成膜装置的制作方法

本发明涉及一种成膜装置。

背景技术：

1、使镓(ga)氮化后的化合物半导体作为下一代的设备材料受到关注。例如，作为使用了氮化镓(gan：gallium nitride)的设备，有发光设备、功率设备、高频通信设备等。此种设备是通过在硅(si)晶片、碳化硅(sic)晶片、蓝宝石基板、玻璃基板形成使ga氮化后的化合物膜(gan膜)来制造。

2、自以前以来，gan的成膜是通过金属有机化学气相沉积(metal organic chemicalvapor deposition，mo-cvd)法进行。mo-cvd法为了抑制在常温常压下为液体的镓(ga)的蒸发，且使ga与氮(n)反应，需要大量的在处理中使用的nh3气体，因此材料的使用效率差。进而，难以对材料气体进行操作，难以稳定地维持装置的状态，因此良率差。另外，在处理时掺入有处理气体中的氢(h)的gan膜中，需要脱氢处理此一多余的工序。

3、因此，提出了一种成膜装置，是在真空的腔室内流动溅镀气体、工艺气体，对保持于腔室内的工件，通过溅镀使靶的材料堆积并氮化，由此提高材料的使用效率。此种成膜装置由于不使用包含氢(h)的反应气体，因此不需要脱氢等多余的工序。进而，由于只要将容易处理的稀有气体导入至腔室内即可，因此容易稳定地维持装置的状态，良率变良好。

4、[现有技术文献]

5、[专利文献]

6、[专利文献1]日本专利特开2011-097041号公报

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、在通过溅镀使镓(ga)氮化后的化合物膜等进行成膜的成膜装置中，为了在成膜时提高膜的结晶性，需要在加热至数百℃左右的同时进行成膜。作为加热源，例如如专利文献1那样有与对基板进行载置的旋转台分离而固定配置的加热源。

3、但是，在自与旋转台分离的位置进行加热的情况下，由于腔室内为真空，因此工件主要仅利用辐射热进行加热。于是，即便是30mm左右的近的距离，也需要在必要的温度以上进行加热。例如，在需要将工件加热至600℃的情况下，需要在1000℃下加热，因此需要高输出的加热装置，成本变高。因此，要求一种具有在成膜时可对工件进行效率良好的加热的加热源的成膜装置。

4、本发明是为了解决如所述那样的课题而提出，其目的在于提供一种可效率良好地加热工件并且进行成膜的成膜装置。

5、[解决问题的技术手段]

6、为了实现所述目的，本实施方式的成膜装置具有：腔室，能够使内部为真空；旋转台，设置于所述腔室内，对多个工件进行保持，以圆周的轨迹进行循环搬送；成膜部，具有对导入至包含成膜材料的靶与所述旋转台之间的溅镀气体进行等离子体化的等离子体产生器，通过溅镀使所述成膜材料的粒子堆积于由所述旋转台进行的循环搬送中的所述工件来进行成膜；膜处理部，对利用所述成膜部堆积于由所述旋转台进行的循环搬送中的所述工件而成的膜进行处理；多个保持区域，在所述旋转台中设置于作为旋转轴以外的区域的、与所述成膜部及所述膜处理部相向的圆环状的成膜区域，对各个所述工件进行保持；以及加热部，配置于所述保持区域。

7、[发明的效果]

8、通过本发明的实施方式，可提供可效率良好地加热工件并且进行成膜的成膜装置。

技术特征：

1.一种成膜装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述加热部设置于所述保持区域中的所述旋转台与所述工件之间。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述加热部设置成能够进行温度调整，以使所述工件阶段性地上升至目标温度为止。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，具有隔热部，所述隔热部在所述旋转台的与各处理部相对的所述成膜区域侧的相反侧，与所述旋转台空开间隔，沿着所述成膜区域进行配置。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述工件经由托盘而被保持于所述旋转台，

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，具有表面处理部，所述表面处理部对由所述旋转台进行的循环搬送中的所述工件的表面及所述膜的至少一个表面进行处理。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的成膜装置，其特征在于，所述成膜部包含使含有gan的所述成膜材料的粒子堆积的gan成膜部，

技术总结
本发明提供一种可效率良好地加热工件并且进行成膜的成膜装置。实施方式的成膜装置具有：腔室，能够使内部为真空；旋转台，设置于腔室内，对多个工件进行保持，以圆周的轨迹进行循环搬送；成膜部，具有对导入至包含成膜材料的靶与旋转台之间的溅镀气体进行等离子体化的等离子体产生器，通过溅镀使成膜材料的粒子堆积于由旋转台进行的循环搬送中的工件来进行成膜；膜处理部，对利用成膜部堆积于由旋转台进行的循环搬送中的工件而成的膜进行处理；多个保持区域，在旋转台中设置于作为旋转轴以外的区域的、与成膜部及膜处理部相向的圆环状的成膜区域，对各个工件进行保持；以及加热部，配置于多个保持区域。

技术研发人员：泷泽洋次,樋口胜敏
受保护的技术使用者：芝浦机械电子装置株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15