1.一种二维材料制备方法，其特征在于，将基片载置在基片台上，将小片待制备二维材料固定到所述基片中心位置作为籽晶，气态源由气流管路从上往下经过等离子体发生器进入处理室中，气流管路的下端口设置在基片正中心上方，使得气态源从基片中心向四周均匀扩展，通过控制所述气态源以第一流速条件和第一温度条件，使流场和温场沿所述基片表面水平分布，从而在基片上获得各个方向生长均匀的二维材料。
2.如权利要求1所述的二维材料制备方法，其特征在于，所述第一流速条件为在距气流管路下端管口中心竖直距离1.5cm～2.0cm的区域内气体流速为0.04～4m/s；所述第一温度条件为距所述气流管路下端管口中心竖直距离1.5cm～2.0cm区域内的温度为0.7×103～1.5×103k。
3.如权利要求2所述的二维材料制备方法，其特征在于，所述第一流速条件为在距气流管路下端管口中心竖直距离1.5～2.0cm的区域内气体流速为0.4～0.8m/s；所述第一温度条件为距所述气流管路下端管口竖直距离1.5～2.0cm的区域内的温度为0.75×103～0.9×103k。
4.如权利要求1所述的二维材料制备方法，其特征在于，所述二维材料为mos2，所述气态源包括第一气态源和第二气态源，所述第一气态源为气态硫源，所述第二气态源为气态过渡金属源。
5.如权利要求4所述的二维材料制备方法，其特征在于，所述气态硫源为h2s或c2h4s，所述气态过渡金属源为mo(co)6。
6.如权利要求1所述的二维材料制备方法，其特征在于，所述二维材料为mos2，所述基片上镀有moo3膜作为前驱体，所述气态源为气态硫源。
7.如权利要求1所述的二维材料制备方法，其特征在于，所述气流管路的下端口与基片的间距范围为0.5cm～5cm。
8.如权利要求1所述的二维材料制备方法，其特征在于，所述气流管路的下端口的开口直径为0.3cm～1cm。
9.如权利要求1所述的二维材料制备方法，其特征在于，所述籽晶的直径小于气流管路的下端口的开口直径。
10.如权利要求1所述的二维材料制备方法，其特征在于，在进行制备过程中，通过选择基片台旋转基片。