本公开内容的实施例大抵涉及抛光垫和制造抛光垫的方法,更具体地,涉及用于在电子器件制造过程中对基板进行化学机械抛光(cmp)的抛光垫。
背景技术:
0、现有技术的描述
1、化学机械抛光(cmp)通常用于制造高密度集成电路以平坦化或抛光沉积在基板上的材料层。典型的cmp处理包括使待平坦化的材料层与抛光垫接触并移动抛光垫、基板或两者,从而在包括磨粒的抛光液称为浆料的存在的情况下在材料层表面和抛光垫之间产生相对运动。通过由抛光液、磨粒以及基板和抛光垫的相对运动提供的化学和机械活性的组合,材料在与抛光垫接触的基板的材料层表面上被去除。
2、在抛光过程中,从基板上去除的材料可能会堆积在抛光垫上,这就是所谓的碎屑负载(debris loading)。例如,堆积可能发生在抛光垫的抛光表面上和/或抛光垫的孔内。碎屑负载的水平增加,可能导致较低的cmp去除率和较高的基板缺陷率。新的浆料可以不断地添加到抛光表面以去除和替换旧浆料,从而去除碎屑。然而,传统的抛光垫可能对浆料的流动具有高阻力,这限制了浆料在垫上的传输,并因此导致不希望的碎屑负载。
3、因此,本领域需要具有改进的浆料传输特性的抛光垫和形成抛光垫的方法。
技术实现思路
1、本文所描述的实施例一般涉及抛光垫,以及用于制造可用于化学机械抛光(cmp)处理的抛光垫的方法。更具体地,本文的实施例提供了具有互连孔的抛光垫和形成抛光垫的增材制造方法。
2、在一个实施例中,抛光垫包括多个抛光元件和设置在抛光元件之间的多个凹槽。每个抛光元件包括多个独立柱。每个柱包括形成抛光垫的抛光表面的一部分的独立表面,和从独立表面向下延伸的一个或多个侧壁。多个独立柱的侧壁限定在柱之间的多个孔。孔的深度大约等于凹槽的深度。
3、在另一个实施例中,形成抛光垫的方法包括(a)根据预定的液滴分配图案将预聚物组合物的液滴分配到先前形成的印刷层的表面上。方法包括(b)至少部分固化预聚物组合物的分配液滴以形成印刷层。该方法包括(c)依次重复(a)和(b)以形成多个抛光元件。多个凹槽设置在抛光元件之间。每个抛光元件包括多个独立柱。每个柱包括形成抛光垫的抛光表面的一部分的独立表面,和从独立表面向下延伸的一个或多个侧壁。多个独立柱的侧壁限定在柱之间的多个孔并且孔的深度大约等于凹槽的深度。
4、在另一个实施例中,抛光基板的方法包括将基板推靠在抛光垫的抛光表面上。抛光垫包括多个抛光元件和设置在抛光元件之间的多个凹槽。每个抛光元件包括多个独立柱。每个柱包括形成抛光垫的抛光表面的一部分的独立表面,和从独立表面向下延伸的一个或多个侧壁。多个独立柱的侧壁限定在柱之间的多个孔并且孔的深度大约等于凹槽的深度。
1.一种抛光垫,包含:
2.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述孔为互连的。
3.如权利要求1所述的抛光垫,其中至少一个孔完全延伸穿过每个抛光元件并连接到所述抛光元件的相对侧上的凹槽。
4.如权利要求1所述的抛光垫,其中由所述抛光元件形成的抛光层在所述抛光垫的基底层上方延伸第一高度,并且其中所述孔的深度约等于所述第一高度。
5.如权利要求1所述的抛光垫,其中每个孔的宽度小于每个凹槽的宽度。
6.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述抛光元件和独立柱定位成使得通过所述凹槽的总流动阻力与通过所述孔的总流动阻力的比为约1:4至约1:1。
7.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述抛光元件和独立柱定位成使得通过所述凹槽的总流动阻力约等于通过所述孔的总流动阻力。
8.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述孔的深度约等于所述凹槽的所述深度。
9.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述柱以重复的子单元布置。
10.如权利要求9所述的抛光垫,其中每个重复子单元包括金字塔图案。
11.如权利要求9所述的抛光垫,其中每个重复子单元包括砖砌图案。
12.如权利要求9所述的抛光垫,其中每个重复子单元包括风车图案。
13.一种形成抛光垫的方法,包括:
14.如权利要求13所述的方法,所述方法进一步包括:根据所述预定的液滴分配图案将牺牲材料组合物的液滴分配到所述先前形成的印刷层的所述表面上。
15.如权利要求13所述的方法,其中所述预定液滴分配图案对应于重复子单元中的柱的布置。
16.如权利要求15所述的方法,其中每个重复子单元包括金字塔图案、砌砖图案或风车图案中的至少一种。
17.一种用于抛光基板的方法,包含:
18.如权利要求17所述的方法,其中所述孔为互连的。
19.如权利要求17所述的方法,其中至少一个孔完全延伸穿过每个抛光元件并连接到所述抛光元件的相对侧上的凹槽。
20.如权利要求17所述的方法,其中每个孔的宽度小于每个凹槽的宽度,并且其中所述孔的深度约等于所述凹槽的所述深度。