一种掩膜版组件及掩膜版组件的制作方法与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜版组件及掩膜版组件的制作方法。

背景技术：

原子层沉积ald(atomiclayerdeposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的气相沉积方法。在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型如对厚度，成份和结构的控制，优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。

因原子沉积的独特性，形成原子膜时在基底上会在掩膜版组件的边缘形成很长的过界镀膜区域，将影响原子层沉积的薄膜边缘不规整，进而影响原子层沉积材料的适用性。

技术实现要素：

本发明公开了一种掩膜版组件及掩膜版组件的制作方法，可以减小过界镀膜区域的距离，提高原子层沉积技术的适用性。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

第一方面，本发明提供的一种掩膜版组件，所述掩膜版组件具有镂空区；至少一部分所述镂空区的侧壁上形成有凹陷部。

在薄膜应用领域，用原子层沉积技术沉积薄膜时，会在基底上出现不需成膜的区域被沉积上薄膜，同时也可能会增加对过界镀膜区域去除的工艺过程，这样会增加生产成本。由于会影响原子层沉积的薄膜边缘不规整，进而影响原子层沉积材料的适用性。通过在掩膜版组件上的镂空区处形成凹陷部，这种设计方式可以使气流在镂空区处的掩膜版组件的边缘产生涡流，将掩膜版组件边缘的成膜气体聚集在边缘位置，防止成膜气体钻入掩膜版组件下，从而减小过界镀膜区域的距离。

进一步地，沿所述掩膜版组件的厚度方向贴合设置的第一掩膜版和第二掩膜版；

所述第一掩膜版具有第一凹陷部，所述第二掩膜版具有第二凹陷部，所述第一凹陷部与所述第二凹陷部配合以形成所述凹陷部。

进一步地，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版之间形成接触面；

所述第一掩膜版靠近所述第二掩膜版的一侧的表面在所述接触面的正投影与所述第二掩膜版靠近所述第一掩膜版的一侧的表面在所述接触面的正投影重合；

所述第二掩膜版远离所述第一掩膜版的一侧的表面在所述接触面的正投影大于且覆盖所述第一掩膜版远离所述第二掩膜版的一侧的表面在所述接触面的正投影。

进一步地，所述第一掩膜版的厚度小于等于所述第二掩膜版的厚度。

进一步地，所述掩膜版组件的厚度为25μm-5mm。

进一步地，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版之间设有静电吸附组件，以使所述第一掩膜版与所述第二掩膜版贴合。

第二方面，本发明提供的一种掩膜版组件的制作方法，用于如第一方面任一项所述掩膜版组件的制备，包括：

在所述掩膜版组件刻蚀以形成所述凹陷部；

对所述掩膜版组件进行表面处理。

本发明提供的一种掩膜版组件的制作方法，用于制作上述掩膜版组件，能够达到上述掩膜版组件所能够达到的有益效果，此处不再重复说明。

进一步地，所述掩膜版组件包括：第一掩膜版和第二掩膜版；

所述第一掩膜版刻蚀以形成第一凹陷部；所述第二掩膜版刻蚀以形成第二凹陷部；

将所述第一掩膜版和所述第二掩膜版进行对位吸附，以使所述第一掩膜版与所述第二掩膜版贴合。

进一步地，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版进行对位吸附，包括：

所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在大气环境下进行对位贴合。

进一步地，所述第一掩膜版与所述第二掩膜版通过静电吸附。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种掩膜版组件进行原子层沉积技术沉积薄膜的示意图；

图2为本发明实施例提供的图1中的a的局部放大示意图；

图3为本发明实施例提供的第一种掩膜版组件的截面结构示意图；

图4为本发明实施例提供的第二种掩膜版组件的截面结构示意图；

图5为本发明实施例提供的第三种掩膜版组件的截面结构示意图；

图6为本发明实施例提供的包括静电吸附组件的掩膜版组件的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的静电吸附件组件的截面图；

图8为本发明实施例提供的掩膜版组件的制作方法的步骤流程图；

图9为本发明实施例提供的包括静电吸附组件的掩膜版组件的制作方法的步骤流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在基底表面进行原子层沉积时，掩膜版组件将不需要沉积的地方遮挡住，但由于原子沉积的技术特性，会在基底表面不需要成膜区域出现很长的过界镀膜区域。

如图1所示，图1是本发明实施例提供的一种掩膜版组件300进行原子层700沉积技术沉积薄膜的示意图；第一方面，本发明实施例提供的一种掩膜版组件300，所述掩膜版组件300具有镂空区100；

至少一部分所述镂空区100的侧壁上形成有凹陷部200。

需要说明的是，在薄膜应用领域，用原子层700沉积技术沉积薄膜时，会在基底500上出现不需成膜的区域被沉积上薄膜，同时也可能会增加对过界镀膜区域600去除的工艺过程，这样会增加生产成本。由于会影响原子层700沉积的薄膜边缘不规整，进而影响原子层700沉积材料的适用性。通过在掩膜版组件300上的镂空区100处形成凹陷部200，这种设计方式可以使气流在镂空区100处的掩膜版组件300的边缘产生涡流，具体的，图1中的箭头示意气体流动方向，将掩膜版组件300边缘的成膜气体聚集在边缘位置，防止成膜气体钻入掩膜版组件300下，从而防止形成过界镀膜区域600。

这样的设计可以使气流在掩膜版组件300的边缘凹陷部200处产生涡流，将掩膜版边缘的成膜气体聚集在边缘位置，防止成膜气体钻入掩膜版下，从而防止形成过界镀膜区域600。

如图2所示，根据不同的气流方案，设计掩膜版边缘凹陷部200，边缘凹陷部200凹的深度和开口的大小会影响气流在掩膜版组件300边缘形成涡流的程度，从而可以不同程度上影响的过界镀膜区域600的距离。

本发明实施例提供的掩膜版组件300在制作掩膜版组件300边缘的凹陷部200时，具有一定的难度，常规的掩膜版组件300采用湿刻的工艺，因为湿刻是各向同性刻蚀，很难做到在掩膜版组件300边缘刻成凹陷部200。

因此，本发明实施例提供的掩膜版组件300，沿所述掩膜版组件300的厚度方向贴合设置的第一掩膜版310和第二掩膜版320；

所述第一掩膜版310具有第一凹陷部，所述第二掩膜版320具有第二凹陷部，所述第一凹陷部与所述第二凹陷部配合以形成所述凹陷部200。

所述第一掩膜版310与所述第二掩膜版320之间形成接触面；

所述第一掩膜版310靠近所述第二掩膜版320的一侧的表面在所述接触面的正投影与所述第二掩膜版320靠近所述第一掩膜版310的一侧的表面在所述接触面的正投影重合；

所述第二掩膜版320远离所述第一掩膜版310的一侧的表面在所述接触面的正投影大于且覆盖所述第一掩膜版310远离所述第二掩膜版320的一侧的表面在所述接触面的正投影。

具体的，如图3-图5所示，第一掩膜版310的第一凹陷部和第二掩膜版320的第二凹陷部的不同形状和结构，是依据不同的气流方案，设计第一凹陷部和第二凹陷部的不同形状和结构，以减小过界镀膜区域600的面积。

另外所述第一掩膜版310的厚度小于等于所述第二掩膜版320的厚度；具体的第一掩膜版310的厚度和第二掩膜版320的厚度根据气流的大小进行调节。

掩膜版组件300主要材料为：金属或合金，并且根据实际需要掩膜版组件300的厚度为25μm-5mm；

当挡掩膜版组件300中的第一掩膜版310和第二掩膜版320的厚度较薄时，则无法两张掩膜版分开刻蚀，再将两张贴合成一张如图3-图5，对于较薄的第一掩膜版310和第二掩膜版320可以在大气中对位贴合在一起，在成膜腔真空环境中，因卡西米尔效应会牢靠的吸附在一起。

当掩膜版组件300中第一掩膜版310和第二掩膜的厚度较厚时，如图6所示，所述第一掩膜版310与所述第二掩膜版320之间设有静电吸附组件400，以使所述第一掩膜版310与所述第二掩膜版320贴合。

当两层掩膜版较厚时就无法在腔内牢靠的贴合，解决的方法是在第一掩膜版310增加正电极410和负电极420，正电极410和负电极420形成正负电位，从而形成外加的静电吸附电路板如图7，电极材料有绝缘材料包裹的金属电极，电极厚度可按需设定。正、负电极需要贴合焊接至第一掩膜版310上，通过电极施加的正负电位带来静电吸附力，将第二掩膜版320与静电吸附组件400牢靠的吸附在一起。

如图8所示，本发明实施例提供的掩膜版组件300的制作方法的步骤流程图；第二方面，本发明实施例提供的一种掩膜版组件300的制作方法，用于如第一方面任一项所述掩膜版组件300的制备，包括：

在所述掩膜版组件300刻蚀以形成所述凹陷部200；

对所述掩膜版组件300进行表面处理。

具体的，所述掩膜版组件300包括：第一掩膜版310和第二掩膜版320；

步骤801：所述第一掩膜版310刻蚀以形成第一凹陷部；

步骤802：所述第二掩膜版320刻蚀以形成第二凹陷部；

步骤803：对第一掩膜版310表面处理；

步骤804：对第二掩膜版320表面处理；表面处理对第一掩膜版310和第二掩膜版320的表面清洁和表面材料处理，表面材料可以选择为绝缘材料。

具体的，如果掩膜版组件300的厚度较薄时，步骤805：将第一掩膜版310和所述第二掩膜版320进行对位贴合。第一掩膜版310和第二掩膜版320可以在大气中对位贴合在一起，然后在成膜腔真空环境中，因卡西米尔效应会将第一掩膜版310和第二掩膜版320牢靠的吸附在一起。

如图9所示，如果掩膜版组件300的厚度较厚时，在步骤803：对第一掩膜版310表面处理之后，进行步骤806：对第一掩膜版310增加正电极410和负电极420，正电极410和负电极420需要贴合焊接至第一掩膜版310上；然后将可在正电极410和负电极420贴合或是焊接在第一掩膜版之后，进行步骤807：对第一掩膜版表面处理；这里使用的处理材料可以是与步骤803采用相同的绝缘材料，也可是金属材料，这里的步骤807在步骤804之前，可以弥补步骤804不足以有效的对电极和第一掩膜版接触区域的缝隙进行填补，并且也可以通过省略步骤807：对第一掩膜版310表面处理，仅通过步骤804：对第一掩膜版310进行表面处理，然后通过步骤805：将第一掩膜版310和第二掩膜版320对位贴合。

具体的，正电极410和负电极420形成正负电位，从而形成外加的静电吸附电路板，电极材料有绝缘材料包裹的金属电极，电极厚度可按需设定。最后通过电极施加的正负电位带来静电吸附力，将第一掩膜版310和第二掩膜版320牢靠的吸附在一起。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。