1.一种大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，包括：
外部腔室，将内部维持真空状态；
内部腔室，形成于所述外部腔室内部，下面为开放的四角筒形状；
腔室盖，开闭所述内部腔室的开放的下面；
匣子，设置在所述腔室盖的上部而一起上下驱动，以水平状态平行地搭载多个大面积基板，而能够向所述内部腔室内部插入；
工艺气体喷射部，形成于所述内部腔室的一侧壁，向所述匣子上搭载的多个基板之间、所述内部腔室与最上端搭载基板之间及最下端搭载基板与所述腔室盖之间的空间喷射工艺气体并使其维持层流；
第1排气部，形成于所述内部腔室的侧壁中设置有所述工艺气体喷射部的相对的侧壁，并使得通过所述工艺气体喷射部喷射的工艺气体以维持层流的状态下排出至所述匣子末端；
盖子上下驱动部，安装在所述腔室盖的下侧，使得所述腔室盖由上下方向驱动。
2.根据权利要求1所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
所述工艺气体喷射部，包括：
工艺气体引入部，从形成于所述外部腔室的外部的工艺气体供应源向所述外部腔室内部供应工艺气体；
工艺气体扩散部，形成所述内部腔室的一侧壁而设置，将从所述工艺气体引入部引入的工艺气体向侧壁整体区域扩散；
缓冲空间形成部，设置在装载于所述工艺气体扩散部与所述匣子的基板之间，在装载于所述工艺气体扩散部和所述匣子的基板之间的空间形成一定的缓冲空间。
3.根据权利要求1所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
在所述内部腔室与外部腔室之间或所述工艺气体扩散部还形成有加热部件，
在所述外部腔室还形成有冷却部。
4.根据权利要求1所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
所述匣子包括：
多个基板搭载板，在所述腔室盖的上部使得多个基板具有层流间隔地支撑所述基板的下面并分隔一定间隔而设置；
多个支撑杆，在所述腔室盖的上面竖立设置，将所述多个基板搭载板以既定间隔进行固定，
并且，从所述腔室盖上面以基板供应部件进入间隔分隔的高度设置有所述基板搭载板。
5.根据权利要求4所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
在所述基板搭载板还形成有中央支撑部，其用于支撑在所述基板搭载板搭载的大面积基板的中央部分。
6.根据权利要求4所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
在所述基板搭载板上面还形成有与基板下面直接接触的多个基板支撑销。
7.根据权利要求4所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
在所述内部腔室与所述腔室盖之间还形成有用于密封所述内部腔室与腔室盖之间的密封部件。
8.根据权利要求1所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
所述第1排气部包括：
聚集排出部，与所述内部腔室的侧壁结合设置，将从所述内部腔室侧壁全区域排出的所述内部腔室内部的气体聚集并向外部排出；
排出泵部，设置在所述外部腔室的外部，将所述聚集排出部内部的气体向外部吸入排出；
粉末捕集器，设置在所述聚集排出部与所述排出泵部之间；
排气侧缓冲空间形成部，在所述聚集排出部和所述匣子上装载的基板之间形成一定的缓冲空间而延伸所述工艺气体的层流。
9.根据权利要求8所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
另外设置有形成所述外部腔室的真空的第2排气部，所述排出泵部同时控制所述第1,2排气部的排气。
10.根据权利要求9所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
还形成有压力平衡阀，将所述第1排气部与第2排气部之间连接而设置，并且，将所述外部腔室和内部腔室的压力相同地调节。
11.根据权利要求4所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
所述基板搭载板中的后端部延伸而形成排气侧缓冲空间形成部。
12.根据权利要求8所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
另外设置有形成所述外部腔室的真空的第2排气部，并且，在所述第2排气部另外设置有第2排出泵部。
13.根据权利要求1所述的大面积基板用水平型原子层层积装置，其特征在于，
还形成有水分去除部，由在所述外部腔室通过排管顺次设置的涡轮泵和干泵、设置在所述涡轮泵前端而控制所述排管的门阀及设置在所述门阀与涡轮泵之间的去除水分弯管构成，在进行工艺前后用于去除所述外部腔室及内部腔室内的水分。