技术总结
本发明提供了一种晶圆抛光方法，对待处理晶圆进行第一次抛光处理；然后对第一次抛光处理后的抛光盘的抛光面进行打磨，使抛光面表面粗糙；用打磨后的抛光盘的抛光面对待处理晶圆进行第二次抛光处理。本发明通过对第一次抛光处理后的抛光盘进行打磨，使其表面具有一定的粗糙度，然后再用打磨后的抛光盘对待处理晶圆进行第二次抛光处理，使得在晶圆表面可形成微粗糙的磨痕，克服了现有技术中铜离子污染的技术问题，达到了保证原有的抛光功能，减少铜离子污染，提高产品良率，保证产品使用质量，达到稳定存储数据的技术效果。
技术研发人员：李振华;刘会红
受保护的技术使用者：深圳佰维存储科技股份有限公司
技术研发日：2019.12.24
技术公布日：2020.03.27