本发明涉及抛光液领域，具体是一种4h碳化硅晶片的抛光方法。
背景技术：
：sic因其性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统和大功率的电子转换器及汽车马达等领域的极端环境中。另外，采用sic所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段，在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的应用前景。现有技术中，因4h碳化硅晶片硬度较高，多采用锡盘和铜盘等金属盘，受外界因素影响大，容易变形进而对盘面进行修整，而且常规的抛光方法中使用的抛光液也不够稳定，抛光中容易有划伤。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种4h碳化硅晶片的抛光方法，以解决上述
背景技术：
中提出的问题。为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种4h碳化硅晶片的抛光方法，包括以下步骤：1)将抛光布置于抛光槽底部，绷紧后将抛光布边缘固定；2)将抛光槽内倒入抛光液；3)将端面固定有4h碳化硅晶片的抛光盘垂直伸入到抛光槽中，4h碳化硅晶片和抛光布贴合；4)驱动抛光盘在保温条件下转动；5)抛光完成后使用去离子水冲洗晶片；6)采用氩气吹风干燥晶片；所述抛光液，包括以下重量份原料：磨料20-30份，助剂20-30份，螯合剂8-15份，去离子水50-70份。进一步的，所述步骤3)中抛光盘伸入抛光槽前，以200-500r/min的转速搅拌抛光液10-20min。进一步的，所述步骤4)中保温温度为10-30℃，抛光盘转动时间为1-2h。进一步的，述磨料采用多晶金刚石微粉，所述多晶金刚石微粉粒径为0.1微米-10微米。进一步的，所述助剂包括以下重量比的成分组成：苹果酸8-12份，苯扎溴铵8-12份，ph调节剂4-6份。进一步的，所述螯合剂采用氨基羧酸。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明可降低金属离子沾污晶片表面的几率，提高晶片清洗效率，降低划伤概率，提高晶片表面质量；有效的解决抛光液的稳定性，可以增加4h碳化硅晶片抛光效果。具体实施方式下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例1一种4h碳化硅晶片的抛光方法，包括以下步骤：1)将抛光布置于抛光槽底部，绷紧后将抛光布边缘固定；2)将抛光槽内倒入抛光液；3)以500r/min的转速搅拌抛光液20min后，将端面固定有4h碳化硅晶片的抛光盘垂直伸入到抛光槽中，4h碳化硅晶片和抛光布贴合；4)驱动抛光盘在保温条件下转动，保温温度为30℃，抛光盘转动时间为2h；5)抛光完成后使用去离子水冲洗晶片；6)采用氩气吹风干燥晶片；所述抛光液，包括以下重量份原料：多晶金刚石微粉20份，苹果酸8份，苯扎溴铵8份，ph调节剂4份，氨基羧酸8份，去离子水50份。实施例2一种4h碳化硅晶片的抛光方法，包括以下步骤：1)将抛光布置于抛光槽底部，绷紧后将抛光布边缘固定；2)将抛光槽内倒入抛光液；3)以500r/min的转速搅拌抛光液20min后，将端面固定有4h碳化硅晶片的抛光盘垂直伸入到抛光槽中，4h碳化硅晶片和抛光布贴合；4)驱动抛光盘在保温条件下转动，保温温度为30℃，抛光盘转动时间为2h；5)抛光完成后使用去离子水冲洗晶片；6)采用氩气吹风干燥晶片；所述抛光液，包括以下重量份原料：多晶金刚石微粉25份，苹果酸10份，苯扎溴铵10份，ph调节剂5份，氨基羧酸12份，去离子水60份。实施例3一种4h碳化硅晶片的抛光方法，包括以下步骤：1)将抛光布置于抛光槽底部，绷紧后将抛光布边缘固定；2)将抛光槽内倒入抛光液；3)以500r/min的转速搅拌抛光液20min后，将端面固定有4h碳化硅晶片的抛光盘垂直伸入到抛光槽中，4h碳化硅晶片和抛光布贴合；4)驱动抛光盘在保温条件下转动，保温温度为30℃，抛光盘转动时间为2h；5)抛光完成后使用去离子水冲洗晶片；6)采用氩气吹风干燥晶片；所述抛光液，包括以下重量份原料：多晶金刚石微粉30份，苹果酸12份，苯扎溴铵12份，ph调节剂6份，氨基羧酸15份，去离子水70份。实施例4一种4h碳化硅晶片的抛光方法，包括以下步骤：1)将抛光布置于抛光槽底部，绷紧后将抛光布边缘固定；2)将抛光槽内倒入抛光液；3)以200r/min的转速搅拌抛光液10min后，将端面固定有4h碳化硅晶片的抛光盘垂直伸入到抛光槽中，4h碳化硅晶片和抛光布贴合；4)驱动抛光盘在保温条件下转动，保温温度为10℃，抛光盘转动时间为1h；5)抛光完成后使用去离子水冲洗晶片；6)采用氩气吹风干燥晶片；所述抛光液，包括以下重量份原料：多晶金刚石微粉25份，苹果酸10份，苯扎溴铵10份，ph调节剂5份，氨基羧酸12份，去离子水60份。结合实施例1-4，对4h碳化硅晶片进行抛光处理并观察表面抛光效果，如下表所示：表1项目实施例1实施例2实施例3实施例4抛光效果少量浅划痕无划痕少量浅划痕微量划痕通过对比可以发现，实施例1-4在抛光使用后，其效果存在显著的差别，本产品的成分选配可降低金属离子沾污晶片表面的几率，提高晶片清洗效率，可以有效降低划伤概率，提高晶片表面质量；有效的解决抛光液的稳定性，可以增加4h碳化硅晶片抛光效果。对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。当前第1页12