晶圆磨削后处理系统、装置、方法及晶圆减薄设备与流程

本申请实施例涉及晶圆减薄，尤其涉及一种晶圆磨削后处理系统、装置、方法及晶圆减薄设备。

背景技术：

1、晶圆减薄设备是一种对晶圆进行磨削抛光处理的晶圆加工设备。

2、目前在进行晶圆加工的过程中，通常首先对上料至晶圆减薄设备的晶圆进行磨削处理，然后将经过磨削处理的晶圆传输至晶圆减薄设备的抛光处理区，以继续对该晶圆进行抛光处理。

3、但是，在对晶圆进行磨削处理的过程中，由于要将晶圆磨削至较薄的状态，因此晶圆边缘会出现锯齿状的崩边，目前晶圆的崩边在磨削处理之后一般无法去除，以致在进行抛光处理时，崩边容易脱落，使晶圆表面存在微小晶渣，微小晶渣会导致晶圆表面被划伤，晶圆表面较深的划伤经过抛光处理后难以完全去除，并且，在进行抛光处理时，晶圆表面被划伤处的周边会脱落微小晶粒，导致晶圆的污染物工艺指标不达标，故而，对晶圆进行加工的加工质量较差。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例提供一种晶圆磨削后处理系统、装置、方法及晶圆减薄设备，以至少部分解决上述问题。

2、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种晶圆磨削后处理系统，包括承载台、移动机构、抛光垫、计算机存储介质；所述承载台，用于放置经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆；所述移动机构，用于带动所述抛光垫移动；所述抛光垫，用于去除所述晶圆的崩边；所述计算机存储介质用于存储计算机程序产品，该计算机程序产品在执行时用于控制所述承载台、所述移动机构执行如下方法：确定经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆被放置在承载台上；控制所述承载台带动所述晶圆绕所述晶圆的轴线方向旋转；控制移动机构带动抛光垫移动至与所述晶圆上存在崩边的晶边抵接，以去除所述晶圆的崩边；其中，晶圆晶边的去除率为mrr＝kpv*cosθ，其中，k为preston系数，p为抛光垫施加在晶边的压力，v为抛光垫与晶边的接触位置处晶圆与抛光垫的相对速度，θ为抛光垫与晶片表面之间的夹角。

3、根据本申请实施例的第二方面，提供了一种晶圆磨削后处理装置，包括承载台、移动机构、抛光垫；所述承载台，用于放置经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆，并带动所述晶圆绕所述晶圆的轴线方向旋转；所述移动机构，用于带动所述抛光垫移动；所述抛光垫，用于在所述移动机构带动下与所述晶圆上存在崩边的晶边抵接后，去除所述晶圆的崩边；其中，晶圆晶边的去除率为mrr＝kpv*cosθ，其中，k为preston系数，p为抛光垫施加在晶边的压力，v为抛光垫与晶边的接触位置处晶圆与抛光垫的相对速度，θ为抛光垫与晶片表面之间的夹角。

4、根据本申请实施例的第三方面，提供了一种晶圆磨削后处理方法，所述方法包括：将经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆放置在承载台上；控制所述承载台带动所述晶圆绕所述晶圆的轴线方向旋转；控制移动机构带动抛光垫移动至与所述晶圆上存在崩边的晶边抵接，以去除所述晶圆的崩边；其中，晶圆晶边的去除率为mrr＝kpv*cosθ，其中，k为preston系数，p为抛光垫施加在晶边的压力，v为抛光垫与晶边的接触位置处晶圆与抛光垫的相对速度，θ为抛光垫与晶片表面之间的夹角。

5、根据本申请实施例的第四方面，提供了一种晶圆减薄设备，包括：前端模块，位于所述晶圆减薄设备的前端，用于实现晶圆的进出；磨削模块，位于所述晶圆减薄设备的末端，用于晶圆的磨削；抛光清洗模块，位于所述前端模块与所述磨削模块之间，用于晶圆的化学机械抛光和清洗；如上所述的晶圆磨削后处理系统，设置在所述磨削模块上。

6、根据本申请实施例提供的晶圆磨削后处理系统，在使用晶圆磨削后处理系统的过程中，对于经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆，将其放置在承载台上，再控制承载台带动晶圆绕晶圆的轴线方向转动，然后控制移动机构带动抛光垫移动，直至抛光垫与晶圆上存在崩边的晶边抵接，此时晶圆相对于抛光垫转动，持续一段时间后，晶圆的崩边即可被抛光垫摩擦掉，以去除晶圆的崩边。由此，本申请实施例中通过采用承载台、移动机构和抛光垫，可以在抛光处理之前对晶圆在磨削处理时产生的崩边进行去除，以使对晶圆进行抛光处理时，减小由于崩边脱落而使晶圆表面存在晶渣的可能性，进而可以减小晶圆表面被晶渣划伤的可能性，还可以减小抛光处理时晶圆表面的划伤处脱落微小晶粒的可能性，提高晶圆的污染物工艺指标达标率，因此，可以提高对晶圆进行加工时的加工质量。

技术特征：

1.一种晶圆磨削后处理系统，其特征在于，包括承载台、移动机构、抛光垫、计算机存储介质；

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括与所述移动机构连接的旋转机构和/或往复机构；

3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的系统，其特征在于，所述抛光垫的抵接面与所述晶圆的轴线方向夹角大于85°且小于90°。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，还包括角度调整机构；

6.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述抛光垫为圆环形片状结构，所述抛光垫的抵接面为所述抛光垫的一个圆环面，所述抛光垫的抵接面上设置有与所述抛光垫的径向不平行的第一纹路；

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，还包括安装盘；

8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述喷嘴设置有多个，至少部分所述喷嘴为第一喷嘴，且至少部分所述喷嘴为第二喷嘴；

9.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，还包括抛光垫清洁机构，所述抛光垫清洁机构包括清洁盘；

10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述抛光垫清洁机构还包括支撑柱、弹性盘和盘基座；

11.根据权利要求9或10所述的系统，其特征在于，所述抛光垫清洁机构还包括清洁喷嘴，所述清洁喷嘴用于在所述清洁盘修整所述抛光垫的过程中，向所述抛光垫喷射液体。

12.一种晶圆磨削后处理装置，其特征在于，包括承载台、移动机构、抛光垫；

13.一种晶圆磨削后处理方法，其特征在于，所述方法包括：

14.一种晶圆减薄设备，其特征在于，包括：

技术总结
本申请实施例涉及晶圆减薄技术领域，提供了一种晶圆磨削后处理系统、装置、方法及晶圆减薄设备，该晶圆磨削后处理系统包括承载台、移动机构、抛光垫、计算机存储介质；承载台，用于放置经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆；移动机构，用于带动抛光垫移动；抛光垫，用于去除晶圆的崩边；计算机存储介质用于存储计算机程序产品，该计算机程序产品在执行时用于控制承载台、移动机构执行如下方法：确定经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆被放置在承载台上；控制承载台带动晶圆绕晶圆的轴线方向旋转；控制移动机构带动抛光垫移动至与晶圆上存在崩边的晶边抵接，以去除晶圆的崩边。本申请的方案可以提高对晶圆进行加工时的加工质量。

技术研发人员：路新春,陈超,刘远航,靳凯强,赵德文,王同庆
受保护的技术使用者：华海清科股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/21