一种掩膜板及蒸镀装置的制作方法

本发明涉及显示设备技术领域，特别涉及一种掩膜板及蒸镀装置。

背景技术

有机发光二极管(oled)有机蒸镀显示技术，是将玻璃基板放置到真空腔室内，其中玻璃基板包括阳极，经过真空腔室，高温蒸镀有机材料，在基板表面依次形成发光层和阴极，阴阳极作用，使发光层发光。其中发光层包括：电子注入层、电子传输层、电致发光层、空穴传输层、空穴注入层等。其中，发光层是在真空腔室内通过高温蒸镀沉淀在玻璃基板上。不同颜色的子像素，发光层材料不同，所以需要在不同的蒸镀腔室内分别蒸镀，且蒸镀在不同的像素位置，其中起限位功能的治具就是高精度金属掩膜版(fmm)。金属掩膜版包含有效像素开孔，从而发光层蒸镀材料通过金属掩膜版开口蒸镀到对应背板玻璃的子像素位置处。不同的位置开孔，形成不同颜色的子像素。在基板对应阳极位置的驱动下，发光层发光。

目前，随着显示产品的分辨率不断提高，子像素的尺寸不断缩小，子像素的排布结构变密，相同像素的距离缩小，同时，对于app小尺寸及异型产品的出现，例如手表、手环等，要求在同一金属掩膜版上排列的产品数量增多。对于高精度金属掩膜版，由于是通过拉伸焊接的工艺制作，且材料特性限制，都使得金属掩膜版的开孔位置精度确保难度加大。影响产品的生产良率。

例如，如图1所示，金属掩膜板包括框架01和金属掩膜条02，金属掩膜条02上设置有用于蒸镀的有效开口区。金属掩膜条02焊接于框架上呈下垂状，如图2所示。蒸镀时，玻璃基板放置于金属掩膜板表面，由于金属掩膜条02在边缘区域是倾斜的，所以玻璃背板与金属掩膜条02贴合时，无法紧密贴合，存在间隙，蒸镀后子像素位置偏移，像素轮廓不清晰，会发生混色不良，造成产品良率下降。

技术实现要素：

本发明提供了一种掩膜板及蒸镀装置，上述掩膜板能够使子像素位置精度高，像素轮廓清晰，不会发生混色不良。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种掩膜板，包括具有开口的框架以及覆盖所述开口且拉伸固定于所述框架第一侧面的掩膜板本体，其中，

所述框架围成所述开口的内侧面与所述第一侧面之间通过沿所述第一侧面朝向所述开口逐渐倾斜的斜面连接；

所述掩膜板本体与所述开口相对的表面形成有凹陷区域。

上述掩膜板中，由于框架围成开口的内侧面与第一侧面之间通过沿第一侧面朝向开口逐渐倾斜的斜面连接，即框架的第一侧面与内侧面之间设置有斜面，可以在蒸镀时使玻璃基板从上面压合到掩膜板本体表面时，在框架开口边缘处平缓贴合；并且由于掩膜板本体与开口相对的表面形成有凹陷区域，可以使掩膜板本体在开口对应区域的厚度减小，进而掩膜板本体自身强度降低，能够使掩膜板本体与玻璃基板的贴合更加平整；进而，使得掩膜板本体与玻璃基板贴合紧密，在蒸镀子像素时，使得子像素位置精度高，像素轮廓清晰，不会发生混色不良。

优选地，所述斜面与所述第一侧面的延长面之间的夹角大于0度且小于等于20度。

优选地，所述掩膜板本体包括覆盖所述开口且拉伸固定于所述第一侧面的遮挡掩膜板以及位于所述遮挡掩膜板背离所述框架一侧且拉伸固定于所述第一侧面的多条金属掩膜条，所述遮挡掩膜板上形成有与玻璃基板待蒸镀区域对应的多个蒸镀开口，所述金属掩膜条上形成有内部具有与蒸镀图案对应的图形的有效开口区。

优选地，每个所述有效开口区在所述遮挡掩膜板上的投影至少覆盖一个所述蒸镀开口。

优选地，所述有效开口区的形状为沿所述金属掩膜条拉伸方向的长方形或者正方形，所述蒸镀开口的形状为圆形。

优选地，所述遮挡掩膜板与所述开口相对的表面上形成有所述凹陷区域。

优选地，所述凹陷区域的深度为所述遮挡掩膜板厚度的1/2至2/3。

优选地，所述凹陷区域距所述框架内侧面的距离为1mm。

优选地，所述框架、所述遮挡掩膜板以及所述金属掩膜条的材料相同。

本发明还提供一种蒸镀装置，包括上述技术方案中提供的任意一种掩膜板。

附图说明

图1为现有技术中金属掩膜板的结构示意图；

图2为现有技术中金属掩膜条的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；

图4为本发明实施例中提供的一种掩膜板的使用状态示意图；

图5为本发明实施例提供的一种遮挡掩膜板的结构示意图；

图6为本发明实施例中提供的一种金属掩膜条的结构示意图。

图标：

01-框架；02-金属掩膜条；021-有效开口区；

1-框架；11-斜面；2-遮挡掩膜板；21-蒸镀开口；22-凹陷区域；3-金属掩膜条；31-有效开口区；4-玻璃基板。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图3和图4，本发明提供一种掩膜板，包括具有开口的框架1以及覆盖开口且拉伸固定于框架1第一侧面的掩膜板本体，其中，

框架1围成开口的内侧面与第一侧面之间通过沿第一侧面朝向开口逐渐倾斜的斜面11连接；

掩膜板本体与开口相对的表面形成有凹陷区域22。

上述发明实施例提供的掩膜板中，由于框架1围成开口的内侧面与第一侧面之间通过沿第一侧面朝向开口逐渐倾斜的斜面11连接，即框架1的第一侧面与内侧面之间设置有斜面11，可以在蒸镀时使玻璃基板4从上面压合到掩膜板本体表面时，在框架1开口边缘处平缓贴合；并且由于掩膜板本体与开口相对的表面形成有凹陷区域22，可以使掩膜板本体在开口对应区域的厚度减小，进而掩膜板本体自身强度降低，能够使掩膜板本体与玻璃基板4的贴合更加平整；进而，使得掩膜板本体与玻璃基板4贴合紧密，在蒸镀子像素时，使得子像素位置精度高，像素轮廓清晰，不会发生混色不良。

上述发明实施例中，斜面11与第一侧面的延长面之间的夹角优选大于0度且小于等于20度，能够使玻璃基板4压合到掩膜板本体表面时在框架1开口边缘处平缓贴合。在实际应用中，斜面11与第一侧面的延长面之间的夹角角度根据实际情况而定，在这里不做限制。

上述发明实施例提供的掩膜板中，具体地，框架1的尺寸可以为800mm*900mm*(22～23)mm。而斜面11距第一侧面延长面的最大距离优选为0.2mm至0.4mm，斜面11距内侧面的最大距离优选为2mm至4mm。在应用中框架1的具体尺寸可以根据实际情况而定，在这里不做限制。

上述发明实施例中，如图3和图4所示，掩膜板本体具体包括覆盖开口且拉伸固定于第一侧面的遮挡掩膜板2以及位于遮挡掩膜板2背离框架1一侧且拉伸固定于第一侧面的多条金属掩膜条3；如图5和图6，遮挡掩膜板2上形成有与玻璃基板4待蒸镀区域对应的多个蒸镀开口21，金属掩膜条3上形成有内部具有与蒸镀图案对应的图形的有效开口区31。其中，位于金属掩膜条3下方的遮挡掩膜板2可以对金属掩膜条3起到支撑限位的作用，可以避免金属掩膜条3下垂导致有效开口区31形变，并且还可以使金属掩膜条3与玻璃背板紧密贴合。而遮挡掩膜板2上形成的多个蒸镀开口21可以在蒸镀时限制形成玻璃基板4上的蒸镀区域，在蒸镀时，遮挡掩膜板2上的蒸镀开口21与金属掩膜条3上有效开口区31内的图形配合形成玻璃背板上的蒸镀图案。所以，利用上述技术方案中的掩膜板本体蒸镀子像素时，能够使子像素位置精度高，像素轮廓清晰，不会发生混色不良。

上述发明实施例中，具体地，每个有效开口区31在遮挡掩膜板2上的投影至少覆盖一个蒸镀开口21。优选地，如图3所示，每个有效开口区31在遮挡掩膜板2上的投影可以覆盖多个蒸镀开口21，能够减少金属掩膜条3的有效开口区31的个数，结构简单，并且能够使子像素位置精度高，像素轮廓清晰，不会发生混色不良。

上述发明实施例中，如图6所示，有效开口区31的形状为沿金属掩膜条3拉伸方向的长方形或者正方形，能够避免拉伸焊接时有效开口区31形变，而可选地，蒸镀开口21的形状可以为圆形。在实际应用时，蒸镀开口21的形状根据预设的蒸镀区域的形状而定，例如手表或者手环的形状，在这里不做限制。

上述发明实施例，具体实施方案中，如图3所示，掩膜板本体的遮挡掩膜板2与开口相对的表面上形成有凹陷区域22。而凹陷区域22位于遮挡掩膜板2与开口相对的整个表面，使遮挡掩膜板2的整体厚度减小，进而使遮挡掩膜板2的自身强度降低，当玻璃基板4从上面压合到金属掩膜条3时，使金属掩膜条3与蒸镀玻璃的贴合更加平整。

上述发明实施例中，具体地，凹陷区域22的深度为遮挡掩膜板2厚度的1/2至2/3，能够更好的减少遮挡掩膜板2的自身强度。

上述发明实施例中，具体地，凹陷区域22距框架1内侧面的距离为1mm，使凹陷区域22均匀的形成在挡掩膜板与开口相对的整个表面，使遮挡掩膜板2的整体厚度减小，进而使遮挡掩膜板2的自身强度降低，使金属掩膜条3与蒸镀玻璃的贴合更加平整。

上述发明实施例中，掩膜板的制作过程具体可以包括：

首先，在框架1表面上拉伸焊接遮挡掩膜板2，遮挡掩膜板2的厚度为100μm至150μm，拉伸后下垂量为80μm至120μm；

然后，对遮挡掩膜板2与开口相对的表面进行半刻蚀形成凹陷区域22，半刻蚀的深度为遮挡掩膜板2厚度的1/2至2/3；

最后，将金属掩膜条3拉伸焊接于遮挡掩膜板2背离框架1的一侧，金属掩膜条3的厚度为20μm至40μm，拉伸后下垂量为150μm至250μm。

上述发明实施例中，优选地，框架1、遮挡掩膜板2以及金属掩膜条3的材料相同，便于对框架1、遮挡掩膜板2以及金属掩膜条3进行焊接连接。例如，框架1、遮挡掩膜板2以及金属掩膜条3的材料均为镍铁合金，或者其它金属材料，在这里不做限制。

本发明实施例还提供一种蒸镀装置，包括上述技术方案中提供的任意一种掩膜板。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。