技术总结
本发明涉及用于晶片处理设备的气体分配装置。该气体分配装置构造成在半导体衬底上分配气态前体，包括：顶板，所述顶板至少具有第一气态前体流过的第一顶部孔口；设置在所述顶板下方的第一增压室；第一门控纳米通道栅格；第一电压源，所述第一电压源配置成将电压施加到所述第一门控纳米通道栅格；电气隔离板；底板；以及多个第一底部孔口，其中所述多个第一底部孔口形成于所述电气隔离板和所述底板中，其中施加到所述第一门控纳米通道栅格的所述电压确定所述第一门控纳米通道栅格是否准许所述第一气态前体穿过所述多个第一底部孔口。
技术研发人员：P·雷萨宁;W·约翰逊
受保护的技术使用者：ASMIP控股有限公司
技术研发日：2019.08.05
技术公布日：2020.02.25