陶瓷套环及气相沉积设备的制作方法

本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种陶瓷套环及气相沉积设备。

背景技术：

1、气相沉积技术是利用气相中发生的物理、化学过程，在待成膜基板上形成薄膜，其可以分为化学气相沉积和物理气相沉积。

2、气相沉积设备通过在相对的两个电极片，电极片和电极片之间施加一定频率的电压，电极片和电极片通过隔离管隔离，从而可以在电极片和电极片之间产生电磁场，以使得气体在待成膜基板表面沉积。然而，在气相沉积设备使用了一段时间之后，会在隔离管表面也形成一层薄膜，若薄膜为导体或半导体薄膜，随着薄膜厚度的增加，电极片和电极片之间的阻抗会降低，甚至发生短路，使得气相沉积设备不稳定，气相沉积设备的沉积速率随着使用时间的增加而降低，特别是在高温环境下，半导体的电导率会迅速增大，这样会加剧沉积的稳定性，甚至使气相沉积设备无法正常工作，这将严重影响薄膜沉积的重复性，如专利号为cn211079329u的中国专利，公开了一种电极间隔离结构、气相沉积设备和石墨舟。尤其公开了内隔离管的外壁与外隔离管的内壁间隔设置，从而在两者之间形成了缝隙，所形成的缝隙使得气体难以在其内部沉积，使得舟片之间难以导通，不会降低电极片之间的阻抗。但是现有的缝隙由于气路不顺畅，例如电极片与隔离管接触处的气体无法导出，从而导致导出气体的效率低下。因此亟需一种气路更加顺畅的设备。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种陶瓷套环及气相沉积设备，通过提供更加顺畅的气路，使得陶瓷套环内的气体导出的更加干净，使得舟片之间难以导通，不会降低电极片之间的阻抗，从而使得气相沉积设备工作稳定。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了一种陶瓷套环，设于第一舟片和第二舟片之间，所述套环包括第一环以及套设在所述第一环外的第二环；

3、所述第一环与所述第二环均具有第一端和第二端，所述第一环在第一端凸出外环表面设有第一凸起，所述第二环在第一端凸出内环表面设有与所述第一凸起相抵接的第二凸起；

4、其中，所述第一环的第一端与所述第一舟片相分离形成第一缝隙，且所述第一环的第二端与所述第二舟片相抵接；所述第二环的第一端与所述第一舟片相抵接，且所述第二环的第二端与所述第二舟片相分离形成第二缝隙；所述第二环的内侧壁与所述第一环的外侧壁之间形成与所述第二缝隙相通的第三缝隙。

5、可选的，所述第一环上设有第一通孔，以使所述第二缝隙与所述第一环的内腔连通。

6、可选的，所述第一通孔的数量至少设置有一个。

7、可选的，所述第二环上设有第二通孔，以使所述第一缝隙与所述第二环的外腔连通。

8、可选的，所述第二通孔的数量至少设置有一个。

9、可选的，所述第一环在第一端向所述第一缝隙内突出一台阶，所述台阶和所述第一舟片之间形成一与所述第一缝隙相连的第四缝隙。

10、可选的，所述第一环的外环表面和/或所述第二环的外环表面设有波纹。

11、可选的，所述第一凸起远离所述第一环的一端设置为圆角。

12、可选的，所述第一凸起远离所述第一环的一端设置为清根角。

13、一种气相沉积设备，包括：

14、至少两个舟片；

15、设置在相邻两个所述舟片之间的所述的陶瓷套环；

16、固定杆，穿过所述至少两个所述舟片和所述陶瓷套环，以将所述至少两个舟片和所述陶瓷套环固定在一起。

17、本实用新型的有益效果如下：

18、本实用新型中第一凸起和第二凸起的相互配合，在第一环的第一端形成第一缝隙，在第二环的第二端形成第二缝隙，在第二环的内侧壁与第一环的外侧壁之间形成与第二缝隙相通的第三缝隙，通过提供三条气路使得陶瓷套环内的气体流动气路更加顺畅，从而能够更加干净的排除陶瓷套环内的气体，使得舟片之间难以导通，不会降低电极片之间的阻抗，从而使得气相沉积设备工作稳定。

技术特征：

1.一种陶瓷套环，设于第一舟片和第二舟片之间，其特征在于，所述套环包括第一环以及套设在所述第一环外的第二环；

2.根据权利要求1所述的陶瓷套环，其特征在于，所述第一环上设有第一通孔，以使所述第二缝隙与所述第一环的内腔连通。

3.根据权利要求2所述的陶瓷套环，其特征在于，所述第一通孔的数量至少设置有一个。

4.根据权利要求1所述的陶瓷套环，其特征在于，所述第二环上设有第二通孔，以使所述第一缝隙与所述第二环的外腔连通。

5.根据权利要求4所述的陶瓷套环，其特征在于，所述第二通孔的数量至少设置有一个。

6.根据权利要求1所述的陶瓷套环，其特征在于，所述第一环在第一端向所述第一缝隙内突出一台阶，所述台阶和所述第一舟片之间形成一与所述第一缝隙相连的第四缝隙。

7.根据权利要求1所述的陶瓷套环，其特征在于，所述第一环的外环表面和/或所述第二环的外环表面设有波纹。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的陶瓷套环，其特征在于，所述第一凸起远离所述第一环的一端设置为圆角。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的陶瓷套环，其特征在于，所述第一凸起远离所述第一环的一端设置为清根角。

10.一种气相沉积设备，其特征在于，包括：

技术总结
本技术提供了一种陶瓷套环及气相沉积设备；包括第一环以及套设在所述第一环外的第二环；所述第一环在第一端凸出外环表面设有第一凸起，所述第二环在第一端凸出内环表面设有与所述第一凸起相抵接的第二凸起；所述第一环的第一端与所述第一舟片相分离形成第一缝隙，且所述第一环的第二端与所述第二舟片相抵接；所述第二环的第一端与所述第一舟片相抵接，且所述第二环的第二端与所述第二舟片相分离形成第二缝隙；所述第二环的内侧壁与所述第一环的外侧壁之间形成与所述第二缝隙相通的第三缝隙；本技术中通过提供更加顺畅的气路，使得陶瓷套环内的气体导出的更加干净，从而使得气相沉积设备工作稳定。

技术研发人员：张开江,冯垠洁,陆勇,孙海晨,钟文兵
受保护的技术使用者：理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司
技术研发日：20221230
技术公布日：2024/1/12