刻蚀液及刻蚀方法与流程

本发明涉及刻蚀领域，特别是涉及一种刻蚀液及刻蚀方法。
背景技术：
：随着智能移动终端的普及，显示面板技术得到广泛应用，其发展越来越迅速。在显示面板制程中，通常采用铜金属制成栅极线、数据线等走线，以传递各种信号，实现显示面板的显示功能。具体的，可以在基板上涂布铜薄膜，然后对铜薄膜进行图案化，形成各种金属线。其中，多余部分的铜需要采用刻蚀液进行刻蚀，然而现有的刻蚀液一般含有氟，对基板中的玻璃材料具有腐蚀作用，造成显示面板的良品率降低。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种刻蚀液及刻蚀方法，可以提高显示面板的良品率。本发明实施例提供了一种刻蚀液，其包括：去离子水、双氧水、有机酸、胺类物质、弱酸弱碱盐、双氧水稳定剂以及醇类物质。在一实施例中，所述去离子水在所述刻蚀液中的质量百分比范围为60％至88.35％之间；所述双氧水在所述刻蚀液中的质量百分比范围为5％至8％之间；所述有机酸在所述刻蚀液中的质量百分比范围为5％至15％之间；所述胺类物质在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至10％之间；所述弱酸弱碱盐在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.1％至1％之间；所述双氧水稳定剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.05％至1％之间；所述醇类物质在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.5％至5％之间。在一实施例中，所述有机酸包括柠檬酸，苹果酸，丁二酸，乳酸，乙醇酸，苯甲酸中的一种或多种。在一实施例中，所述胺类物质包括二异丙醇胺，异丙醇胺，乙酰苯胺以及2-氨基-2甲基-1-丙醇中的一种或多种。在一实施例中，所述弱酸弱碱盐包括磷酸氢二铵或醋酸铵。在一实施例中，所述双氧水稳定剂为苯基脲。在一实施例中，所述醇类物质包括乙醇，甲醇，乙二醇，苯甲醇中的一种或多种。本发明实施例提供了一种刻蚀方法，使用如上所述的刻蚀液进行刻蚀，其包括：提供一基板；将所述基板置于预设磁场强度范围的磁场中；使用处于预设温度范围的所述刻蚀液对所述基板进行刻蚀，得到刻蚀后的基板。在一实施例中，所述预设温度范围为30摄氏度至35摄氏度之间。在一实施例中，所述预设磁场强度范围为0.3特斯拉至0.7特斯拉之间。相较于现有的刻蚀液及刻蚀方法，本发明的刻蚀液及刻蚀方法中的刻蚀液包括去离子水、双氧水、有机酸、胺类物质、弱酸弱碱盐、双氧水稳定剂以及醇类物质，不包括氟，避免了氟对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1为本发明实施例提供的刻蚀方法的流程示意图。图2为本发明实施例提供的刻蚀方法的场景示意图。图3为本发明实施例提供的刻蚀方法的另一场景示意图。图4为本发明实施例提供的刻蚀方法的又一场景示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。本发明实施例提供了一种刻蚀液，该刻蚀液用于对显示面板中的基板进行刻蚀，其中基板上有铜cu薄膜和钼mo薄膜。如下表1所示，刻蚀液的组成成分包括去离子水、双氧水、有机酸、胺类物质、弱酸弱碱盐、双氧水稳定剂以及醇类物质。表1刻蚀液的组成成分质量百分比范围去离子水60％-88.35％双氧水5％-8％有机酸5％-15％胺类物质1％-10％弱酸弱碱盐0.1％-1％双氧水稳定剂0.05％-1％醇类物质0.5％-5％双氧水可以将基板中的钼氧化成三氧化钼moo3，铜氧化成氧化铜cuo。如表1所示，双氧水在刻蚀液中的质量百分比范围为5％至8％之间。在本实施例中，双氧水在刻蚀液中的质量百分比低于8％，可以提高刻蚀液生产过程中的安全性。双氧水稳定剂可以避免双氧水在高温下被分解。其中，双氧水稳定剂可以为苯基脲。如表1所示，双氧水稳定剂在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.05％至1％之间。去离子水不仅可以避免双氧水被分解，还可以避免刻蚀液中引入金属离子的干扰。如表1所示，去离子水在刻蚀液中的质量百分比范围为60％至88.35％之间。有机酸可以与cuo、moo3反应，得到铜离子和钼离子，并络合铜离子和钼离子。有机酸包括柠檬酸，苹果酸，丁二酸，乳酸，乙醇酸，苯甲酸中的一种或多种。如表1所示，有机酸在刻蚀液中的质量百分比范围为5％至15％之间。在本实施例中不需要无机酸，可以提高刻蚀液生产过程中的安全性能。胺类物质可以使铜与钼的刻蚀产生速率差，即使铜的刻蚀速度大于钼的刻蚀速度。其中，胺类物质包括二异丙醇胺，异丙醇胺，乙酰苯胺和2-氨基-2甲基-1-丙醇中的一种或多种。如表1所示，胺类物质在所述刻蚀液中的质量百分比范围为1％至10％之间。弱酸弱碱盐可以释放氢离子，调节刻蚀液的ph(hydrogenionconcentration，氢离子浓度指数)值。可以防止ph值过高导致的钼刻蚀过快。其中，弱酸弱碱盐包括磷酸氢二铵或醋酸铵。如表1所示，弱酸弱碱盐在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.1％至1％之间。醇类物质可以使上述有机酸、弱酸弱碱盐等有机物或无机物溶解。其中，醇类物质包括乙醇，甲醇，乙二醇，苯甲醇中的一种或多种。如表1所示，醇类物质在所述刻蚀液中的质量百分比范围为0.5％至5％之间。在一实施例中，刻蚀液可以为表2中所示的刻蚀液a。如下表2所示，刻蚀液a的组成成分包括去离子水、双氧水、柠檬酸、二异丙醇胺、磷酸氢二铵、苯基脲以及乙醇。上述组成成分在刻蚀液a中的质量百分比依次为70.7％、7.5％、10％、9.5％、0.8％、0.5％以及1％。通过刻蚀液a对基板进行刻蚀后，如图3所示，基板100中铜101的断面倾斜度可以达到34.5度，即锥角θ可以达到34.5度，cdloss(条宽损失)l为0.8微米。如图4所示，钼没有残留。表2刻蚀液a的组成成分质量百分比去离子水70.7％双氧水7.5％柠檬酸10％二异丙醇胺9.5％磷酸氢二铵0.8％苯基脲0.5％乙醇1％本发明实施例的刻蚀液中不包含氟，可以避免对基板中的玻璃造成腐蚀。进一步的，本发明实施例中的刻蚀液双氧水的质量百分比低于8％，可以提高刻蚀液生产过程中的安全性。并且本发明实施例中的刻蚀液不包含无机酸，可以提高刻蚀液生产过程中的安全性能。本发明实施例还提供了一种刻蚀方法，该刻蚀方法采用如上的刻蚀液进行刻蚀。请参照图1，图1为本发明实施例提供的刻蚀方法的流程图，该刻蚀方法包括如下步骤：步骤s101，提供一基板。其中，基板上有铜cu薄膜和钼mo薄膜。其中，钼薄膜设置在基板本体和铜薄膜之间，以增加铜与基板本体之间的贴附性。通过对铜薄膜图案化，可以形成栅极线、数据线等金属配线。对于多余的铜或钼，可以采用本实施例的刻蚀液进行刻蚀。步骤s102，将基板置于预设磁场强度范围的磁场中。如图2所示，在一实施例中，可以将基板1置于预设磁场强度范围为0.3特斯拉至0.7特斯拉之间的磁场2中。其中，磁场2可以促进刻蚀液对流，加快刻蚀液与铜的反应。需要说明的是，在上述预设磁场强度范围内，磁场2的磁场强度越大，刻蚀液与铜的反应越快，得到的锥角越小。步骤s103，使用处于预设温度范围的刻蚀液对基板进行刻蚀，得到刻蚀后的基板。在一实施例中，可以对刻蚀液加热，使刻蚀液达到30摄氏度至35摄氏度之间的预设温度范围。需要说明的是，在上述预设温度范围内，刻蚀液的刻蚀速率随着温度的升高而提高。然后将刻蚀液均匀喷洒到基板表面进行刻蚀。约100-120秒后，可以完成刻蚀。在本实施例中，不需要添加刻蚀抑制剂，通过调整刻蚀液的温度即可以对刻蚀速率进行调节，降低了刻蚀成本。现有的刻蚀液对基板进行刻蚀后，一般得到50度至60度范围的锥角，此范围的锥角较大，导致基板的电学性能降低。采用本实施例的刻蚀液对基板进行刻蚀，可以得到33度至45度范围的锥角，可以使基板具有较好的电学性能。接下来，以如表2所示的刻蚀液a为例，对基板进行刻蚀。首先将基板1置于磁场强度为0.6特斯拉的均匀磁场2中。然后将刻蚀液a加热到32摄氏度。再将加热后的刻蚀液a均匀喷洒到基板1的表面进行刻蚀。刻蚀时间达到110秒后，即完成刻蚀。其中，如图3所示，铜10的断面倾斜度可以达到34.5度，即锥角θ可以达到34.5度，cdloss(条宽损失)l为0.8微米。如图4所示，钼没有残留。本发明实施例的刻蚀方法，通过磁场调节刻蚀液的对流情况以及刻蚀液的温度，来控制刻蚀液与铜的反应速率，使铜得到较小的锥角。综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。当前第1页12