本发明涉及铝合金铸锭均匀化,尤其涉及超大规格5083铝合金铸锭的均匀化方法。
背景技术:
1、目前,我国半导体用5083铝合金主要为锻件,该种合金及规格特殊,质量要求高,不仅价格昂贵,而且时常性能达不到要求,对半导体的发展造成了影响。因此,针对半导体用5083合金锻件用铸锭内部质量,亟需进行自主攻关研发,生产满足5083合金锻件用的优质铸锭。
2、5083锻件对铸锭冶金质量控制技术要求相当高,粗大化合物较难控制,且对于超大规格铸锭成品偏析严重等问题,因为dc铸造原因大规格铸锭外部优先冷却,中心部位冷却较慢,晶粒容易长达,且因液穴问题成分偏析更为严重,尤其对于直径φ1350mm如此大的铸锭的5083合金锻件,更难以保证成品得各项检测,同时熔铸技术难以保证成型,成型后均匀化未能有效减少化合物数量。
技术实现思路
1、本发明要解决的技术问题在于提供一种超大规格5083铝合金铸锭的均匀化方法,本发明提供的均匀化方法制备得到的铝合金铸锭的粗大化合物比例较小,且晶粒细小均匀。
2、有鉴于此,本发明提供了一种超大规格5083铝合金铸锭的均匀化方法,其特征在于,包括如下步骤:
3、a)将5083铝合金铸锭进行均匀化处理,得到均热的铸锭;所述均匀化处理包括依次进行的一级加热、一级保温、二级加热和二级保温;
4、b)将均热的铸锭进行冷却处理。
5、优选的,所述一级加热温度为400℃~480℃,温度控制±5℃;时间为8~20h。
6、优选的,所述一级保温的温度为360℃~440℃,温度控制±5℃;时间为8~12h。
7、优选的,所述二级加热的温度为445~525℃,温度控制±5℃;时间为4~20h。
8、优选的,所述二级保温的温度为445~525℃,温度控制±5℃;时间为40~56h。
9、优选的,所述冷却工艺包括第一级冷却和第二级冷却。
10、优选的,所述第一级冷却为风冷;所述第一级冷却的时间为80~160min;风机转向10~30min/次,风机额定功率90%。
11、优选的,所述第二级冷却为风冷配合水雾冷却;所述第二级冷却的时间为60~120min,水流量为5~25m3/h,风机不转向,风机额定功率90%。
12、优选的,所述冷却处理后的铝合金铸锭的直径为1300~1400mm。
13、本发明提供了一种超大规格5083铝合金铸锭的均匀化方法,首先将超大规格5083铝合金铸锭进行均匀化处理,得到均热的铸锭;所述均匀化处理包括依次进行的一级加热、一级保温、二级加热和二级保温;然后将均热的铸锭进行冷却处理。本发明通过均匀化制度与相应的均匀化冷却方式的配合,通过均热过程使得晶粒内的化合物溶解并得到强化,如果慢冷过程中会使得化合物重新析出,因此在使得组织均匀化的同时,急剧冷却减少化合物,增加组织强化相,大大减少了化合物聚集,最终制成一种主要满足性能指标的产品,以实现批量化生产。
1.一种超大规格5083铝合金铸锭的均匀化方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的均匀化方法,其特征在于,所述一级加热温度为400℃~480℃,温度控制±5℃;时间为8~20h。
3.根据权利要求1所述的均匀化方法,其特征在于,所述一级保温的温度为360℃~440℃,温度控制±5℃;时间为8~12h。
4.根据权利要求1所述的均匀化方法,其特征在于,所述二级加热的温度为445~525℃,温度控制±5℃;时间为4~20h。
5.根据权利要求1所述的均匀化方法,其特征在于,所述二级保温的温度为445~525℃,温度控制±5℃;时间为40~56h。
6.根据权利要求1所述的均匀化方法,其特征在于,所述冷却工艺包括第一级冷却和第二级冷却。
7.根据权利要求6所述的均匀化方法,其特征在于,所述第一级冷却为风冷;所述第一级冷却的时间为80~160min;风机转向10~30min/次,风机额定功率90%。
8.根据权利要求6所述的均匀化方法,其特征在于,所述第二级冷却为风冷配合水雾冷却;所述第二级冷却的时间为60~120min,水流量为5~25m3/h,风机不转向,风机额定功率90%。
9.根据权利要求1~8任一项所述的均匀化方法,其特征在于,所述冷却处理后的铝合金铸锭的直径为1300~1400mm。