一种硅基体直立式镀膜的配套装置的制作方法

本实用新型涉及硅太阳能电池的制具领域，特别涉及一种硅基体直立式镀膜的配套装置。

背景技术：

硅太阳能电池的HIT结构是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。但是现有的工艺太复杂，硅基体的镀膜质量不佳，真空镀膜装置及其配套设施价格昂贵，大大限制了它的大规模生产。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的是提出一种硅基体直立式镀膜的配套装置，旨在克服以上问题。

为实现上述目的，本实用新型提出的一种硅基体直立式镀膜的配套装置，包括将硅基体竖直固定的框体和承载数个框体的无底槽体，所述框体包括四边支撑的相框架和固定件，相框架搁置于无底槽体底边上，相框架上边框设有配合硅基体贯穿的插缝，相框架下边框设有配合硅基体单侧插入的插槽，相框架的侧边框上设有凸点，固定件与凸点配合连接的相应位置设有凹口，固定件通过凹口与凸点的配合连接，将其固定于相框架。

优选地，所述凸点的数目至少为二，所述凹口的数目至少为二，所述相框架的两侧边框分别设有凸点，固定件的两侧边分别设有与凸点配合连接的凹口，固定件通过凹口与凸点的配合连接固定于相框架上边框。

优选地，所述相框架还包括前掩框和后背框，所述前掩框固定嵌入相框架镂空部的其中一侧面，所述后背框固定嵌入相框架镂空部的的另一侧面。

优选地，所述前掩框的镂空外形与硅基体的待镀膜外形相匹配。

优选地，所述前掩框的镂空外形的内角为倒角设置。

优选地，还包括具有与硅基体非镀面外形相匹配的屏闭片，所述屏闭片可拆卸地镶嵌于后背框的镂空部。

优选地，所述框体还包括搁置条，所述搁置条设于相框架的底边框的底部。

优选地，所述无底槽体的底边设有数个间距均匀的突起，所述框体间隙配合限位于相邻突起之间。

优选地，所述无底槽体底边的下方设有防滑胶垫。

优选地，所述无底槽体还包括围着无底槽体底边竖立的槽边。

本实用新型用于竖直承载数个硅基体同时进行气相沉积以完成真空镀膜的制程，通过硅基体的竖直固定，以隔离等离子气体的电离分离区与硅基体镀膜区，通过硅基体的竖直固定，将等离子气体的电离分离区与硅基体镀膜区隔离，以防止等离子分子对硅基体的轰击，提高硅基体的镀膜质量。同时，本实用新型通过屏闭片插入式连接框体，让每个硅基体可以灵活地应对双面镀膜或单面镀膜的工艺要求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为所述配套装置一实施例的剖面示意图；

图2为所述框体的曝炸图；

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示) 下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

如图1-2所示，本实用新型提出的一种硅基体直立式镀膜的配套装置，包括将硅基体竖直固定的框体和承载数个框体的无底槽体4，所述框体包括四边支撑的相框架1和固定件3，相框架1搁置于无底槽体4底边上，相框架1上边框设有配合硅基体贯穿的插缝14，相框架1下边框设有配合硅基体单侧插入的插槽15，相框架1的侧边框上设有凸点12，固定件3与凸点12配合连接的相应位置设有凹口31，固定件3通过凹口31与凸点12的配合连接，将其固定于相框架1。

优选地，所述凸点12的数目至少为二，所述凹口31的数目至少为二，所述相框架的两侧边框分别设有凸点12，固定件3的两侧边分别设有与凸点 12配合连接的凹口31，固定件3通过凹口31与凸点12的配合连接固定于相框架1上边框。

优选地，所述相框架1还包括前掩框11和后背框13，所述前掩框11固定嵌入相框架1镂空部的其中一侧面，所述后背框13固定嵌入相框架镂空部的的另一侧面。

优选地，所述前掩框11的镂空外形与硅基体的待镀膜外形相匹配。

优选地，所述前掩框11的镂空外形的内角为倒角设置。

优选地，还包括具有与硅基体非镀面外形相匹配的屏闭片5，所述屏闭片5可拆卸地镶嵌于后背框13的镂空部。

优选地，所述框体还包括搁置条2，所述搁置条2设于相框架1的底边框的底部。

优选地，所述无底槽体4的底边设有数个间距均匀的突起41，所述框体间隙配合限位于相邻突起41之间。

优选地，所述无底槽体4底边的下方设有防滑胶垫42。

优选地，所述无底槽体4还包括围着无底槽体4底边竖立的槽边43。

在本实用新型实施例中，本实用新型是硅基体直立式镀膜装置的配套装置，主要用于承载数个硅基体同时进行气相沉积完成真空镀膜制程。本实用新型的无底槽体4可以理解为无底板但有底边的槽体。槽体的无底设计方便本配套装置配合真空镀膜装置中真空泵气体的抽离，及等离子气体分子的吸附；框体用于将硅基体竖直固定，无底槽体4用于承载数个框体，相框架1 用于硅基体竖直固定的支撑，搁置条2将框体1连接于无底槽体4底边，固定件3用于将硅基体横向固定于相框架1。通过硅基体的竖直固定，将等离子气体的电离分离区与硅基体镀膜区隔离，以防止等离子分子对硅基体的轰击，提高硅基体的镀膜质量。

在本实用新型实施例中，本实用新型的前掩框11和后背框13用于防护硅基体的边缘不被气相沉积。

在本实用新型实施例中，本实用新型通过凸点12和凹口31的数目至少为二，以加固硅基体的横向固定。凸点12和凹口31的具体位置在此不做限定。

在本实用新型实施例中，本实用新型通过插缝14与插槽15的设置，以加强硅基体的纵向固定；通过屏闭片5的设置，在硅基体的正反面按需要贴入屏闭片5，阻挡沉积以灵活应对硅基体同时进行双面镀膜或单面镀膜的工艺制程。

在本实用新型实施例中，本实用新型通过突起41设置以限定框体与无底槽体4之间位置关系。

优选地，所述无底槽体4底边的下方设有防滑胶垫42。

在本实用新型实施例中，本实用新型的防滑胶垫用于本配套装置配合真空镀膜装置的传动机构的传动控制，增大与真空镀膜装置的传动机构接触面的摩擦力，加强传动效果。

优选地，所述无底槽体4还包括围着无底槽体底边竖立的槽边43。

在本实用新型实施例中，本实用新型的槽边43是围护数个框体的护栏。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。