一种温控抛光装置的制作方法

本实用新型属于抛光研磨技术领域，具体涉及一种温控抛光装置。

背景技术：

化学机械抛光技术(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是化学作用和机械作用相结合的技术，其研磨效果较普通机械研磨效果好，但是过程复杂，影响因素很多。首先工件表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层,然后在抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除软质层,使工件表面重新裸露出来，然后再进行化学反应,这样在化学作用过程和机械作用过程的交替进行中完成工件表面抛光。

对用于液晶显示屏的平板玻璃，必须在镀制ITO透明导电膜层之前进行抛光处理，达到玻璃表面更加平整的要求，来保证液晶显示屏的盒厚均匀性，保证显示效果。

在抛光加工过程中，抛光液温度和抛光效率、抛光品质存在一定的关系，在一定温度下，抛光效率会随着抛光液温度、玻璃表面温度的升高而增加，而且环境温度对抛光液温度、玻璃表面温度有影响，根据研究，周围环境温度从5℃提高到20℃，抛光效率几乎增加一倍，超过30℃增加速度就变缓慢。由于一年中各个季节的温度，完全覆盖所述高效抛光条件温度与低效抛光温度。特别在春、冬季外界环境温度低的时候，没有保温措施，抛光液温度低、玻璃表面温度不高，不仅会造成抛光效率下降，产能下降，成本增加，而且会造成抛光品质下降，部分产品达不到抛光所需要的表面平整度要求，造成质量问题或潜在的质量隐患。

为了解决不利温度条件对抛光效率的不良影响，当前，也有在抛光装置上直接设置温控机构的技术方案，来降低不利温度条件对抛光、研磨效率的不良影响。但是，当前的温控机构均设置于研磨块上，温度波动较大，温控调节具有明显的滞后性，不能使得温度一直保持于最佳研磨、抛光温度条件。

技术实现要素：

为了解决当前研磨环境的温度波动影响抛光效率与抛光品质的问题，本实用新型提供一温度波动极小的温控抛光装置。保持抛光温度基本恒定，减少温度波动，提升抛光过程稳定性，保证抛光效率和提升抛光品质稳定性。

本实用新型提出一种温控抛光装置，包括抛光上盘、抛光下盘、抛光桶、温控机构与主轴。所述抛光上盘与抛光下盘相对设置，所述抛光下盘位于所述抛光桶内，下端连有所述主轴，通过所述主轴固定支撑所述抛光下盘稳定设于所述抛光桶中的固定位置。所述抛光桶内盛有抛光液，所述温控机构设于抛光桶内，没于所述抛光液中。

在有些技术方案中，所述抛光桶中还设有一喷淋机构，所述喷淋机构将所述抛光液喷洒至所述抛光下盘上。

本实用新型的温控抛光装置的具体工作原理为：

本实用新型的温控抛光装置的抛光桶里面盛有抛光液，温控机构设于所述抛光桶中，没于所述抛光液内，在抛光装置生产、加工运行时，启动所述温控机构，所述抛光液在抛光下盘、抛光桶中循环使用。在一般条件下，当外界处于低温环境时，所述抛光液被喷洒或通过其他方式到达所述抛光下盘上进行抛光作业后，温度会降低，再流入抛光桶内时，会影响抛光桶内的抛光液，使之一并降低温度。在本实用新型中，当屏抛光液中设有温控机构时，抛光液回流至抛光桶中时，温控机构可以迅速将所述抛光液升温至最佳温度条件，在抛光作业过程中，温度持续处于最佳条件，不会产生巨大的温度波动。

本实用新型的温控抛光装置，由于温控机构设于所述抛光桶中，并没于所述抛光液中，相比较常规的温控机构设于抛光上盘或者抛光下盘的技术方案，本实用新型的温控抛光装置的温度波动性更小，提升了抛光作业的稳定性，保证了抛光效率，进而控制所述抛光作业持续处于最佳作业条件，保障产品品质要求。

附图说明

图1为本实用新型的温控抛光装置的结构示意图；

图2为本实用新型的抛光桶及内部机构示意图。

附图标记

1-抛光下盘、2-抛光上盘、3-抛光桶、4-抛光液、5-主轴、6-温控机构。

具体实施方式

为了更好地理解本实用新型，以下结合附图与实施例对本实用新型进行说明，具体实施方式如下。

如图1、2所示，本实用新型提出一种温控抛光装置，包括抛光上盘2、抛光下盘1、抛光桶3、温控机构6与主轴5。所述抛光上盘2与抛光下盘1相对设置，所述抛光下盘1位于所述抛光桶3内，下端连有所述主轴5，通过所述主轴5固定支撑所述抛光下盘1稳定设于所述抛光桶3中的固定位置。所述抛光桶3内盛有抛光液4，所述温控机构6设于抛光桶内，没于所述抛光液4中。

在一些实施例中，所述抛光桶3中还设有一喷淋机构，所述喷淋机构将所述抛光液4喷洒至所述抛光下盘1上，使得抛光液4参与所述抛光化学反应。

在优选的技术方案中，所述抛光下盘1的下端结构没于所述抛光液4内，所述抛光下盘1的上表面浮出于所述抛光液4水平面上。

在优选的技术方案中，所述抛光下盘1与抛光上盘2均为圆柱型结构。

在优选的技术方案中，所述抛光下盘1为带凹槽的圆柱型结构，所述抛光下盘1的在四周边缘区域的上表面比中间区域的上表面所在的水平面高，即所述四周边缘结构凸出，所述中间结构凹下，同时所述中间结构内设置有一些通孔(图上未示出)，所述通孔与抛光桶3内的抛光液4相连通。所述抛光下盘1比抛光上盘2在抛光桶3内的投影面积大。当所述抛光上盘2下压所述抛光下盘1的中间区域的上表面时，由于压力的作用，所述抛光液4通过所述通孔进入所述抛光下盘1内，参与至所述抛光化学反应中。此技术方案中，所述抛光下盘1的边缘可以阻止不必要的抛光液4进入抛光下盘1上，所述抛光液4通过通孔进入所述抛光上盘2。所述抛光液4与外界环境接触时间减少，温度的变化幅度降低，有利于减少温度的波动幅度。

优选的技术方案中，所述温控抛光装置还设有供水机构(图上未示出)，所述抛光下盘1上对应设有纵横交错的排水径路(图上未示出)，所述排水径路可以将抛光过程产生的碎屑连同排出水流一并排出。

优选的技术方案中，所述温控机构6为电热式温控机构6，所述电热式温控机构6包括发热电子器件(图上未示出)与导热器件，所述发热电子器件被完好的包裹于机构内部，与外界的抛光液4电性隔离，所述发热器件外部包裹设置有导热器件，所述导热器件仅具有导热功能，不具有导电功能。

优选的技术方案中，所述温控抛光装置的温控持续保持于20-30度。

更优选的技术方案中，所述温控抛光装置的温控持续保持于25-28度。

以上为本实用新型提供的温控抛光装置为较佳实施例，并不能理解为对本实用新型权利保护范围的限制，本领域的技术人员应知晓，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可做多种改进或替换，所有的改进或替换都应在本实用新型的权利保护范围内，即本实用新型的权利保护范围应以权利要求为准。在不冲突的情况下，本文中上述实施例及实施例中的特征可以相互结合。