本发明涉及一种加工装置以及加工方法。
背景技术：
：：作为以往技术，例如在专利文献1中揭示了一种封装(package)基板的加工方法。所述封装基板的加工方法是封装基板10的加工方法，所述封装基板10具有：多个元件芯片(devicechip)20，配设在由交叉的多个分割预定线(line)25所划分的基板12上的芯片区域；多个柱状导体电极22，形成在所述元件芯片20的外周；以及树脂密封层24，包覆多个所述元件芯片20和所述柱状导体电极22，所述加工方法包括：切削步骤，利用切削刀片(blade)32来切削至少埋设有所述多个柱状导体电极22的区域的所述树脂密封层24，以形成比封装基板10的精加工厚度深的切削槽33，使所述柱状导体电极22的端面22a露出于所述切削槽33的槽底；以及磨削步骤，在实施所述切削步骤后，利用磨削砂轮46来磨削封装基板10的所述树脂密封层24和配设于所述基板12上的所述多个元件芯片20，以使封装基板10薄化至所述精加工厚度。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2014-220443号公报技术实现要素：[发明所要解决的问题]专利文献1所揭示的封装基板的加工方法中，是利用切削刀片32来切削树脂密封层24以形成比封装基板10的精加工厚度深的切削槽33。但是，未揭示对所述切削槽33的深度进行控制的方式或测定的方式，切削槽33的深度(切削量)有可能产生不均。本发明解决所述问题，其目的在于提供一种能够抑制工件(work)的磨削量不均的加工装置以及加工方法。[解决问题的技术手段]为了解决所述问题，本发明的加工装置对工件进行加工，所述加工装置包括：平台(table)，载置工件；磨削机构，对工件进行磨削；以及测定机构，对工件的工件厚度方向上的至少工件的一部分的位置进行测定，磨削机构具有磨削砂轮，基于由测定机构所测定出的测定值，来控制磨削砂轮在工件厚度方向上的位置。为了解决所述问题，本发明的加工方法对工件进行加工，所述工件具有基板、安装于基板的多个半导体元件、配置在半导体元件周围的多个突起状电极、以及至少覆盖多个半导体元件及多个突起状电极的密封树脂，所述加工方法包括：设定工序，在基板上设定加工预定线；测定工序，通过测定机构，对工件的工件厚度方向上的至少工件的一部分的位置进行测定；磨削工序，通过磨削砂轮来磨削工件；以及控制工序，基于由测定机构所测定的测定值，对磨削砂轮在工件厚度方向上的位置进行控制。[发明的效果]根据本发明，能够抑制工件磨削量的不均。附图说明图1是表示本发明的实施方式1的切断装置的概要的平面图。图2(a)及图2(b)是表示图1所示的切断装置中所设的测定机构的结构的概要图，图2(a)是表示对工件进行磨削之前的状态的概要图，图2(b)是表示在工件的磨削中测定工件的高度位置的状态的概要图。图3(a)至图3(e)是表示通过图2(a)及图2(b)所示的测定机构来对磨削前及磨削后的工件的高度位置进行测定的过程的概要图。图4(a)至图4(c)是表示实施方式1中所使用的已密封基板的概要图，图4(a)是树脂密封前的平面图，图4(b)是树脂密封前的正面图，图4(c)是树脂密封后的正面图。图5(a)至图5(e)是表示使用图4(a)至图4(c)所示的已密封基板来制造pop型半导体装置的工序的概略工序剖面图。图6(a)至图6(f)是表示在实施方式2中，沿着加工预定线来依序进行磨削工序与切断工序的工序的概略工序剖面图。图7是表示本发明的实施方式3的切断装置的概要的平面图。图8(a)至图8(f)是表示在图7所示的切断装置中，使用图4(a)至图4(c)所示的已密封基板来制造pop型半导体装置的工序的概略工序剖面图。图9(a)至图9(f)是表示在实施方式4中，沿着加工预定线来依序进行粗磨削加工与精磨削加工的工序的概略工序剖面图。图10(a)至图10(e)是表示使用实施方式5中所使用的已密封基板来制造pop型半导体装置的工序的概略工序剖面图。符号的说明1、44：切断装置(加工装置)2、61：已密封基板(工件)2a：已密封基板的磨削前部2b：已密封基板的已磨削部3：基板供给部4：切断平台(平台)5：移动机构6：旋转机构7、7a、7b、7c：位移传感器8：主轴(磨削机构)8a：主轴保持部9：主轴(切断机构)10、48、49：磨削砂轮11：旋转刀12、13：加工水喷射喷嘴14、17：摄像机15：单片化物16：检查平台18：良品用托盘19：测定机构20：控制部21：驱动机构22：摄像机(检查机构)23：吸附夹具24：加工水25、42、53、68：基板26、57：半导体芯片(半导体元件)27、58：焊球(突起状电极)28、43、60、71：密封树脂29、56、69：凸块30、37、59、66：焊球31、31a、31b、31c、31d、31e、54：加工预定线32、55：区域33、33a、33b、33c、33d、33e、62：开口部34、34a、34b、34c、34d、34e、52、63：切断槽35、64：下部封装36、65：上部封装38、67：pop型半导体装置39：逻辑半导体芯片40：存储器半导体芯片41：接合线45：磨削平台(平台)46：主轴(第1磨削机构)47：主轴(第2磨削机构)50、50a、50b、50c、50e：浅的开口部51、51a、51b、51c、51d、51e：深的开口部70：半导体芯片a：供给模块b：磨削/切断模块b1：磨削模块b2：切断模块c：检查模块ctl：控制部h：已密封基板的高度h0：切断平台的高度位置h1：已密封基板的磨削前部的高度位置h2：已密封基板的已磨削部的高度位置v：速度x、y、z、θ：方向具体实施方式以下，参照附图来说明本发明的实施方式。在本申请说明书的所有附图中，为了便于理解，适当省略或夸张而示意性地描绘。对于相同构成部件，标注相同的符号而适当省略说明。另外，在本申请说明书中，所谓“半导体元件”，包含未经树脂等密封的所谓半导体芯片、及半导体芯片的至少一部分被树脂等密封的形式。本申请说明书中，所谓“磨削”，是指通过磨石的颗粒来研磨(grinding)工件的表面，所谓“切断”，是指将工件切割(cutting)成多个区域。〔实施方式1〕(切断装置的结构)参照图1，作为本发明的加工装置的一例，例如对切断装置的结构进行说明。如图1所示，切断装置1例如具备下述部分作为各构成部件，即：供给模块a，供给作为工件的已密封基板2；磨削/切断模块b，对已密封基板2进行磨削及切断；以及检查模块c，对经切断而单片化的单片化物(相当于制品或半制品)进行检查。各构成部件各自相当于其他构成部件可装卸且可更换。在供给模块a中，设有供给已密封基板2的基板供给部3。已密封基板2例如具有基板、被安装于基板所具有的多个区域的多个半导体芯片、及以统一覆盖多个区域的方式而形成的密封树脂。将已密封基板2切断而单片化的多个区域分别相当于制品或半制品。已密封基板2由搬送机构(未图示)从供给模块a搬送至磨削/切断模块b。在磨削/切断模块b中，设有用于载置已密封基板2以进行磨削及切断的切断平台4。在切断平台4上，安装有用于吸附已密封基板2的吸附用夹具(参照图2(a)及图2(b))。切断平台4可通过移动机构5而朝图的y方向移动。且，切断平台4可通过旋转机构6而朝θ方向旋转。在切断平台4的上方，例如设有用于对切断平台4的高度位置进行测定的位移传感器7。作为位移传感器7，例如使用接触式位移传感器、光学式位移传感器、超声波式位移传感器等。在磨削/切断模块b中，设有两个主轴(spindle)8、9。例如设有：作为磨削机构的主轴8，对已密封基板2的一部分进行磨削；以及作为切断机构的主轴9，将已密封基板2切断成多个区域。在主轴8上，为了对已密封基板2的一部分进行磨削而安装有厚度厚(宽度大)的磨削砂轮10。在主轴9上，为了切断已密封基板2而安装有厚度薄(宽度小)的旋转刀11。在主轴8中，设有对磨削砂轮10喷射加工水的加工水喷射喷嘴(nozzle)12、及用于对已密封基板2的高度位置进行测定的位移传感器7。作为加工水，使用对磨削砂轮10进行冷却的冷却水、将因磨削产生的磨削屑等予以去除的清洗水等。位移传感器7与设于切断平台4上方的位移传感器相同。如图1所示，例如在俯视时，位移传感器7设于主轴8的两侧。位移传感器7既可设于主轴8的两侧，也可仅设于其中一侧。通过位移传感器7，能够对磨削前的至少一部分已密封基板2的高度位置、磨削后的至少一部分已密封基板2的高度位置及切断平台4的高度位置进行测定。进而，能够将用于对磨削后的至少一部分已密封基板2的表面状态进行摄像的摄像机(camera)(参照图2(a)及图2(b))设于主轴8。在摄像机中，例如装入有电荷耦合器件(chargecoupleddevice，ccd)、互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)传感器等，以作为摄像元件。在主轴9上，设有对旋转刀11喷射加工水的加工水喷射喷嘴13、及用于对被旋转刀11切断的已密封基板2的切断槽(切槽)进行摄像的摄像机14。作为加工水，使用抑制旋转刀11的堵塞的切削水、对旋转刀11进行冷却的冷却水、将因切断产生的端材等予以去除的清洗水等。切断装置1是设有一个切断平台4和两个主轴8、9的单平台-双主轴(singletable-twinspindle)结构的切断装置。主轴8、9可分别独立地沿x方向及z方向移动。通过使切断平台4与主轴8相对地移动，从而利用磨削砂轮10来磨削已密封基板2。通过使切断平台4与主轴9相对地移动，从而利用旋转刀11来切断已密封基板2。本实施方式中，表示了下述情况：在磨削/切断模块b中，各设有一个对已密封基板2进行磨削的作为磨削机构的主轴8、及切断已密封基板2的作为切断机构的主轴9。并不限于此，能够设置作为磨削机构的分别进行粗加工及精加工的两个主轴、及作为切断机构的一个主轴。进而，也能够各设置两个作为磨削机构及切断机构的主轴。在检查模块c中，设有检查平台16，所述检查平台16用于载置将已密封基板2切断而单片化的多个单片化物15(相当于制品或半制品)以进行检查。通过搬送机构(未图示)，将多个单片化物15从切断平台4统一搬送至检查平台16上。多个单片化物15是通过检查用的摄像机17来检查表面状态等。经检查平台16检查的单片化物15被区分为良品与不良品。通过移送机构(未图示)，良品被移送收纳至良品用托盘(tray)18，不良品被移送收送至不良品用托盘(未图示)。在供给模块a中设有控制部ctl。控制部ctl控制切断装置1的动作、已密封基板2的搬送、已密封基板2的磨削及切断、经切断的单片化物15的搬送、单片化物15的检查及收纳等。本实施方式中，将控制部ctl设于供给模块a中。并不限于此，也可将控制部ctl设于其他模块。而且，控制部ctl也可分割为多个，而设于供给模块a、磨削/切断模块b及检查模块c中的至少两个模块中。(测定机构的结构)参照图2(a)及图2(b)来说明对经磨削砂轮10磨削的已密封基板2的磨削量进行测定及控制的测定机构的结构。另外，为了方便，在已密封基板2中，将磨削之前的部分作为磨削前部分而定义为已密封基板2的磨削前部2a、将磨削之后的部分作为已磨削部分而定义为已密封基板2的已磨削部2b。如图2(a)及图2(b)所示，主轴8被设于保持主轴的主轴保持部8a。测定机构19例如包含设于主轴保持部8a的两个位移传感器7a、7b、设于切断平台4的位移传感器7c以及控制部20。设于主轴保持部8a的两个位移传感器7a、7b与设于切断平台4的位移传感器7c既可为相同种类的位移传感器，也可为不同种类的位移传感器。作为位移传感器，例如使用光学式位移传感器。另外，理想的是，预先使位移传感器7a、7b、7c的基准点在切断平台4的表面位置等一致，以消除各位移传感器间的误差。通过利用驱动机构21来使主轴保持部8a沿z方向升降，从而主轴8及磨削砂轮10沿z方向升降。通过利用驱动机构21来使主轴8下降，从而对磨削砂轮10在已密封基板2的厚度方向(图中以h所示的部分)上的下端位置进行控制。主轴8及磨削砂轮10能够通过驱动机构(未图示)而沿x方向移动。如图2(b)所示，通过使磨削砂轮10朝-z方向下降固定量，从而设定磨削砂轮10在已密封基板2的厚度方向上的下端位置。通过使磨削砂轮10朝逆时针方向高速旋转，并使切断平台4朝+y方向移动，从而利用磨削砂轮10来磨削已密封基板2。位移传感器7a是主要用于对磨削已密封基板2之前的、已密封基板2的磨削前部2a的高度位置进行测定的传感器。位移传感器7b是主要用于对磨削已密封基板2之后的、已密封基板2的已磨削部2b的高度位置进行测定的传感器。位移传感器7c是用于对切断平台4的高度位置进行测定的传感器。由位移传感器7a、7b、7c所测定的各个高度位置被存储在控制部20中，由控制部20进行运算处理。通过对由位移传感器7a所测定的已密封基板2的磨削前部2a的高度位置、与由位移传感器7b所测定的已密封基板2的已磨削部2b的高度位置进行比较，能够求出已密封基板2的磨削量。位移传感器7a、7b也能够对切断平台4的高度位置进行测定。进而，在主轴保持部8a上所设的位移传感器7b的外侧，能够设置用于对已密封基板2的已磨削部2b的表面状态进行检查的摄像机22。另外，严格而言，位移传感器7a、7b及摄像机22是设于主轴保持部8a，但在本申请说明书中，为了方便，有时也说设于主轴8。在切断平台4上，安装有用于吸附保持已密封基板2的吸附夹具23。已密封基板2被载置于吸附夹具23上而被吸附于切断平台4。在磨削已密封基板2时，从加工水喷射喷嘴12朝向已密封基板2与磨削砂轮10的加工点来喷射加工水24。(磨削量的测定方法)参照图3(a)至图3(e)，对通过测定机构19来测定已密封基板2的磨削量并控制磨削量的方法进行说明。另外，图3(a)至图3(e)中，为了方便，省略了驱动机构21、加工水喷射喷嘴12、控制部20及位移传感器7c。首先，如图3(a)所示，通过设于主轴8的主轴马达(未图示)来使磨削砂轮10朝逆时针方向高速旋转。接下来，通过驱动机构21(参照图2(a)及图2(b))来使主轴8朝-z方向下降固定量。在此阶段，从已密封基板2的表面设定磨削砂轮10在已密封基板2的厚度方向上的下端位置。换言之，使主轴8从已密封基板2的表面下降，以使磨削砂轮10的下端位置对准固定的深度d0的位置。所述深度d0相当于对已密封基板2进行磨削的磨削量。如此，对磨削已密封基板2的目标磨削量(磨削深度)进行控制。接下来，使切断平台4以固定的速度v朝+y方向移动。当切断平台4通过位移传感器7a的下方时，通过位移传感器7a来测定切断平台4的高度位置h0。将切断平台4的高度位置h0设定为位移传感器7a的基准高度位置。使所述切断平台4的高度位置h0存储于控制部20(参照图2(a)及图2(b))中。接下来，如图3(b)所示，使切断平台4进一步朝+y方向移动。当已密封基板2的磨削前部2a通过位移传感器7a的下方时，通过位移传感器7a来测定磨削前部2a的高度位置h1。使所述磨削前部2a的高度位置h1存储于控制部20(参照图2(a)及图2(b))中。所述磨削前部2a的高度位置h1相当于磨削已密封基板2之前的相对高度位置。严格而言，已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1与切断平台4的高度位置h0的差值(h1-h0)相当于从切断平台4的表面直至已密封基板2的磨削前部2a的表面为止的高度。在已密封基板2的磨削前部2a通过位移传感器7a下方的期间，一直连续地测定磨削前部2a的高度位置h1。接下来，如图3(c)所示，使切断平台4进一步朝+y方向移动。通过已密封基板2的磨削前部2a与磨削砂轮10接触，从而磨削前部2a被磨削砂轮10从表面磨削固定量至固定的深度d0为止。已密封基板2的磨削前部2a通过磨削砂轮10，由此，形成已密封基板2的已磨削部2b。当使切断平台4进一步朝+y方向移动时，切断平台4通过位移传感器7b的下方。当切断平台4通过位移传感器7b的下方时，通过位移传感器7b来测定切断平台4的高度位置h0。将切断平台4的高度位置h0设定为位移传感器7b的基准高度位置。使所述切断平台4的高度位置h0存储于控制部20(参照图2(a)及图2(b))中。若使位移传感器7a、7b的基准点预先一致，则位移传感器7b所测定的切断平台4的高度位置h0、与位移传感器7a所测定的切断平台4的高度位置h0将呈现基本相同的值。接下来，如图3(d)所示，使切断平台4进一步朝+y方向移动。当已密封基板2的已磨削部2b通过位移传感器7b的下方时，通过位移传感器7b来测定已磨削部2b的高度位置h2。使所述已磨削部2b的高度位置h2存储于控制部20(参照图2(a)及图2(b))中。已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2与切断平台4的高度位置h0的差值(h2-h0)相当于从切断平台4的表面直至已密封基板2的已磨削部2b的表面为止的高度。在已密封基板2的已磨削部2b通过位移传感器7b下方的期间，一直连续地测定已磨削部2b的高度位置h2。若位移传感器7a及位移传感器7b所测定的切断平台4的高度位置h0为相同的值，则通过对已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1与由位移传感器7b所测定的已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2进行比较，便能够简单地求出已密封基板2的磨削量d。位移传感器7a所测定的从切断平台4的表面直至已密封基板2的磨削前部2a的表面为止的高度(h1-h0)与位移传感器7b所测定的从切断平台4的表面直至已密封基板2的已磨削部2b的表面为止的高度(h2-h0)的差值，相当于已密封基板2的磨削量d。因此，已密封基板2的磨削量d为d＝(h1-h0)-(h2-h0)＝(h1-h2)。因此，若位移传感器7a、7b所测定的切断平台4的高度位置h0为相同的值，则能够根据已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1与已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2的差值(h1-h2)，来求出已密封基板2的磨削量d。即使在位移传感器7a及位移传感器7b所测定的切断平台4的高度位置h0不同的情况下，通过分别求出位移传感器7a所测定的从切断平台4的表面直至已密封基板2的磨削前部2a的表面为止的高度、与位移传感器7b所测定的从切断平台4的表面直至已密封基板2的已磨削部2b的表面为止的高度，并对它们进行比较，也能够求出已密封基板2的磨削量。通过控制部20进行运算处理，能够求出已密封基板2的磨削量。通过像这样分别求出已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1、已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2及切断平台4的高度位置h0，能够求出已密封基板2的磨削量。本实施方式中，从已密封基板2通过位移传感器7a下方的时间点开始，一直连续地测定已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1。同样地，从已密封基板2通过位移传感器7b下方的时间点开始，一直连续地测定已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2。因此，通过对已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1与已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2进行比较，能够一直连续地测定已密封基板2的磨削量d＝(h1-h2)。由于切断平台4是以固定的速度v移动，因此位移传感器7a、7b将在距已密封基板2的端部为相同距离的位置处分别连续地测定已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1、已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2。因此，通过对控制部20连续测定的已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1、已磨削部2b的高度位置h2进行运算处理，能够精度良好地测定此处-此时间点(insitu)的已密封基板2的磨削量d。因此，能够始终准确地掌握已密封基板2的磨削量d。接下来，如图3(e)所示，使切断平台4进一步朝+y方向移动。当已密封基板2的已磨削部2b通过摄像机22的下方时，通过摄像机22来对已磨削部2b进行摄像。由此，能够检查已密封基板2的已磨削部2b的磨削状态是否无异常。通过在切断装置1的主轴8上设置作为测定机构19的两个位移传感器7a、7b及摄像机22，能够连续地测定已密封基板2的磨削量d，从而能够始终准确地掌握已密封基板2的磨削量d。进而，能够始终通过摄像机22来确认已密封基板2的已磨削部2b的磨削状态。因此，在已密封基板2的磨削存在异常的情况下，能够及早发现。至此为止所述的一连串动作为通过一次磨削将已密封基板2磨削固定量的动作。在无法通过一次磨削来磨削至目标磨削量(磨削深度)的情况下，则反复进行此种动作，从而将已密封基板2磨削至目标磨削量为止。本实施方式中，能够通过测定机构19中所设的位移传感器7a、7b来连续测定已密封基板2的磨削量d。通过反馈(feedback)所述测定的磨削量，能够对磨削砂轮10的下端位置进行调整以控制磨削量。本实施方式中，是将作为测定机构19的两个位移传感器7a、7b设于主轴8。并不限于此，也可将一个位移传感器设于主轴。此时，通过一个位移传感器，分别测定切断平台4的高度位置h0、已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1及已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2。利用控制部20来对这些测定值进行运算处理，由此，能够求出已密封基板2的磨削量。本实施方式中，为了测定切断平台4的高度位置，在切断平台4的上方也设有位移传感器7c。由此，例如也能够探测加工水对切断平台4的冷却、或因加工热造成的切断平台4的发热等的影响。因此，即使切断平台4发生了伸缩或变形，也能够始终掌握切断平台4的高度位置。由此，能够将切断平台4的高度位置的变动修正为已密封基板2的高度位置，从而求出已密封基板2的磨削量。另外，若切断平台4的高度位置的变动为能够忽略的范围，则可省略位移传感器7c。本实施方式中，使切断平台4的高度位置h0、已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1及已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2分别存储在测定机构19中所设的控制部20中，基于这些测定值来求出已密封基板2的磨削量d。并不限于此，也可使这些测定值存储在切断装置1中所设的控制部ctl(参照图1)中，以求出已密封基板2的磨削量。(已密封基板的结构)参照图4(a)至图4(c)，对本实施方式中所使用的已密封基板的结构进行说明。如图4(c)所示，已密封基板2具备：基板25；多个半导体芯片26，安装在基板25的主面侧；多个作为突起状电极的焊球27，配置在半导体芯片26的周围；以及密封树脂28，以覆盖多个半导体芯片26及多个焊球27的方式而形成。半导体芯片26例如经由凸块29而连接于基板25。在已密封基板2的背面侧，设有成为外部电极的多个焊球30。已密封基板2是在厚度方向上具有高度h的已密封基板。本实施方式中所示的已密封基板2例如是用于制作构成堆叠封装(packageonpackage，pop)型半导体装置的下部封装的已密封基板。如图4(a)所示，各个半导体芯片26与配置在半导体芯片26周围的多个焊球27是设在基板25上由虚拟地设定且彼此交叉的多条加工预定线31所围成的区域32内。多条加工预定线31是通过利用切断装置1中所设的对准用摄像机(未图示)来确认设在基板25上的对准标记(alignmentmark)(未图示)等，从而在基板25上作为虚拟的加工预定线而设定。由多条加工预定线31所围成的多个区域32相当于构成pop型半导体装置的下部封装。另外，配置在半导体芯片26周围的突起状电极并不限于焊球。例如，只要是包含铜(cu)等的具有导电性的突起状电极即可。(电子零件的制造方法)参照图5(a)至图5(e)，对本实施方式中的电子零件(pop型半导体装置)的制造方法进行说明。首先，如图5(a)所示，在基板25的多个区域32经由凸块29而分别安装多个半导体芯片26。接下来，在各个半导体芯片26的周围，配置成为连接用突起状电极的多个焊球27。接下来，在基板25的背面侧，配置成为外部电极的多个焊球30。接下来，如图5(b)所示，以覆盖多个半导体芯片26与多个焊球27的方式来形成密封树脂28。通过至此为止的工序，制作已密封基板2。另外，本实施方式中，是在形成密封树脂28之前配置成为外部电极的多个焊球30。并不限于此，也可在形成密封树脂28之后配置多个焊球30。接下来，如图5(c)所示，在切断装置1的切断平台4(参照图1～图3(e))上载置已密封基板2。在图3(c)至图3(d)中，省略了切断平台4。将作为切断装置1的磨削机构的主轴8(参照图1～图3(e))上安装的磨削砂轮10，配置于对已密封基板2设定的加工预定线31上。沿着对已密封基板2设定的加工预定线31，将已密封基板2中的密封树脂28磨削固定量。此时，将密封树脂28磨削至配置于基板25的多个焊球27的上部露出为止。磨削砂轮10至少具有能够对配置在加工预定线31两侧的多个焊球27上的密封树脂28进行磨削的宽度。通过主轴8上所设的测定机构19(参照图2(a)～图3(e))来测定密封树脂28的磨削量，利用磨削砂轮10来磨削密封树脂28，直至焊球27的上部露出为止。其结果，在已密封基板2上，形成使焊球27的上部露出的开口部33。进而，通过主轴8上所设的摄像机22(参照图2(a)～图3(e))来确认焊球27的上部是否露出。这样，沿着对已密封基板2设定的所有加工预定线31(参照图4(a))来磨削已密封基板2。其结果，沿着对已密封基板2设定的多条加工预定线31而形成多个开口部33。通过至此为止的工序，磨削工序完成。接下来，如图5(d)所示，在磨削工序完成后，将作为切断装置1的切断机构的主轴9(参照图1)上安装的旋转刀11，配置于对已密封基板2的开口部33设定的加工预定线31上。通过旋转刀11，沿着对已密封基板2设定的加工预定线31来切断密封树脂28的剩余部分及基板25。其结果，在已密封基板2上形成切断槽34。沿着对已密封基板2设定的所有加工预定线31(参照图4(a))来切断已密封基板2。由此，通过多个切断槽34，已密封基板2被单片化为各个区域32。通过至此为止的工序，制造构成pop型半导体装置的多个下部封装35。图5(c)至图5(d)的工序是由切断装置1来执行。接下来，如图5(e)所示，将配置于下部封装35的连接用焊球27与配置于上部封装36的连接用焊球37予以连接，由此，作为电子零件的一个方式的pop型半导体装置38完成。上部封装36例如是将逻辑(logic)半导体芯片39与存储器半导体芯片40予以层叠，并将各个半导体芯片经由接合线41而连接于基板42。逻辑半导体芯片39与存储器半导体芯片40由密封树脂43予以覆盖。本实施方式中，在基板25上经由凸块29而分别安装有多个半导体芯片26。并不限于此，也可将已被树脂密封的半导体元件安装于基板。进而，也能够设为安装多个半导体芯片或多个半导体元件的多模块结构。本申请说明书中，半导体芯片也包含在半导体元件的一个方式中。本实施方式中，通过磨削砂轮10来磨削焊球27上的密封树脂28。进而，也能够使用磨削砂轮10来磨削半导体芯片26上的密封树脂28。进而，只要是安装有经树脂密封的半导体元件的情况，通过磨削砂轮10，除了密封树脂28以外，也能够磨削所安装的半导体元件的一部分。(作用效果)本实施方式的加工装置的一个方式即切断装置1采用下述结构，即，一种加工装置，其对成为工件的已密封基板2进行加工，所述加工装置包括：切断平台4，载置已密封基板2；作为磨削机构的主轴8，对已密封基板2进行磨削；以及测定机构19，对已密封基板2的厚度方向上的至少已密封基板2的一部分的位置进行测定，主轴8具有磨削砂轮10，基于由测定机构19所测定出的测定值，来控制磨削砂轮10在已密封基板2的厚度方向上的位置。本实施方式的加工方法对作为工件的已密封基板2进行加工，所述已密封基板2具有基板25、安装于基板25的多个作为半导体元件的半导体芯片26、配置在半导体芯片26周围的多个作为突起状电极的焊球27、以及至少覆盖多个半导体芯片26及多个焊球27的密封树脂28，所述加工方法包括：设定工序，对基板25设定加工预定线31；测定工序，通过测定机构19，对已密封基板2的厚度方向上的至少已密封基板2的一部分的位置进行测定；磨削工序，通过磨削砂轮10来磨削已密封基板2；以及控制工序，基于由测定机构19所测定的测定值，对磨削砂轮10在已密封基板2的厚度方向上的位置进行控制。根据此结构，切断装置1具有对已密封基板2进行磨削的主轴8。主轴8具备对已密封基板2进行磨削的磨削砂轮10、及对已密封基板2的磨削量进行测定的测定机构19。通过测定机构19来测定已密封基板2的高度位置，以求出已密封基板2的磨削量。通过求出磨削量，从而对磨削砂轮10在已密封基板2的厚度方向上的位置进行控制。因此，能够抑制已密封基板2的磨削量不均。更详细而言，根据本实施方式，切断装置1具有对已密封基板2的一部分进行磨削的作为磨削机构的主轴8。主轴8具备对已密封基板2进行磨削的宽度大的磨削砂轮10、及对经磨削砂轮10磨削的已密封基板2的磨削量进行测定的测定机构19。测定机构19包含设于主轴8的两个位移传感器7a、7b及控制部20。由两个位移传感器7a、7b来测定已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1与已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2。通过对这些高度位置h1、h2进行比较，求出已密封基板2的磨削量d。通过位移传感器7a、7b，能够求出已密封基板2的准确的磨削量d。由此，能够对磨削砂轮10在已密封基板2的厚度方向上的深度进行控制。因此，能够抑制已密封基板2的磨削量不均。根据本实施方式，通过设于主轴8的两个位移传感器7a、7b，来连续地测定已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1与已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2。因此，能够连续地测定此处-此时间点(insitu)的已密封基板2的磨削量d。因此，能够精度良好地求出已密封基板2的磨削量d。且，能够始终掌握已密封基板2的磨削量d。由此，能够将由测定机构19所求出的磨削量精度良好地反馈给磨削砂轮10在已密封基板2的厚度方向上的深度位置。根据本实施方式，能够连续地测定已密封基板2的磨削量d，因此能够始终掌握已密封基板2的磨削量d。由此，例如，即使在因磨削砂轮10磨损而磨削量减少的情况下，也能够通过测定机构19来探测此变化。因此，即使在磨削砂轮10发生了磨损的情况下，通过反馈所述磨削量，也能够调整磨削砂轮10的位置以控制磨削量。根据本实施方式，在切断装置1中，设置作为磨削机构的主轴8与作为切断机构的主轴9。因此，能够在同一装置中进行已密封基板2的磨削与切断这两个工序。不需要像以往那样准备磨削装置与切断装置这两种装置，因此能够抑制设备成本。除此以外，能够抑制电子零件的制造成本。且能够提高切断装置1的生产性。根据本实施方式，设置对已密封基板2的已磨削部2b的状态进行摄像的摄像机22。因此，能够对已密封基板2的已磨削部2b的表面状态进行检查。由此，在pop型半导体装置38的制造中，能够明确地确认配置于下部封装35的焊球27的上部是否正常露出。因此，能够抑制因已密封基板2的磨削量不足造成的不良的发生。〔实施方式2〕(已密封基板的加工方法)参照图6(a)至图6(f)，在实施方式2中，对效率良好地执行已密封基板2的磨削工序与切断工序的加工方法进行说明。与实施方式1的不同之处在于：在一条加工预定线上进行磨削工序之后，还紧接着进行切断工序。除此以外的工序与实施方式1相同，因此省略说明。首先，如图6(a)所示，将安装于主轴8(参照图1)的磨削砂轮10配置在已密封基板2的最外侧设定的加工预定线31a上。接下来，使磨削砂轮10下降，沿着加工预定线31a来磨削已密封基板2。通过磨削砂轮10，在加工预定线31a上形成开口部33a。在此工序中，安装于主轴9(参照图1)的旋转刀11在已密封基板2之外待机。接下来，如图6(b)所示，使主轴8、9移动，将磨削砂轮10配置于加工预定线31b上，将旋转刀11配置于加工预定线31a上。接下来，使磨削砂轮10下降，沿着加工预定线31b来磨削已密封基板2，形成开口部33b。同时，使旋转刀11下降，沿着加工预定线31a来切断已密封基板2。沿着加工预定线31a来形成切断槽34a。接下来，如图6(c)所示，使主轴8、9移动，将磨削砂轮10配置于加工预定线31c上，将旋转刀11配置于加工预定线31b上。接下来，使磨削砂轮10下降，沿着加工预定线31c来磨削已密封基板2，形成开口部33c。同时，使旋转刀11下降，沿着加工预定线31b来切断已密封基板2。沿着加工预定线31b来形成切断槽34b。如图6(d)至图6(f)所示，通过依序重复此工序，从而沿着所有加工预定线31a～31e形成开口部33a～33e及切断槽34a～34e。对于与加工预定线31a～31e正交的加工预定线也实施同样的工序，由此，将已密封基板2单片化为各个区域。根据本实施方式，使用两个主轴8、9来连续地实施磨削工序与切断工序。在一条加工预定线中进行磨削砂轮10的磨削工序后，紧跟着进行旋转刀11的切断工序。由此，能够使用双主轴结构的切断装置1来效率良好地进行磨削工序与切断工序。因此，能够提高切断装置1的生产性。〔实施方式3〕(切断装置的结构)参照图7，对实施方式3的加工装置的另一例即切断装置的结构进行说明。与实施方式1所示的切断装置1的不同之处在于，将磨削/切断模块b进一步分割为磨削模块与切断模块。除此以外的结构与实施方式1相同，因此省略说明。如图7所示，切断装置44具备下述部分作为各构成部件，即：供给模块a，供给已密封基板2；磨削模块b1，对已密封基板2进行磨削；切断模块b2，切断已密封基板2；以及检查模块c，对经切断而单片化的单片化物进行检查。各构成部件各自相对于其他构成部件可装卸且可更换。供给模块a及检查模块c与实施方式1相同。在磨削模块b1中，设有用于载置已密封基板2以进行磨削的磨削平台45。磨削平台45与实施方式1所示的切断平台4相同，移动机构5、旋转机构6及位移传感器7也与实施方式1相同。在磨削模块b1中，设有作为磨削机构的两个主轴46、47。例如设有：用于对已密封基板2进行粗加工的主轴46；以及用于对已密封基板2进行精加工的主轴47。通过分开使用安装于主轴46、47的磨削砂轮，能够对已密封基板2进行粗加工或精加工。通过使构成磨削砂轮的磨粒的种类或粒度(磨粒的数量)最佳化，从而能够对已密封基板2进行粗加工或精加工。例如，通过使粒度(磨粒的数量)最佳化，从而能够对已密封基板2进行粗加工或精加工。通过在主轴46上安装粒度小(磨粒的数量少)的磨削砂轮48，能够对已密封基板2进行粗加工。通过在主轴47上安装粒度大(磨粒的数量多)的磨削砂轮49，能够对已密封基板2进行精加工。作为又一方法，通过选择磨粒的种类，能够对已密封基板2进行粗加工或精加工。例如，作为硬度最高(硬)的超磨粒，使用金刚石(diamond)、cbn(立方氮化硼)等，由此，能够对已密封基板2进行粗加工。作为硬度比超磨粒低(软)的一般磨粒，例如使用gc磨石(greensiliconcarbide：绿色碳化硅系磨石)等，由此，能够对已密封基板2进行精加工。在主轴46、47中，设有对磨削砂轮48、49分别喷射加工水的加工水喷射喷嘴12、及用于对已密封基板2的高度位置进行测定的位移传感器7。位移传感器7与实施方式1所示的位移传感器相同。此情况下，位移传感器7也分别设在主轴46、47的两侧。通过位移传感器7，能够对已密封基板2的磨削前部2a的高度位置h1及已密封基板2的已磨削部2b的高度位置h2(参照图2(a)～图3(e))进行测定。进而，能够设置用于对已密封基板2的已磨削部2b的表面状态进行摄像的摄像机(参照图2(a)～图3(e))。在切断模块b2中，设有切断平台4与作为切断机构的主轴9。主轴9与实施方式1所示的主轴相同。在主轴9上，安装有用于切断已密封基板2的旋转刀11。与实施方式1同样，在主轴9中，设有喷射加工水的加工水喷射喷嘴13、及用于对切断槽进行摄像的摄像机14。另外，也能够将切断模块b2设为双平台-双主轴结构。另外，当在加工装置44中，对已密封基板进行磨削工序，而在其他工序(装置)中进行切断工序时，能够省略切断模块b2。在此情况下，加工装置44作为磨削装置发挥功能。(电子零件的制造方法)参照图8(a)至图8(f)，对实施方式3中的电子零件(pop型半导体装置)的制造方法进行说明。如图8(a)至图8(b)所示，直至制作已密封基板2为止的工序与实施方式1相同。接下来，如图8(c)所示，在切断装置44的磨削平台45(参照图7)上载置已密封基板2。通过切断装置44的粗加工用主轴46(参照图7)上安装的磨削砂轮48来磨削已密封基板2。沿着对已密封基板2设定的加工预定线31，将已密封基板2中的密封树脂28磨削固定量。在此情况下，例如对磨削量进行控制，以磨削至配置于基板25的焊球27的上部即将露出为止。磨削量是由设于主轴46的测定机构(未图示)进行控制。其结果，在已密封基板2上形成浅的开口部50。在主轴46上，安装有粗加工用的、例如粒度小(磨粒的数量少)的磨削砂轮48，因此能够快速地磨削密封树脂28。通过沿着对已密封基板2设定的所有加工预定线31(参照图4(a))来进行磨削，从而形成多个浅的开口部50。接下来，如图8(d)所示，通过切断装置44的精加工用主轴47(参照图7)上安装的磨削砂轮49来磨削已密封基板2。沿着对已密封基板2设定的加工预定线31，将已密封基板2中的密封树脂28磨削固定量。在此情况下，对磨削量进行控制，以使配置于基板25的焊球27的上部露出。磨削量是由设于主轴47的测定机构(未图示)进行控制。其结果，在已密封基板2上，形成使焊球27的上部露出的深的开口部51。在主轴47上，安装有精加工用的、例如粒度大(磨粒的数量多)的磨削砂轮49，因此能够精度良好地磨削密封树脂28。通过沿着对已密封基板2设定的所有加工预定线31(参照图4(a))来进行磨削，从而形成多个深的开口部51。通过至此为止的工序，磨削工序完成。与实施方式1同样，密封树脂28的粗加工及精加工的磨削量是由设于主轴46及主轴47的测定机构(未图示)进行测定，以控制目标磨削量。进而，通过设于主轴47的摄像机(未图示)，能够确认焊球27的上部是否露出。接下来，如图8(e)所示，在磨削工序完成后，将已密封基板2从磨削平台45移载至切断平台4(参照图7)。将切断装置44的切断用主轴9(参照图7)上安装的旋转刀11，配置于对已密封基板2的开口部51设定的加工预定线31上。沿着对已密封基板2设定的加工预定线31，通过旋转刀11来切断密封树脂28的剩余部分及基板25。其结果，在已密封基板2上形成切断槽52。沿着对已密封基板2设定的所有加工预定线31(参照图4(a))来切断已密封基板2。由此，通过切断槽52，已密封基板2被单片化为各个区域32。通过至此为止的工序，制造构成pop型半导体装置的多个下部封装35。制造方法虽有所不同，但下部封装35与利用实施方式1的制造方法所制造者相同。图8(c)至图8(e)的工序是由切断装置44来执行。接下来，如图8(f)所示，将配置于下部封装35的连接用焊球27与配置于上部封装36的连接用焊球37予以连接，由此，作为电子零件的一个方式的pop型半导体装置38完成。上部封装36与实施方式1中所示的上部封装相同。根据本实施方式，在磨削模块b1中，设置作为磨削机构的两个主轴46、47。在主轴46上，为了进行粗加工而安装粒度小的磨削砂轮48。在主轴47上，为了进行精加工而安装粒度大的磨削砂轮49。通过磨削砂轮48，能够快速磨削密封树脂28，通过磨削砂轮49，能够精度良好地对密封树脂28进行精加工。因此，能够快速且精密地磨削已密封基板2，从而能够提高磨削品质。〔实施方式4〕(已密封基板的加工方法)参照图9(a)至图9(f)，在实施方式4中，对效率良好地执行已密封基板2的粗加工的磨削工序与精加工的磨削工序的加工方法进行说明。与实施方式3的不同之处在于，在一条加工预定线上进行粗加工的磨削工序之后，还紧接着进行精加工的磨削工序。除此以外的工序与实施方式3相同，因此省略说明。首先，如图9(a)所示，将安装于主轴46(参照图7)的磨削砂轮48配置在已密封基板2的最外侧设定的加工预定线31a上。接下来，使磨削砂轮48下降，沿着加工预定线31a来磨削已密封基板2。通过磨削砂轮48，在加工预定线31a上形成浅的开口部50a(焊球27的上部即将露出之前的开口部；参照图8(c))。在此工序中，安装于主轴47(参照图7)的磨削砂轮49在已密封基板2之外待机。接下来，如图9(b)所示，使主轴46、47移动，将磨削砂轮48配置于加工预定线31b上，将磨削砂轮49配置于加工预定线31a上。接下来，使磨削砂轮48下降，沿着加工预定线31b来磨削已密封基板2，形成浅的开口部50b。同时，使磨削砂轮49下降，沿着加工预定线31a来磨削已密封基板2。沿着加工预定线31a形成深的开口部51a(焊球27的上部露出的开口部；参照图8(d))。接下来，如图9(c)所示，使主轴46、47移动，将磨削砂轮48配置于加工预定线31c上，将磨削砂轮49配置于加工预定线31b上。接下来，使磨削砂轮48下降，沿着加工预定线31c来磨削已密封基板2，形成浅的开口部50c。同时，使磨削砂轮49下降，沿着加工预定线31b来磨削已密封基板2。沿着加工预定线31b形成深的开口部51b。如图9(d)至图9(f)所示，通过依序重复此工序，从而沿着所有加工预定线31a～31e形成基于粗加工的浅的开口部50a～50e，紧接着形成基于精加工的深的开口部51a～51e。对于与加工预定线31a～31e正交的加工预定线，也实施同样的工序，由此，形成多个深的开口部。根据本实施方式，使用两个主轴46、47来连续地实施粗加工的磨削工序与精加工的磨削工序。在一条加工预定线中进行磨削砂轮48的粗加工后，紧跟着进行磨削砂轮49的精加工。由此，能够使用双主轴结构的磨削机构来效率良好地进行高精度的磨削工序。因此，能够提高切断装置44中的磨削生产性，从而能够提高磨削品质。〔实施方式5〕(电子零件的制造方法)参照图10(a)至图10(e)，对实施方式5中的电子零件(pop型半导体装置)的制造方法进行说明。首先，如图10(a)所示，在基板53上，在由正交的加工预定线54围成的多个区域55中，经由凸块56而分别安装半导体芯片57。接下来，在各个半导体芯片57的周围，多重地配置成为连接用电极的多个焊球58。在此情况下，在半导体芯片57的周围，四重地配置多个焊球58。接下来，在基板53的背面侧，配置成为外部电极的多个焊球59。接下来，如图10(b)所示，以覆盖多个半导体芯片57和多个焊球58的方式形成密封树脂60。通过至此为止的工序，制作已密封基板61。接下来，例如，在切断装置1的切断平台4(参照图1)上载置已密封基板61。通过作为切断装置1的磨削机构的主轴8(参照图1)上安装的磨削砂轮10来磨削已密封基板61。沿着对已密封基板61设定的加工预定线54来磨削已密封基板61。在此情况下，对已密封基板61进行磨削，直至配置于基板53的焊球58的上部露出为止。其结果，在已密封基板61上，形成使焊球58的上部露出的开口部62。本实施方式中，在半导体芯片57的周围，四重地配置多个焊球58。通过磨削砂轮10来统一磨削四重地配置的焊球58上的密封树脂60，使多个焊球58的上部全部露出。由此，即使在多个焊球58以狭窄的间距配置的情况下，也能够使焊球58与焊球58之间的密封树脂60保持其状态而残留。因此，能够抑制相邻的焊球58彼此短路的情况。接下来，如图10(d)所示，将作为切断装置1的切断机构的主轴9(参照图1)上安装的旋转刀11，配置于已密封基板61的加工预定线54上。沿着对已密封基板61设定的加工预定线54，通过旋转刀11来切断密封树脂60的剩余部分及基板53。其结果，在已密封基板61上形成切断槽63。沿着对已密封基板61设定的所有加工预定线54来切断已密封基板61。通过至此为止的工序，制造构成pop型半导体装置的多个下部封装64。图10(c)至图10(d)的工序是由切断装置1来执行。接下来，如图10(e)所示，将配置于下部封装64的连接用焊球58与配置于上部封装65的连接用焊球66予以连接，由此，pop型半导体装置67完成。上部封装65是在基板68上经由凸块69来安装半导体芯片70，半导体芯片70被密封树脂71覆盖。根据本实施方式，通过磨削砂轮10来使配置在半导体芯片57周围的四重焊球58的上部统一露出。因此，即使在多个焊球58以狭窄的间距配置的情况下，也能够抑制相邻的焊球58彼此短路的情况。由此，能够将多个焊球58以窄间距而多重地配置，从而能缩小下部封装64的面积。各实施方式中，对使用已密封基板来作为工件的情况进行说明。作为已密封基板，使用球栅阵列(ballgridarray，bga)已密封基板、焊盘栅阵列(landgridarray，lga)已密封基板、芯片级封装(chipscalepackage，csp)已密封基板等。进而，对于晶片级封装(waferlevelpackage)也能够适用本发明。如上所述，所述实施方式的加工装置采用了下述结构，即，一种加工装置，其对工件进行加工，所述加工装置包括：平台，载置工件；磨削机构，对工件进行磨削；以及测定机构，对工件的工件厚度方向上的至少工件的一部分的位置进行测定，磨削机构具有磨削砂轮，基于由测定机构所测定出的测定值，来控制磨削砂轮在工件厚度方向上的位置。根据此结构，通过测定机构来测定工件的工件厚度方向上的位置，以求出工件的磨削量。通过求出工件的磨削量，能够对磨削砂轮在工件的工件厚度方向上的位置进行控制。因此，能够抑制工件磨削量的不均。进而，所述实施方式的加工装置中，采用了下述结构，即，测定机构包括至少对工件的高度位置进行测定的位移传感器。根据此结构，能够通过位移传感器来测定工件的高度位置。通过测定工件的高度位置，能够求出工件的磨削量。进而，所述实施方式的加工装置中，采用了下述结构，即，测定机构还包括对工件进行检查的检查机构。根据此结构，能够通过检查机构来检查工件的磨削状态。因此，能够确认工件是否受到正常磨削。进而，所述实施方式的加工装置中，采用了下述结构，即，磨削机构还包括进行粗加工的第1磨削机构和进行精加工的第2磨削机构。根据此结构，通过第1磨削机构来对工件进行粗加工，通过第2磨削机构来进行工件的精加工。因此，能够更精密地磨削工件，从而能够提高磨削品质。进而，所述实施方式的加工装置采用了下述结构，即，还包括切断工件的切断机构。根据此结构，在加工装置中，能够利用同一装置来进行工件的磨削与工件的切断。因此，能够提高加工装置的生产性。进而，所述实施方式的加工装置中，采用了下述结构，即，磨削机构及切断机构设在磨削/切断模块中。根据此结构，能够在磨削/切断模块中进行工件的磨削与工件的切断。由于能够在同一模块中进行磨削与切断，因此抑制加工装置的面积增大。进而，所述实施方式的加工装置中，采用了下述结构，即，磨削机构设在磨削模块中，切断机构设在切断模块中。根据此结构，在加工装置中，利用磨削模块来进行工件的磨削，利用切断模块来进行工件的切断。由此，能够在磨削模块中进行粗加工与精加工。因此，能够更精密地磨削工件。所述实施方式的加工方法是对工件进行加工的加工方法，所述工件具有基板、安装于基板的多个半导体元件、配置在半导体元件周围的多个突起状电极、以及至少覆盖多个半导体元件及多个突起状电极的密封树脂，所述加工方法包括：设定工序，在基板上设定加工预定线；测定工序，通过测定机构，对工件的工件厚度方向上的至少工件的一部分的位置进行测定；磨削工序，通过磨削砂轮来磨削工件；以及控制工序，基于由测定机构所测定的测定值，对磨削砂轮在工件厚度方向上的位置进行控制。根据此方法，能够通过测定机构来测定工件的工件厚度方向上的位置，从而求出工件的磨削量。通过求出工件的磨削量，能够对磨削砂轮在工件的工件厚度方向上的位置进行控制。因此，能够抑制工件磨削量的不均。进而，所述实施方式的加工方法中，在控制工序中，对磨削砂轮的位置进行控制，以通过磨削砂轮沿着加工预定线来磨削密封树脂的一部分，从而使多个突起状电极的上部露出。根据此方法，通过磨削砂轮沿着加工预定线来磨削密封树脂的一部分。基于测定机构的测定值来控制磨削砂轮的位置以磨削密封树脂，因此能够使突起状电极的上部稳定地露出。进而，所述实施方式的加工方法中，磨削工序包括进行粗磨削的第1磨削工序和进行精密磨削的第2磨削工序。根据此方法，在第1磨削工序中对工件进行粗加工，在第2磨削工序中进行工件的精加工。因此，能够更精密地磨削工件，从而能够提高磨削品质。进而，所述实施方式的加工方法中，在磨削工序中，当沿着一条加工预定线进行第1磨削工序后，沿着其他加工预定线进行第1磨削工序时，沿着一条加工预定线来进行第2磨削工序。根据此方法，在沿着一条加工预定线进行第1磨削工序之后，紧接着进行第2磨削工序。由于是连续地进行工件的粗加工与精加工，因此能够进一步提高工件的磨削效率。进而，所述实施方式的加工方法中，在测定工序中，通过位移传感器来测定工件的高度位置。根据此方法，通过位移传感器来测定工件的高度位置。通过测定工件的高度位置，从而能够求出工件的磨削量。进而，所述实施方式的加工方法中，测定工序包括对磨削前的工件的高度位置进行测定的第1测定工序和对磨削后的工件的高度位置进行测定的第2测定工序，通过对在第1测定工序及第2测定工序中分别测定出的工件的高度位置进行比较，从而求出工件的磨削量。根据此方法，在第1测定工序中测定磨削前的工件的高度位置，在第2测定工序中测定磨削后的工件的高度位置。通过对磨削前的工件的高度位置与磨削后的工件的高度位置进行比较，从而能够求出工件的磨削量。进而，所述实施方式的加工方法包括切断工序，所述切断工序是沿着加工预定线，通过旋转刀来切断密封树脂的剩余部分与基板。根据此方法，在对工件进行磨削后，紧接着进行工件的切断。能够利用同一装置来连续地进行磨削与切断。因此，能够提高工件的加工生产性。进而，所述实施方式的加工方法中，在切断工序中，当沿着一条加工预定线进行磨削工序后，沿着其他加工预定线来进行磨削工序时，沿着一条加工预定线进行切断工序。根据此方法，在沿着一条加工预定线进行磨削工序后，紧接着进行切断工序。由于是连续地进行工件的磨削与切断，因此能够进一步提高工件的加工生产性。进而，所述实施方式的加工方法中，多个突起状电极一重或多重地包围半导体元件的周围。根据此方法，使多重地包围半导体元件周围的多个突起状电极的上部统一露出。因此，即使在多个突起状电极以狭窄的间距配置的情况下，也能够抑制相邻的突起状电极彼此短路。本发明并不限定于所述的各实施方式，在不脱离本发明主旨的范围内，能够根据需要来任意且适当地组合、变更或选择采用。当前第1页12当前第1页12