本发明涉及一种集流体用覆铜聚合物薄膜的制备方法，属于功能材料技术范畴。
背景技术：
1、随着锂电技术的发展，锂电池用集流体发展也很快；正极铝箔由前几年的16μm降低到了12μm，有的电池生产厂家已经量产使用10μm的铝箔，甚至用到8μm。而负极用铜箔，其厚度由之前12μm降低到8μm，有的电池厂家量产用6μm，正在开发的有5μm/4μm。
2、聚合物薄膜覆铜材料，如聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚酰亚胺(pi)、聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)的覆铜薄膜材料，是理想的锂电池负极集流体材料，目前的制备方法主要有物理气相沉积(pvd)和电镀；pvd技术在半导体领域应用已经较为成熟，主要有磁控溅射、电子束蒸镀和真空蒸镀，其中磁控溅射方法制备的覆铜薄膜，质量较好，但是生产成本高；电镀法生产覆铜薄膜，必须先在聚合物薄膜上磁控溅射上一层几十到上百纳米厚度的铜，然后才能电镀，整体生产成本也比较高，虽然比纯磁控溅射低；真空蒸镀法生产覆铜聚合物薄膜，生产成本最低，如果聚合物薄膜厚度太小，如低于15μm，由于真空蒸发的沉积的铜颗粒的热含量较高，导致聚合物薄膜沉积铜颗粒局部容易被熔化穿孔，不适合制作锂电池的集流体；这种现象在电子束蒸镀中也有发现。
3、因此，为了解决蒸镀法生产集流体用覆铜聚合物薄膜的穿孔问题，降低生产综合成本，满足锂电池负极集流体的要求，特完成本发明。
技术实现思路
1、本发明的目的是一种集流体用覆铜聚合物薄膜的制备方法，使蒸镀法生产集流体用覆铜聚合物薄膜不发生穿孔现象，利于降低集流体用覆铜聚合物薄膜生产综合成本。
2、为实现上述目的，本发明的具体采用如下步骤：
3、在聚合物薄膜表面先蒸镀一层金属铝薄膜，形成覆铝聚合物薄膜，然后再在覆铝聚合物薄膜的铝层表面，蒸镀上一层金属铜薄膜，即可制成无穿孔的覆铜聚合物薄膜，满足锂电池负极集流体的要求。
4、所述集流体用覆铜聚合物薄膜包括聚合物薄膜、蒸镀金属铝中间层、蒸镀金属铜表面层，其中各层的厚度为：
5、聚合物薄膜3～20μm；
6、金属铝中间层50～1000nm；
7、金属铜表面层100～2000nm；
8、其中聚合物薄膜是pet、pen、pe、pi、pp薄膜；
9、蒸镀工艺可以采用真空蒸镀、电子束蒸镀。
10、本发明的优点在于：
11、真空蒸镀或电子束蒸镀生产覆铝聚合物薄膜，由于蒸发的沉积的铝颗粒的热含量适中，可以形成无穿孔的覆铝聚合物薄膜，技术成熟，已经批量化生产制备锂电池用正极集流体材料；在覆铝聚合物金属铝表层，再蒸镀沉积一层金属铜，由于沉积的金属铜颗粒不与聚合物薄膜直接接触，其所带的热量也被金属铝表层传导分散，不会导致聚合物薄膜局部熔化穿孔，此蒸镀金属铜工艺可以采用真空蒸镀或电子束蒸镀；并且，金属铝与金属铜可以形成合金相，其接触面可以形成紧密的过渡层结合；因此，利用蒸镀金属铝中间镀层，可以解决蒸镀法生产集流体用覆铜聚合物薄膜的穿孔问题，满足锂电池负极集流体的要求，降低生产综合成本。
12、附表说明
13、附表1：各实施例中各种聚合物的材质及制备条件。
1.一种集流体用覆铜聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述集流体用覆铜聚合物薄膜的制备方法，是在聚合物薄膜表面先蒸镀一层金属铝薄膜，形成覆铝聚合物薄膜，然后再在覆铝聚合物薄膜的铝层表面，蒸镀上一层金属铜薄膜；
2.如权利要求1所述的一种集流体用覆铜聚合物薄膜的制备方法，其特征在于所述的聚合物薄膜是pet、pen、pe、pi、pp薄膜。
3.如权利要求1所述的一种集流体用覆铜聚合物薄膜的制备方法，其特征在于所述的蒸镀工艺是真空蒸镀和电子束蒸镀。