一种新型碳化硅晶片研磨盘的制作方法

本实用新型涉及一种研磨盘，特别涉及一种新型碳化硅晶片研磨盘。

背景技术：

碳化硅作为三代半导体材料的运用因其具有宽禁带，高击穿场，大热导率，电子饱和漂移速度高，抗辐射强和良好化学稳定性的优越性质，成为新一代微电子器件和电路的关键半导体材料，SiC与制作大功率微波、电力电子、光电器件的重要材料GaN之间具有非常好的匹配度，是SiC成为新一代宽带半导体器件的重要衬底材料。未来将应用在节能减排、信息技术、国防三大领域催生上万亿元潜在市场，成为未来新能源发展的方向之一，然而，碳化硅材料作为外延的衬底材料，对其表面质量具有很强的需求，否则将会影响到外延的品质。因此，需要对从线切割下来的碳化硅晶片进行表面的研磨，去除碳化硅晶片的线切痕，修复线切Warp、Bow、TTV等。现有的研磨技术，主要是将晶片放在载具内，然后通过研磨机的上下盘面对晶片施加一定的压力和转速，从而对碳化硅晶片进行表面的研磨。然而双面研磨过程中，由于研磨盘的沟槽与盘面呈水平，因此研磨液很难从盘面上经过沟槽，排到研磨机台回收槽内，一段时间后，研磨盘沟槽内的研磨液与研磨过程中产生的碎屑就会团聚成块状颗粒，当块状颗粒跑到盘面上时，在压力和转速的作用下，块状颗粒挤压碳化硅晶片，致使碳化硅晶片出现裂痕、破片、深刮、甚至导致爆盘的风险。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种新型碳化硅晶片研磨盘，以解决上述背景技术中提出的研磨盘容易发生爆盘的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型碳化硅晶片研磨盘，包括研磨盘本体，所述研磨盘本体的一侧设有研磨层，所述研磨盘本体的中部开设有第一定位孔，所述研磨层的中部开设有与第一定位孔相匹配的第二定位孔，所述研磨层的一侧固定设有若干个块体，若干个所述块体之间开设有倾斜的沟槽。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述研磨盘本体包括第一圆盘和第二圆盘，所述第一圆盘的一侧固定设有连为一体的第二圆盘。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述研磨层的边侧固定设有第一法兰，所述第一圆盘的边侧固定设有第二法兰，所述第一法兰与第二法兰通过若干个螺栓和螺母固定连接。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第一圆盘和第二圆盘的连接处设有倒圆。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述沟槽的倾斜角度为3°-15°。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型一种新型碳化硅晶片研磨盘，由于改进后的研磨盘，可以避免研磨液与碎屑积聚在研磨盘上的沟槽，时间久了两者团聚成块状颗粒，解决了研磨过程中碳化硅晶片出现破片和裂痕等的风险，同时也可以降低操作员对研磨盘面刮沟槽的次数，不仅改善了产品的良率，同时也提高了生产效率，另外设置有第一法兰与第二法兰，便于对研磨层的更换，从而降低成本。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的侧视图；

图3为本实用新型研磨盘本体的结构示意图。

图中：1、研磨盘本体；2、研磨层；3、第一定位孔；4、第二定位孔；5、块体；6、沟槽；7、第一法兰；8、第二法兰；9、第一圆盘；10、第二圆盘。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-3，本实用新型提供了一种新型碳化硅晶片研磨盘，包括研磨盘本体1，研磨盘本体1的一侧设有研磨层2，研磨盘本体1的中部开设有第一定位孔3，研磨层2的中部开设有与第一定位孔3相匹配的第二定位孔4，研磨层2的一侧固定设有若干个块体5，若干个块体5之间开设有倾斜的沟槽6。

优选的，研磨盘本体1包括第一圆盘9和第二圆盘10，第一圆盘9的一侧固定设有连为一体的第二圆盘10，因为第二圆盘10的半径较小，可以节省材料。

优选的，研磨层2的边侧固定设有第一法兰7，第一圆盘9的边侧固定设有第二法兰8，第一法兰7与第二法兰8通过若干个螺栓和螺母固定连接，便于更换研磨层2。

优选的，第一圆盘9和第二圆盘10的连接处设有倒圆，减小连接处的应力集中。

优选的，沟槽6的倾斜角度为3°-15°。

具体使用时，本实用新型一种新型碳化硅晶片研磨盘，将研磨层2的沟槽6沟成带有斜度的沟槽6，然后通过螺栓和螺母将研磨盘本体1和研磨层2安装，再通过第一定位孔3和第二定位孔4安装到研磨机台的太阳轮上，并通过盘面下的定位销将下盘面固定在研磨机台上，使用前，开启研磨液对研磨盘进行修复，使其达到一定的要求，在研磨过程中，研磨层2上的块体5，通过研磨液与碳化硅晶片进行研磨，研磨过的研磨液通过研磨层2上的沟槽6直接排到研磨机台的回收槽内。

下表给出了新型研磨盘与传统研磨盘的数据对比：

从上表可以看出，新型研磨盘解决了碳化硅晶片在研磨过程中由于部分研磨液和碎屑无法从研磨盘上的沟槽6全部排到研磨机回收槽内，一段时间后团聚成颗粒的状况，导致研磨过程中出现裂痕、破片、深刮等的异常现象，不仅提高了晶片的品质，也提高了操作员的作业效率，从新型研磨盘和传统的研磨盘相比：裂痕比率降低了0.66％，深刮比例降低了0.41％,清理沟槽6的频率降低了50％。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“同轴”、“底部”、“一端”、“顶部”、“中部”、“另一端”、“上”、“一侧”、“顶部”、“内”、“前部”、“中央”、“两端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“连接”、“固定”、“旋接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。