技术特征：
技术总结
本发明涉及一种用于在基片上沉积膜的基片处理系统，包括：处理室，其限定反应体积并包括用于支撑所述基片的基片支撑件；气体输送系统，其被配置为将处理气体引入所述处理室的所述反应体积；等离子体发生器，其被配置为有选择地生成在所述反应体积内的RF等离子体；夹紧系统，其被配置为在所述膜的沉积期间将所述基片夹紧到所述基片支撑件上；背面净化系统，其被配置为在所述膜的沉积期间以及所述RF等离子体在所述反应体积内的生成期间，将反应气体而不是惰性气体作为净化气体供应到所述基片的背面边缘，以净化所述背面边缘。
技术研发人员：赛沙·瓦拉达拉简;尚卡·斯瓦米纳坦;桑格伦特·桑普伦格;弗兰克·帕斯夸里;泰德·明歇尔;阿德里安·拉瓦伊;穆罕默德·萨布里;科迪·巴尼特
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2015.09.14
技术公布日：2018.10.12