晶圆抛光方法与流程

文档序号:20203063发布日期:2020-03-27 20:50阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种晶圆抛光方法,其特征在于,对待处理晶圆进行第一次抛光处理;然后对第一次抛光处理后的抛光盘的抛光面进行打磨,使抛光面表面粗糙;用打磨后的抛光盘的抛光面对待处理晶圆进行第二次抛光处理。

2.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法,其特征在于,所述对待处理晶圆进行第一次抛光处理之前还包括:依次对待处理晶圆进行粗磨和细磨。

3.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法,其特征在于,采用磨砂轮对第一次抛光处理后的抛光盘的抛光面进行打磨。

4.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法,其特征在于,所述第一次抛光处理采用的抛光液为psl抛光液,抛光盘为eg-pad抛光盘。

5.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法,其特征在于,还包括:用第二次抛光处理后的抛光盘对下一个待处理晶圆进行第一次抛光处理。

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