组分组成:环氧树脂23份,磷酸酯2.3份,颜料4份,γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷0.35份,二苯甲酮亚胺0.2份,石蜡油0.35份,四氧化三铁粉末9.5份。该颜料粘结性能好,且疏水能力强,不易对金属产生腐蚀。

(5)经过步骤(4)处理后的表面沉采用磁控溅射法制备纳米二氧化钛层5,以氩气和氧气为工作气体,氩气与氧气的体积比为1:1,流量为80sccm,溅射功率为160w,纳米二氧化钛层5的厚度为2μm。

采用上述方法处理过的铝合金表面,色彩艳丽,具有立体效果,抗刮擦能力强,使用寿命长。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种铝合金表面处理方法,由以下步骤组成:(1)对铝合金表面进行清洗,去除污渍和油渍;(2)在该铝合金基体的表面磁控溅射铬过渡层;(3)在铬过渡层表面上覆盖图案掩模,然后磁控溅射镍连接层;(4)在镍连接层上涂覆磁性颜料层;(5)经过步骤(4)处理后的表面沉积一层纳米二氧化钛层。本发明处理的铝合金表面,利用磁性和粘性双重固定颜料和图案,色彩艳丽,具有立体效果,抗刮擦能力强,使用寿命长。

技术研发人员:李春田
受保护的技术使用者:李春田
技术研发日:2017.12.20
技术公布日:2018.05.29
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