表面抛光工艺的制作方法

本发明涉及抛光工艺的技术领域，特别涉及一种表面抛光工艺。

背景技术：

在小型塑胶件的抛光工艺中，一般将待抛光塑胶件固定在夹治具上；根据抛光面要求选择合适的抛光砂轮或抛光剂；然后将抛光砂轮在抛光机上装夹好，在抛光砂轮上加适当抛光剂，将装夹有待抛光件的治具移至抛光头下进行抛光作业，抛光机完成抛光工作；但是，上述抛光工艺在抛光不同形状的塑胶件时需设计不同的夹具进行固定，并且，在抛光具有多面、曲面或异形的塑胶件时，抛光需多轴抛光机作业，对抛光设备及设备操人员要求较高，且耗时长。

技术实现要素：

本发明的主要目的是提供一种表面抛光工艺，旨在实现抛光工艺的快速作业。

为实现上述目的，本发明提出的一种表面抛光工艺，包括以下步骤：

第一次抛光：将粗抛研磨石、抛光液以及待抛光件加入到研磨机中，进行第一次抛光；

第一次抛光结束后，分离出所述待抛光件；

第二次抛光：将精抛研磨石、抛光液以及所述待抛光件加入到研磨机中，进行第二次抛光；

第二次抛光结束后，分离出所述待抛光件。

可选地，所述抛光液的主要成分及质量百分比为：15％～25％光亮剂，其余为水。

可选地，所述第一次抛光的步骤中：

所述粗抛研磨石、抛光液以及待抛光件的重量比为：5.5～6.5:4.5～5.5:0.5～1.5。

可选地，所述粗抛研磨石为8*8棕刚三角研磨石和8*8陶瓷三角研磨石；所述8*8棕刚三角研磨石和所述8*8陶瓷三角研磨石的重量比为：2.5～3.5:2.5～3.5。

可选地，所述第二次抛光的步骤中：

所述精抛研磨石、抛光液以及待抛光件的重量比为：5.5～6.5:4.5～5.5:0.5～1.5。

可选地，所述精抛研磨石为φ4mm高铝瓷圆球研磨石。

可选地，所述第一次抛光的步骤中：

所述研磨机为离心式齿轮研磨机，转速设定120～180转/分钟，抛光时间25～30分钟。

可选地，所述第二次抛光的步骤中：

所述研磨机为离心式齿轮研磨机，转速设定120～180转/分钟，抛光时间10～15分钟。

可选地，第一次抛光结束后，所述分离出所述待抛光件的步骤包括：

在清洗水池内倒出所述粗抛研磨石和所述待抛光件，用水清洗干净，并用筛网将所述粗抛研磨石和所述待抛光件分离，分离出所述待抛光件和所述粗抛研磨石。

可选地，第二次抛光结束后，所述分离出所述待抛光件的步骤包括：

在清洗水池内倒出所述精抛研磨石和所述待抛光件，用水清洗干净，并用筛网将所述精抛研磨石和所述待抛光件分离，分离出所述待抛光件和所述精抛研磨石。

相较于通过治具进行抛光而言，本发明给出的技术方案将待抛光件通过粗抛研磨石和精抛研磨石进行抛光，可以对待抛光件的多面、曲面或异型表面同时进行抛光，且一次可对多个待抛光件进行抛光，因而提高了工作效率，且抛光效果更好。实现了抛光工艺的快速作业。

附图说明

图1为本发明表面抛光工艺一实施例的结构示意图；

图2为本发明表面抛光工艺一实施例的结构示意图；

图3为本发明表面抛光工艺一实施例的结构示意图。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明提出一种表面抛光工艺。

本发明实施例中，该方法是用于抛光电子类产品的小型塑胶件的表面的，即所说的待抛光件可以为鼠标壳、开关壳、按钮盒等电器绝缘件，多为多面、曲面或异形表面的塑胶件。

本实施例中，待抛光件为仅需将外表面进行抛光的壳体，为了避免其内边面的连接结构等在抛光过程中损坏，需要对其内表面的结构进行保护，因此，在实际抛光过程中，该待抛光件还连接有保护治具，待抛光件与该保护治具相连接，且保护治具扣合于待抛光件的内表面，使待抛光件的内表面不暴露于外界，在抛光过程中仅对需要抛光的外表面进行抛光。

参照图1，该表面抛光工艺，包括以下步骤：

s10，第一次抛光：将粗抛研磨石、抛光液以及待抛光件加入到研磨机中，进行第一次抛光；

第一次抛光是一种粗抛，通过粗抛研磨石对待抛光件的表面进行初次打磨，去除待抛光件表面的较大颗粒状异物，以便于后续进行快速的精抛。

s20，第一次抛光结束后，分离出所述待抛光件；

s30，第二次抛光：将精抛研磨石、所述抛光液以及所述待抛光件加入到研磨机中，进行第二次抛光；

第二次抛光是在第一次抛光的基础上进行的，即在去除待抛光件表面的较大颗粒状异物后，再对待抛光件表面的进行打磨，以使待抛光件表面变得光滑。

s40，第二次抛光结束后，分离出所述待抛光件。

这样，通过第一次抛光和第二次抛光，实现对待抛光件的抛光。相较于通过治具进行抛光而言，本发明给出的技术方案将待抛光件通过粗抛研磨石和精抛研磨石进行抛光，可以对待抛光件的多面、曲面或异型表面同时进行抛光，且一次可对多个待抛光件进行抛光，因而提高了工作效率，且抛光效果更好。实现了抛光工艺的快速作业。另外，由于待抛光件表面存在的大颗粒状异物，如果仅通过进行精抛，其势必耗时更长，而如果仅进行粗抛，待抛光件表面的光滑度又达不到标准。因此，相较于仅进行精抛或进行粗抛而言，本发明给出的技术方案在保证待抛光件表面光滑度的基础上，抛光时长更短，更为效率。

本实施例中，所述抛光液的主要成分及质量百分比为：15％～25％光亮剂，其余为水。

可选地，抛光液的主要成分及质量百分比为：20％光亮剂，其余为水。

本发明一实施例中，上述光亮剂的主要成分为：地板蜡水、植物蜡、蜂蜡和硅油中的一种或多种。

在第一次抛光或第二次抛光过程中，光亮剂能借助待抛光件与粗抛研磨石或精抛研磨石之间间发生磨擦产生热量，从而利用热量起到化学镀层反应，来提高待抛光件表面光泽度和光亮度。在第一次抛光或第二次抛光时，光亮剂对抛光所用的水有调节作用，可以使水质软化，以充分发挥水的缓冲、冲洗作用，减少待抛光件之间、待抛光件与粗抛研磨石或精抛研磨石之间的剧烈撞击、划痕、变形或破碎等。

另外，在所述第一次抛光的步骤中：

所述粗抛研磨石、抛光液以及待抛光件的重量比为：5.5～6.5:4.5～5.5:0.5～1.5。

可选地，粗抛研磨石、抛光液以及待抛光件的重量比为：6:5:1。

并且，所述粗抛研磨石为8*8棕刚三角研磨石和8*8陶瓷三角研磨石；所述8*8棕刚三角研磨石和所述8*8陶瓷三角研磨石的重量比为：2.5～3.5:2.5～3.5。

可选地，8*8棕刚三角研磨石和8*8陶瓷三角研磨石的重量比为：3:3。

8*8棕刚三角研磨石和8*8陶瓷三角研磨石呈三角状，有棱边，在对待抛光件进行打磨的过程中，容易对待抛光件表面的较大颗粒状异物去除掉，因而第一次抛光时间迅速。

在本发明一实施例中，8*8棕刚三角研磨石、8*8陶瓷三角研磨石、光亮剂、待抛光件以及水的重量比为：3:3:1:1:4。

在第一次抛光时，依序将上述比重的8*8棕刚三角研磨石、8*8陶瓷三角研磨石、光亮剂、待抛光件以及水加入到六角研磨盒中，这样，8*8棕刚三角研磨石、8*8陶瓷三角研磨石在添加时位于底部，光亮剂位于8*8棕刚三角研磨石、8*8陶瓷三角研磨石和待抛光件之间，避免待抛光件和8*8棕刚三角研磨石、8*8陶瓷三角研磨石的直接接触，进而避免待抛光件和8*8棕刚三角研磨石、8*8陶瓷三角研磨石的剧烈撞击，防止待抛光件的表面产生划痕或破碎，同时随后加入水，以使上述8*8棕刚三角研磨石、8*8陶瓷三角研磨石、光亮剂和待抛光件混合充分，然后通过研磨机进行抛光。

本实施例中，所述研磨机为离心式齿轮研磨机，转速设定120～180转/分钟，抛光时间25～30分钟。

可选地，该粗抛时研磨机的转速为140转/分钟。

具体地，该离心式齿轮研磨机包括四个研磨盒，四个研磨盒均沿其交错的位置为圆心转动，实现竖直方向的离心转动，在研磨盒内进行离心转动的过程中，内部的粗抛研磨石、待抛光件之间不断的碰撞摩擦，进而对待抛光件表面的较大颗粒状异物去除，实现对待抛光件的粗抛，该粗抛时间为25～30分钟，仅对待抛光件表面的较大颗粒状异物去除，抛光时间快。

本实施例所给的第一次抛光为常温常压下进行，即研磨盒内为常温常压，操作安全，不易发生危险。

其次，在第二次抛光的步骤中：

所述精抛研磨石、抛光液以及待抛光件的重量比为：5.5～6.5:4.5～5.5:0.5～1.5。

可选地，精抛研磨石、抛光液以及待抛光件的重量比为：6:5:1。

并且，本实施例中，所述精抛研磨石为φ4mm高铝瓷圆球研磨石。

φ4mm高铝瓷圆球研磨石为圆球状，无棱边，在对待抛光件表面的打磨过程中，对待抛光件的表面进行光滑处理，相较于粗抛研磨石而言，不会对待抛光件的表面造成划痕和磨损，使待抛光件表面抛光均匀。

在本发明一实施例中，φ4mm高铝瓷圆球研磨石、光亮剂、待抛光件以及水的重量比为：6:1:1:4。

在第一次抛光时，依序将上述φ4mm高铝瓷圆球研磨石、光亮剂、待抛光件以及水加入到六角研磨盒中，这样，φ4mm高铝瓷圆球研磨石添加时位于底部，待抛光件位于φ4mm高铝瓷圆球研磨石上方，以便于待抛光件在抛光时移动，以充分进行抛光，同时随后加入水，以使上述8*8棕刚三角研磨石、8*8陶瓷三角研磨石、光亮剂和待抛光件混合充分，然后通过研磨机进行抛光。

本实施例中，所述研磨机为离心式齿轮研磨机，转速设定120～180转/分钟，抛光时间10～15分钟。

可选地，该精抛时研磨机的转速为140转/分钟。

在研磨盒内进行离心转动的过程中，内部的精抛研磨石、待抛光件之间不断的碰撞摩擦，进而对待抛光件表面的进行光滑处理，实现对待抛光件的精抛，该精抛时间为10～15分钟，待抛光件的表面无较大的颗粒状异物，仅对待抛光件表面的进行光滑处理，抛光时间快。这样，在粗抛后再进行精抛，能够保证待抛光件表面的光滑度，同时节约抛光时间，产能高。

本实施例所给的第二次抛光为常温常压下进行，即研磨盒内为常温常压，操作安全，不易发生危险。

参照图2，这样，在一实施例中，该表面抛光工艺，包括以下步骤：

s11，第一次抛光：依序将8*8棕刚三角研磨石、8*8陶瓷三角研磨石、光亮剂、待抛光件以及水的按重量比为：3:3:1:1:4的方式混合装入离心式齿轮研磨机的六角研磨盒中，转速设定120～180转/分钟，抛光时间25～30分钟，启动研磨机；

s20，第一次抛光结束后，分离出所述待抛光件；

s31，第二次抛光：依序将φ4mm高铝瓷圆球研磨石、光亮剂、待抛光件以及水的按重量比为：6:1:1:4的方式混合装入离心式齿轮研磨机的六角研磨盒中，转速设定120～180转/分钟，抛光时间10～15分钟，启动研磨机；

s40，第二次抛光结束后，分离出所述待抛光件。

该实施例所需花费的总时间为35～45分钟，相较于仅进行精抛而言，极大地缩短了抛光时间，而相较于仅进行粗抛而言，待抛光件表面光滑度高，成品质量好。

此外，参照图3，在本发明所给的另一实施例中，该表面抛光工艺，包括以下步骤：

s10，第一次抛光：将粗抛研磨石、抛光液以及待抛光件加入到研磨机中，进行第一次抛光；

s21，第一次抛光结束后，在清洗水池内倒出所述粗抛研磨石和所述待抛光件，用水清洗干净，并用筛网将所述粗抛研磨石和所述待抛光件分离，分离出所述待抛光件和所述粗抛研磨石；

s30，第二次抛光：将精抛研磨石、所述抛光液以及所述待抛光件加入到研磨机中，进行第二次抛光。

s41，第二次抛光结束后，在清洗水池内倒出所述精抛研磨石和所述待抛光件，用水清洗干净，并用筛网将所述精抛研磨石和所述待抛光件分离，分离出所述待抛光件和所述精抛研磨石。

上述步骤中，在第一次抛光后，还需对待抛光件进行水洗，本实施例中为去离子水洗，以去除待抛光件和粗抛研磨石上粘附的抛光液，同时，在去离子水洗后，通过筛网将待抛光件和粗抛研磨石分离，筛网仅供粗抛研磨石通过。另外，在第一次抛光过程中，由于粗抛研磨石是用作打磨待抛光件的表面的，粗抛研磨石在此过程中没有损耗，因此，在将粗抛研磨石筛选出来后，还可再次回收利用，进行下一次粗抛，在一实施例中，可直接将分离出来的粗抛研磨石再次加入研磨机的研磨盒中，然后再加入新的待抛产品进行下一次粗抛。

在第一次抛光后，仍会存在不良品，即待抛光件表面的大颗粒异物未被完全去除，如果将该待抛光件直接进行第二次抛光，势必会延长第二次抛光的时间，影响其他待抛光件的抛光效率。因此，在第一次抛光后，对待抛光件的表面进行检查，如果达到标准，则可进行第二次抛光，而没有达到标准的，则需再次进行第一次抛光，直至其达到标准。这样，在实际抛光过程中，未达到标准的待抛光件可以和新的待抛光件一起进行第一次抛光，以最大程度的加快抛光效率。

在实际抛光过程中，对第一次抛光后的待抛光件的检测可以为直接的目测，即一旦发现该待抛光件的表面出现大颗粒状异物，即判定为未达到标准，需要再次进行第一次抛光。当然，在其他实施例中，也可通过表面粗糙度仪对待抛光件进行粗糙度检测，根据其所显示的值判断是否达到标准，其第一次抛光的正常标准值可通过预先进行设定。

同样的，在第二次抛光完成后，通过筛网将待抛光件和精抛研磨石分离，筛网仅供粗抛研磨石通过。另外，在第二次抛光过程中，由于精抛研磨石是用作打磨待抛光件的表面的，精抛研磨石在此过程中没有损耗，因此，在将精抛研磨石筛选出来后，还可再次回收利用，进行下一次精抛，在一实施例中，可直接将分离出来的精抛研磨石再次加入研磨机的研磨盒中，然后再加入完成第一次抛光后的待抛产品进行下一次精抛。

在第二次抛光后，仍会存在不良品，即待抛光件表面的不光滑，不符合生产需求。因此，在第二次抛光后，对待抛光件的表面进行检查，如果达到标准，则抛光完成，而没有达到标准的，则需再次进行第二次抛光，直至其达到标准。这样，在实际抛光过程中，未达到标准的待抛光件可以和完成第一次抛光后的待抛光件一起进行第二次抛光，以最大程度的加快抛光效率。

在实际抛光过程中，对第二次抛光后的待抛光件的检测可以为直接的目测，即一旦通过其表面所呈现的光泽度来进行判断，如果器表面模糊，即判定为未达到标准，需要再次进行第二次抛光，如果其表面光滑有光泽，这判定达到标准，该待抛光件抛光完成。当然，在其他实施例中，也可通过表面粗糙度仪对待抛光件进行粗糙度检测，根据其所显示的值判断是否达到标准，其第二次抛光的正常标准值可通过预先进行设定。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效流程变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。