技术特征：
1.一种介电溅射沉积靶材，主要由以下部分组成：介电化合物，所述介电化合物具有范围从约65μm到500μm的预定平均晶粒尺寸，其中所述介电化合物是氧化镁或氧化铝中的至少一种。2.如权利要求1所述的介电溅射沉积靶材，其中所述介电化合物的晶粒的至少80％具有在所述预定平均晶粒尺寸的20％以内或在所述预定平均晶粒尺寸的30％以内之一的尺寸。3.如权利要求1所述的介电溅射沉积靶材，其中所述介电化合物是单晶。4.如权利要求1至3中任一项所述的介电溅射沉积靶材，其中所述介电化合物是具有约400μm的所述预定平均晶粒尺寸的氧化镁。5.如权利要求1所述的介电溅射沉积靶材，其中所述介电化合物具有至少99.7％的密度。6.如权利要求1至3或5中任一项所述的介电溅射沉积靶材，其中所述介电化合物具有至少99.98％的密度。7.一种处理腔室，包括：腔室主体，所述腔室主体界定内部空间；基板支撑件，所述基板支撑件用以支撑所述内部空间内的基板；和待溅射到所述基板上的多个靶材，所述多个靶材包含至少一个介电靶材和至少一个金属靶材，其中所述介电靶材包含介电化合物，所述介电化合物具有范围从约65μm到500μm的预定平均晶粒尺寸。8.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述介电化合物是单晶。9.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述介电化合物是具有约400μm的所述预定平均晶粒尺寸的氧化镁。10.如权利要求7所述的处理腔室，进一步包括：多个阴极，所述多个阴极耦接至所述腔室主体并且对应于所述多个靶材。11.如权利要求7所述的处理腔室，进一步包括屏蔽件，所述屏蔽件耦接到所述腔室主体并且具有至少一个孔，所述至少一个孔用以暴露待溅射的所述多个靶中的至少一个靶材，其中所述多个靶材设置成与所述屏蔽件的边缘相距至少0.5英寸。12.如权利要求7至11中任一项所述的处理腔室，其中所述屏蔽件可旋转地耦接到所述腔室主体的上部。13.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述屏蔽件进一步包括：至少一个分流器，所述分流器设置在所述屏蔽件的顶侧以容纳和屏蔽不要被溅射的所述多个靶材中的至少另一个靶材。14.如权利要求7至11或13中任一项所述的处理腔室，其中所述屏蔽件被构造成用以绕所述处理腔室的中心轴旋转以及沿所述处理腔室的中心轴线性移动。15.一种用于在处理腔室中执行物理气相沉积的方法，所述方法包括以下步骤：在所述处理腔室中选择第一靶材，并且经由所述第一靶材在工件上沉积介电化合物，其中所述介电化合物具有范围从约65μm至500μm的预定平均晶粒尺寸；和在所述处理腔室中选择第二靶材，并且经由所述第二靶材在所述工件上的所述介电化合物之上沉积金属。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述第一靶材是介电靶材并且所述第二靶材是金属靶材。17.如权利要求15或16中任一项所述的方法，其中所述介电化合物是具有约400μm的所述预定平均晶粒尺寸的单晶氧化镁。18.如权利要求15中任一项所述的方法，其中所述金属是钽。19.如权利要求15所述的方法，其中所述第一靶材设置成与所述处理腔室的屏蔽件的边缘相距约0.5英寸至2.0英寸。20.如权利要求15、16、18或19中任一项所述的方法，其中所述第一靶材具有镜面抛光。
技术总结
提供用于用来减少介电溅射期间工件中的缺陷的等离子体腔室靶材的方法和设备。例如，介电溅射沉积靶材可以包括具有范围从约65μm到500μm的预定平均晶粒尺寸的介电化合物，其中该介电化合物是氧化镁或氧化铝中的至少一种。种。种。
技术研发人员：王晓东 雷建新 汪荣军
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2021.06.03
技术公布日：2022/10/25