铜及钼含有膜的蚀刻液组合物的制作方法

本发明涉及一种铜钼膜或铜钼含有膜(以下简称为“铜/钼含有膜”)的蚀刻液组合物，尤其是用于tft-lcd显示器电极的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物。

背景技术：

半导体装置、tft-lcd、oled等微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上，均匀地涂抹光刻胶，然后通过刻有图案的薄膜，进行光照射后成像，使所需的图案光刻胶成像，采用干式蚀刻或湿式蚀刻，在光刻胶下部的金属膜或绝缘膜上显示图案后，剥离去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成的。

大型显示器的栅极及数据金属配线所使用的铜合金，与以往技术中的铝铬配线相比，阻抗低且没有环境问题。铜存在与玻璃基板及绝缘膜的贴附性较低，易扩散为氧化硅膜等问题，所以通常使用钛、钼等作为下部薄膜金属。

薄膜金属为钼或钼合金时，其蚀刻速度与铜的蚀刻速度相比更快，在蚀刻工程中在铜、钼或钼合金膜的分界上，会发生钼或钼合金被过度蚀刻导致侧蚀的现象。尤其是钼含量较高的合金，蚀刻速度非常快，侧蚀现象严重。添加侧蚀抑制剂时可以控制这种现象的发生。

同时蚀刻铜膜及钼含有膜时，作为可使用的蚀刻液组合物的相关技术，在韩国专利公开公报第2006-0064881号、专利公开公报第2006-0099089号等中公开了以过氧化氢为基础的铜/钼含有膜的蚀刻液。但是，这些蚀刻液在反复进行蚀刻时，该蚀刻液内的金属含量增加，会失去蚀刻锥角、蚀刻偏差及蚀刻直线度等石刻特性，若要降低蚀刻液中的金属含量，则需要很大量的蚀刻液，这是现有技术的问题。

进一步，显示器的高画质及大型化促使用于配线的铜金属的厚度有所增加，追求高画质就要求像素变小，配线幅度增加，要求大型化就需要减小配线的电阻。对此，不得不增加用于配线的铜金属的厚度。

铜金属的厚度变厚，蚀刻工程的时间就会变长，会降低生产效率，若要提高蚀刻速度，会导致配线段不良，也会发生问题。

先行技术文献

专利文献

(专利文献1)专利公开第2006-0064881号(2006年6月14日公开)

(专利文献2)专利公开第2006-0099089号(2006年9月19日公开)

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种蚀刻铜及钼含有膜时，控制钼或钼合金膜的侧蚀，实现稳定的蚀刻工程，并可改善蚀刻锥角、蚀刻偏差和蚀刻直线度等蚀刻特性的蚀刻液组合物。

依据本发明实施方式的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，相对于组合物的总重量，含有10至30重量％的过氧化氢；含有0.1至5重量％的蚀刻抑制剂，其选自分子内含有氧、硫及氮中至少一个以上的杂原子的单环式杂环化合物，具有所述单环式杂环和苯环缩合结构的复素环化合物及其混合物所构成的群；含有0.1至5重量％的螯合剂；含有0.1至5重量％的蚀刻添加剂，其为一种以上选自由无机酸、有机酸及其盐构成群的化合物；含有0.01至2重量％的氟化物；含有0.01至2重量％的侧蚀抑制剂，其包括在嘧啶和咪唑的缩合结构内，含有由氨基、羟基、羰基及甲基构成的群中的1个以上作用基的化合物；以及使组合物总重量达到100重量％的水。

在上述蚀刻液有组合物中，所述抑制剂选自由呋喃、噻吩、吡咯、恶唑、咪唑、吡唑、1,2,4-三氮唑、四唑、5-氨基四唑、甲基四唑、哌嗪、甲基哌嗪、羟乙基哌嗪、吡咯烷及四氧嘧啶、氧茚、苯并噻吩、吲哚、苯并咪唑、苯并吡唑、氨基四唑、甲基苯并三唑、氢甲基苯并三唑、羟甲基苯并三唑及其混合物所构成的群。

所述螯合剂是在分子内与氨基一起，含有羧酸基或磷酸基的化合物。

所述螯合剂选自由亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、氨基三亚甲基膦酸、1-羟基亚乙基-1,1-二磷酸、乙二胺四甲撑磷酸、二亚乙基三胺五亚甲基磷酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸及甘氨酸及其混合物构成的群。

所述添加剂选自由含有硫酸、硝酸、磷酸、盐酸及氢氟酸的无机酸，含有醋酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、甘氨酸、琥珀酸的有机酸，以及其盐和其混合物所构成的群。

所述蚀刻添加剂选自由硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸钠、过硫酸钠、硫酸钾、过硫酸钾、硫酸铵、过硫酸铵及其混合物构成的群中的硫酸盐。

所述氟化物是离解出f^-或hf2^-的化合物。

所述氟化物选自由hf、氟化钠、氟化钾、氟化铝、硼氟酸、氟化铵、氟化氢铵、氟化氢钠、氟氢化钾及氟硼酸铵及其混合物所构成的群。

所述侧蚀抑制剂是选自由腺嘌呤、鸟嘌呤、次黄嘌呤、黄嘌呤、可可碱、咖啡因、异鸟嘌呤、尿酸及其混合物构成的群中的嘌呤碱。

所述侧蚀抑制剂为腺嘌呤、鸟嘌呤、异鸟嘌呤及其混合物。

所述水是电阻率为18mω/cm以上的脱离子水。

还包括添加剂，所述添加剂选自由双氧水稳定剂、蚀刻稳定剂、玻璃蚀刻抑制剂及其混合物所构成的群。

其他有关本发明的实施方式在如下具体实施方式中进行详细说明。

本发明的有益效果是：依据本发明的蚀刻液组合物，对用于tft-lcd显示器电极的铜/钼含有膜进行蚀刻时，可控制钼含有膜的侧蚀，实现稳定的蚀刻工程，从而改善蚀刻锥角、蚀刻偏差和蚀刻直线度等蚀刻特性。

附图说明

图1是利用本发明实施方式1的蚀刻液组合物，对铜/钼膜进行蚀刻后，使用扫描电子显微镜观察到的试片剖面的照片；

图2是利用本发明比较例1的蚀刻液组合物，对铜/钼膜进行蚀刻后，使用扫描电子显微镜观察到的试片剖面的照片；

图3是利用本发明实施方式1的蚀刻液组合物，对铜/钼膜进行蚀刻后，使用倾斜扫描电子显微镜观察到的试片剖面的照片；

图4是利用本发明比较例3的蚀刻液组合物，对铜/钼膜进行蚀刻后，使用倾斜扫描电子显微镜观察到的试片剖面的照片。

具体实施方式

本发明可有多种形式的实施方式来体现，本说明书中的实施方式仅为用于详细说明本发明的特征，本发明并不局限于此，但凡在本发明的技术思想和精神原则范围内所作的变更、替换、变形等均属于本发明的保护范畴之内。在本发明的说明中，对于公知技术，为了防止其说明混肴本发明的核心技术特征，不做详细说明。

依据本发明实施方式的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，相对于组合物的总重量，含有10至30重量％的过氧化氢；含有0.1至5重量％的蚀刻抑制剂，其选自分子内含有氧、硫及氮中至少一个以上的杂原子的单环式杂环化合物，具有所述单环式杂环和苯环缩合结构的复素环化合物及其混合物所构成的群；含有0.1至5重量％的螯合剂；含有0.1至5重量％的蚀刻添加剂，其为一种以上选自由无机酸、有机酸及其盐构成群的化合物；含有0.01至2重量％的氟化物；含有0.01至2重量％的侧蚀抑制剂，其包括在嘧啶和咪唑的缩合结构内，含有由氨基、羟基、羰基及甲基构成的群中的1个以上作用基的化合物；以及使组合物总重量达到100重量％的水。

以下，详细说明本发明实施方式的铜/钼含有膜的蚀刻液组合物。

本发明的蚀刻液组合物可同时蚀刻铜/钼含有膜。这里的“铜/钼合金膜”是指铜膜和钼合金膜，钼合金是钼和多种金属的合金，优选为与钛、钽、铬、钕、镍、铟或锡的合金，更优选为与钛的合金。

依据本发明实施方式的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，相对于组合物的总重量，含有a)10至30重量％的过氧化氢；含有b)0.1至5重量％的蚀刻抑制剂；含有c)0.1至5重量％的螯合剂；含有d)0.1至5重量％的蚀刻添加剂；含有e)0.01至2重量％的氟化物；含有f)0.01至2重量％的侧蚀抑制剂；以及g)使组合物总重量达到100重量％的水。

a)过氧化氢

在本发明的蚀刻液组合物中，过氧化氢作为铜、钼或钼合金的主要氧化剂来使用。

上述过氧化氢，相对于蚀刻液组合物总重量，其含量可为15至30重量％。不足10重量％时，对铜钼合金的氧化不够充分，无法实现蚀刻；超出30重量％时，蚀刻速度过快，难以控制工程的进度。适当的蚀刻速度可以防止蚀刻残渣及蚀刻不良，减少蚀刻偏差，易于调节工程，对此优选为过氧化氢的含量为15至25重量％。

b)蚀刻抑制剂

在本发明的蚀刻液组合物中，蚀刻抑制剂可调节铜、钼或钼合金蚀刻速度，减少蚀刻偏差，提高工程效率，具有适当蚀刻锥角的蚀刻轮廓。

具体来说，上述蚀刻抑制剂可为在分子内含有氧、硫及氮中至少一个以上的杂原子的单环式杂原子化合物，也可为单环式杂原子和苯环缩合结构的复合化合物。上述单环式杂原子化合物可为碳为1至10的单环式结构的杂环芳香族化合物，也可为杂环脂肪族化合物。具体来说，可为呋喃、噻吩、吡咯、恶唑、咪唑、吡唑、1,2,4-三氮唑、四唑、氧茚等杂环芳香族化合物；哌嗪、甲基哌嗪、羟乙基哌嗪、吡咯烷及四氧嘧啶等杂环脂肪族化合物；并不局限于此。此外，在分子内含有氧、硫及氮中至少一个以上的杂原子的单环式杂原子和苯环缩合结构的复合化合物可为哌嗪、甲基哌嗪、羟乙基哌嗪、吡咯烷及四氧嘧啶等，并不局限于此。也可单独使用上述化合物中一种或及混合使用两种以上的上述化合物。

上述蚀刻抑制剂相对于蚀刻液组合物的总重量，其含量为0.1至5重量％，优选为0.1至2重量％。蚀刻抑制剂不足0.1重量％时，难以调节蚀刻速度，能降低蚀刻锥角的调节，致使工程效率较低，无法实现量产；若超出5重量％，会减慢蚀刻速度，无效率性。

c)螯合剂

本发明的蚀刻液组合物中的螯合剂与在蚀刻过程中产生铜及钼合金离子形成螯合，并使其非活性化，从而抑制蚀刻液中过氧化氢的分解反应。若本发明的蚀刻液组合物中不添加螯合剂，那么在蚀刻进行过程中，被酸化的金属离子无法实现非活性化，其可促进蚀刻液组合物中的过氧化氢进行分解反应，可导致发热及爆炸。

螯合剂是在分子内与氨基一起，含有羧酸基或磷酸基的化合物。可为亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、氨基三亚甲基膦酸、1-羟基亚乙基-1,1-二磷酸、乙二胺四甲撑磷酸、二亚乙基三胺五亚甲基磷酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸及甘氨酸等，可为其中一种，也可以是混合使用其中两种以上的化合物。

相对于整体组合物的总重量，优选为其含量为0.1至5重量％，更优选为0.1至3重量％。若不足0.1重量％时，可进行非活性化的金属离子量很少，从而使其抑制过氧化氢进行分解反应的效能减弱；若超出5重量％时，会形成多余的螯合，使金属离子非活性化的效果不佳，影响工程效率。

e)蚀刻添加剂

蚀刻添加剂起到辅助氧化铜、钼及钼合金的作用，可改善蚀刻轮廓。所述蚀刻添加剂可为无机酸、有机酸或其盐，可为一种，也可混合使用两种以上。

具体来说，无机酸为硫酸、硝酸、磷酸、盐酸及氢氟酸；有机酸为醋酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、甘氨酸、琥珀酸；上述的盐是指上述有机酸和无机酸的盐。

尤其是，硫酸盐为硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸钠、硫酸钾、硫酸铵等。

上述蚀刻添加剂的含量相对于蚀刻液组合物总量为0.1至5重量％，优选为0.1至3重量％，不足0.1重量％时，使用蚀刻液改善蚀刻轮廓的效果甚微；超出5重量％时，过量的蚀刻添加剂会导致蚀刻特性降低。

d)蚀刻添加剂

蚀刻添加剂起到辅助氧化铜、钼及钼合金的作用，可改善蚀刻轮廓。所述蚀刻添加剂可为无机酸、有机酸或其盐，可为一种，也可混合使用两种以上。

具体来说，无机酸为硫酸、硝酸、磷酸、盐酸及氢氟酸；有机酸为醋酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、甘氨酸、琥珀酸；上述的盐可为硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸钠、过硫酸钠、硫酸钾、过硫酸钾、硫酸铵、过硫酸铵。

其中优选为可有效改善蚀刻特性的硫酸氢钾。

上述蚀刻添加剂的含量相对于蚀刻液组合物总量为0.1至5重量％，优选为0.1至3重量％，不足0.1重量％时，使用蚀刻液改善蚀刻轮廓的效果甚微；超出5重量％时，过量的蚀刻添加剂会导致蚀刻特性降低。

e)氟化物

本发明的蚀刻液组合物中的氟化物在铜钼合金同时蚀刻时，可提高钼合金的蚀刻速度，减少尾巴长度，去除在蚀刻时所产生的钼合金残渣。钼合金的尾部若增加则会降低明暗度，残渣若余留在基板及下部膜上的话，则会导致电短路、配线不良及明暗度降低，所以一定要去除残渣。

本发明的氟化物是离解出f^-或hf2^-离子的化合物，可为hf、氟化钠、氟化钾、氟化铝、硼氟酸、氟化铵、氟化氢铵、氟化氢钠、氟氢化钾及氟硼酸铵等，也可以同时使用一种或两种以上的上述氟化物。

相对于整体组合物的总重量，氟化物优选为其含量为0.01至2重量％，更优选为0.01至1重量％。若不足0.01重量％时，钼合金的残渣不能有效去除，若超出2重量％时，会蚀刻下部膜。

f)侧蚀抑制剂

在同时蚀刻铜/钼含有膜时，为了控制钼或钼合金膜的侧蚀，通常减少蚀刻液组合物内氟化物的含量，或者增加蚀刻抑制剂的含量。但是，氟化物的含量较低时，会发生钼或钼合金的残渣。增加蚀刻抑制剂时，会明显降低铜的蚀刻速度，难于进行蚀刻工程。对此，使用嘌呤或其诱导体的侧蚀抑制剂，可防止钼或钼合金膜残渣的发生及铜蚀刻速度的减慢。

上述侧蚀抑制剂包括在嘧啶和咪唑的缩合结构内，含有由氨基、羟基、羰基及甲基构成的群中的1个以上作用基的化合物；因其包括在嘧啶和咪唑的缩合结构内，含有由氨基、羟基、羰基及甲基构成的群中的1个以上作用基的化合物，对于钼或钼合金有卓越的吸附特性，其侧蚀抑制效果明显，可有效的改善蚀刻特性。

具体来说，上述侧蚀抑制剂是选自由腺嘌呤、鸟嘌呤、次黄嘌呤、黄嘌呤、可可碱、咖啡因、异鸟嘌呤、尿酸及其混合物构成的群中的嘌呤碱。侧蚀抑制剂也可为腺嘌呤、鸟嘌呤、异鸟嘌呤及其混合物。

相对于组合物的总重量，侧蚀抑制剂的含量为0.01至2重量％，优选为0.05至2重量％。当其重量不足0.01重量％时，其抑制效果甚微；超出2重量％时，钼或钼合金的蚀刻速度明显变慢，难于进行蚀刻工程。

g)水

本发明的蚀刻液组合物中所使用的水没有特别的限定，优选为使用去离子水，更优选为使用水中去除离子后的比阻抗值为18mω/cm以上的去离子水。

上述水的含量使蚀刻液组合物的总重量达到100重量％。

h)其他添加剂

在本发明的铜/钼含有膜的蚀刻液组合物中，为了提高蚀刻性能，还可以选用用于蚀刻液组合物中的任意一种添加剂。该添加剂可为双氧水添加剂、蚀刻稳定剂、玻璃蚀刻抑制剂等。可为其中一种或两种以上混合使用。

上述双氧水稳定剂是在蚀刻工程反复进行时，在蚀刻液内的金属离子含量增高的情况下，可控制过氧化氢分解反应。具体来说，双氧水稳定剂可使用磷酸盐、二羟基醇类、胺类或其混合物。

蚀刻液组合物中包括双氧水稳定剂时，相对于组合物的总重量，其含量为0.1至5重量％，优选为0.5至3重量％。双氧水稳定剂不足0.1重量％时，控制过氧化氢反应的效果甚微，超出5重量％时，蚀刻性能降低。

具有上述构成的本发明的蚀刻液组合物在蚀刻铜/钼含有膜时，可防止钼含有膜的侧蚀发生，实现稳定的蚀刻工程，并可改善蚀刻偏差、蚀刻锥角及蚀刻直线度等蚀刻特性。因此，可将上述蚀刻液组合物用于构成液晶显示器tft的电极用金属配线材料上，使用铜/钼含有膜时，可使用蚀刻液组合物来形成金属片配线图案。

利用上蚀刻液组合物的铜/钼含有膜的蚀刻方法可按照通常的方法进行。

具体来说，包括：在基板上沉积铜/钼含有膜的步骤；在铜/钼含有膜上形成光阻材料后进行图案化的步骤；使用上述蚀刻液组合物，对形成图案化光阻材料膜的铜/钼含有膜进行蚀刻的步骤。在此，在基板上形成的铜/钼含有膜的叠层顺序不受特别限定。

此外，上述蚀刻方法还包括在基板和铜/钼含有膜之间，即基板和铜膜之间或基板和钼含有膜之间，形成半导体结构物的步骤。上述半导体结构物可为液晶显示装置、等离子显示面板等显示装置用半导体结构物。具体来说，上述半导体结构物是导电膜、非晶质或多晶质等膜中一层以上的膜，该半导体结构物依照通常的方法来制造。

接下来，详细说明本发明所属技术领域的技术人员易于实施的本发明的实施方式，本发明可以以多种形态实施，并不局限于本文的实施方式。

<实施例1至6及对比例1至3>

以下列表1所记载的成分含量，混合各成分，制成本发明实施例1至6及对比例1至3的组合物。

【表1】

在上述表1中，atz：5-氨基四唑(5-aminotetrazole)，ida：亚氨基二乙酸(iminodiaceticacid)，及phs:硫酸氢钠(potassiumhydrogensulfate)，各成分的含量单位为重量份。

〈试验例：蚀刻性能测试〉

为了评价本发明蚀刻液的效果，在玻璃基板上分别沉积厚度为的铜膜和钼合金膜，然后进行光刻工程，形成图案，制成试片。利用实施例1至6及对比例1至3的蚀刻液组合物及对比例的蚀刻液组合物，在可喷涂的装置(mini-etcherme-001)上进行蚀刻，在32摄氏度下维持120秒。

蚀刻后测定蚀刻结束点，针对是否发生蚀刻偏差、蚀刻锥角或钼合金膜的侧蚀等，可利用扫描电子显微镜(日立集团制造，s-4800)对前述铜钼合金膜的蚀刻特征的蚀刻进行观察。其结果如表2所示。

【表2】

如表2所示，对本发明实施例1至6和对比例1至3的蚀刻液组合物进行比较，可见其在蚀刻锥角、蚀刻偏差和蚀刻直线度上均具有良好的结果。

此外，为了观察是否存在侧蚀，利用实施例1和对比例1的蚀刻液组合物，使用扫描电子显微镜对蚀刻的铜/钼含有膜的试片剖面进行观察，其结果如图1及图2所示。

图1是利用本发明实施方式1的蚀刻液组合物，对铜/钼膜进行蚀刻后，使用扫描电子显微镜观察到的试片剖面的照片；图2是利用本发明比较例1的蚀刻液组合物，对铜/钼膜进行蚀刻后，使用扫描电子显微镜观察到的试片剖面的照片。

如图1所示，利用实施例1的蚀刻液组合物进行蚀刻的结果，未观察到钼侧蚀。但是利用对比例1的蚀刻液组合物，如图2所示，在铜膜下部，钼向内陷入，发生了严重的侧蚀。

此外，为了确认是否发生钼残渣，利用实施例1及对比例3的蚀刻液组合物有，对铜/钼膜蚀刻后，使用倾斜扫描电子显微镜观察试片剖面，其结果分别如图3及图4所示

图3是利用本发明实施方式1的蚀刻液组合物，对铜/钼膜进行蚀刻后，使用倾斜扫描电子显微镜观察到的试片剖面的照片；图4是利用本发明比较例3的蚀刻液组合物，对铜/钼膜进行蚀刻后，使用倾斜扫描电子显微镜观察到的试片剖面的照片。

如图3所示，利用实施例1的蚀刻液组合物时，没有出现钼残渣，使用对比例3的蚀刻液组合物时，如图4所示观察到钼残渣。

有上述试验结果可知，利用本发明的蚀刻液组合物对铜/钼含有膜同时蚀刻时，可抑制钼含有膜的侧蚀，可实现稳定的蚀刻工程，并可改善蚀刻锥度、蚀刻偏差及蚀刻直线度等蚀刻特性。

以上通过实施方式对本发明的特征进行了详细说明，本技术领域的技术人员须知，上述实施方式仅为说明本发明，本发明的技术并不局限于实施方式。本发明的保护范围限定在本发明的权利范围内。

本申请还包括以下实施方案。

1.一种铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物的总重量，含有10至30重量％的过氧化氢；含有0.1至5重量％的蚀刻抑制剂，其选自分子内含有氧、硫及氮中至少一个以上的杂原子的单环式杂环化合物，具有所述单环式杂环和苯环缩合结构的复素环化合物及其混合物所构成的群；含有0.1至5重量％的螯合剂；含有0.1至5重量％的蚀刻添加剂，其为一种以上选自由无机酸、有机酸及其盐构成群的化合物；含有0.01至2重量％的氟化物；含有0.01至2重量％的侧蚀抑制剂，其包括在嘧啶和咪唑的缩合结构内，含有由氨基、羟基、羰基及甲基构成的群中的1个以上作用基的化合物；以及使组合物总重量达到100重量％的水。

2.根据项1所述的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述抑制剂选自由呋喃、噻吩、吡咯、恶唑、咪唑、吡唑、1,2,4-三氮唑、四唑、5-氨基四唑、甲基四唑、哌嗪、甲基哌嗪、羟乙基哌嗪、吡咯烷及四氧嘧啶、氧茚、苯并噻吩、吲哚、苯并咪唑、苯并吡唑、氨基四唑、甲基苯并三唑、氢甲基苯并三唑、羟甲基苯并三唑及其混合物所构成的群。

3.根据项1所述的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述螯合剂是在分子内与氨基一起，含有羧酸基或磷酸基的化合物。

4.根据项1所述的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述螯合剂选自由亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、氨基三亚甲基膦酸、1-羟基亚乙基-1,1-二磷酸、乙二胺四甲撑磷酸、二亚乙基三胺五亚甲基磷酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸及甘氨酸及其混合物构成的群。

5.根据项1所述的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述添加剂选自由含有硫酸、硝酸、磷酸、盐酸及氢氟酸的无机酸，含有醋酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、甘氨酸、琥珀酸的有机酸，以及其盐和其混合物所构成的群。

6.根据项1所述的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻添加剂选自由硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸钠、过硫酸钠、硫酸钾、过硫酸钾、硫酸铵、过硫酸铵及其混合物构成的群中的硫酸盐。

7.根据项1所述的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述氟化物是离解出f^-或hf2^-的化合物。

8.根据项1所述的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述氟化物选自由hf、氟化钠、氟化钾、氟化铝、硼氟酸、氟化铵、氟化氢铵、氟化氢钠、氟氢化钾及氟硼酸铵及其混合物所构成的群。

9.根据项1所述的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述侧蚀抑制剂是选自由腺嘌呤、鸟嘌呤、次黄嘌呤、黄嘌呤、可可碱、咖啡因、异鸟嘌呤、尿酸及其混合物构成的群中的嘌呤碱。

10.根据项1所述的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述侧蚀抑制剂为腺嘌呤、鸟嘌呤、异鸟嘌呤及其混合物。

11.根据项1所述的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述水是电阻率为18mω/cm以上的脱离子水。

12.根据项1所述的铜及钼含有膜的蚀刻液组合物，其特征在于，还包括添加剂，所述添加剂选自由双氧水稳定剂、蚀刻稳定剂、玻璃蚀刻抑制剂及其混合物所构成的群。