集成式激光熔覆头的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于机械再制造领域，特别涉及一种半导体激光熔覆头。
【背景技术】
[0002]激光熔覆技术是指以不同的填料方式在被涂覆基体表面上放置选择的涂层材料，经激光辐照使之和基体表面一薄层同时熔化，并快速凝固后形成稀释度极低并与基体材料成冶金结合的表面涂层，从而显著改善基体材料表面的耐磨、耐蚀、耐热、抗氧化及电器特性等的工艺方法。
[0003]激光熔覆中，大多数熔覆头输出的激光光斑为单一形状的光斑，若要根据工件特点改变光斑进行生产作业，最简单的则要更换整个激光系统。这样的设备功能单一，无法满足目前复杂多变的生产情况。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的是针对现有技术的不足，提供一种可变换激光光斑形状与大小的集成式激光熔覆头。
[0005]为达到上述目的，本实用新型集成式激光熔覆头，包括自上而下依次设置的半导体激光器、光学聚焦系统、气体保护装置、除尘装置、送粉头，所述所述除尘装置和气体保护装置连接有冷却装置；所述光学聚焦系统设置有光斑模块。
[0006]作为优化，所述光学聚焦系统设置的光斑模块为可拆卸的。半导体激光器、光学聚焦系统、气体保护装置、除尘装置、送粉头之间通过螺纹结构连接，方便拆卸，以及部件的更换。所述除尘装置和气体保护装置外部连接冷却装置。所述光学聚焦系统包括圆光斑模块、矩形光斑模块、线性光斑模块。所述圆光斑模块、矩形光斑模块、线性光斑模块纵向排列，圆光斑模块、矩形光斑模块、线性光斑模块可分别横向移动。
[0007]本实用新型集成式激光熔覆头，通过光学聚焦系统不同的光斑模块的切换可以实现激光光斑形状与大小的变换；除尘装置和气体保护装置可以保证激光熔覆头的工作稳定性；设置在外部的冷却装置有助于激光熔覆头工作时热量的散发。
【附图说明】
[0008]图1为实施例1集成式激光熔覆头的结构示意图。
[0009]图2为实施例2集成式激光熔覆头的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面给出的实施例拟对本实用新型作进一步说明，但不能理解为是对本实用新型保护范围的限制，本领域技术人员根据本【实用新型内容】对本实用新型的一些非本质的改进和调整，仍属于本实用新型的保护范围。
[0011]实施例1:如图1所示，集成式激光熔覆头，包括自上而下依次设置的半导体激光器1、光学聚焦系统5、气体保护装置6、除尘装置7、送粉头8，除尘装置7和气体保护装置6外部连接冷却装置9。光学聚焦系统5设置有可拆卸的光斑模块4。半导体激光器I射出的光束，依次通过光学聚焦系统5、气体保护装置6、除尘装置7、送粉头8后进行作业。
[0012]实施例2:如图2所示，集成式激光熔覆头，包括自上而下依次设置的半导体激光器1、光学聚焦系统5、气体保护装置6、除尘装置7、送粉头8，除尘装置7和气体保护装置6外部连接冷却装置9。光学聚焦系统5包括圆光斑模块2、矩形光斑模块3、线性光斑模块
4。圆光斑模块2、矩形光斑模块3、线性光斑模块4纵向排列，圆光斑模块2、矩形光斑模块3、线性光斑模块4可以分别横向移动切换。半导体激光器I射出的光束，依次通过光学聚焦系统5、气体保护装置6、除尘装置7、送粉头8后进行作业。
[0013]通过光学聚焦系统不同的光斑模块的切换可以实现激光光斑形状与大小的变换。光学聚焦系统可以根据需要设置多个不同的光斑模块，以适应工作需求。
【主权项】
1.集成式激光熔覆头，其特征在于包括自上而下依次设置的半导体激光器、光学聚焦系统、气体保护装置、除尘装置、送粉头，所述除尘装置和气体保护装置连接有冷却装置；所述光学聚焦系统设置有光斑模块。
2.根据权利要求1所述激光熔覆头，其特征在于所述光学聚焦系统设置的光斑模块为可拆卸的。
3.根据权利要求1所述激光熔覆头，其特征在于所述除尘装置和气体保护装置外部连接冷却装置。
4.根据权利要求1或2所述激光熔覆头，其特征在于所述光学聚焦系统包括圆光斑模块、矩形光斑模块、线性光斑模块。
5.根据权利要求1或2所述激光熔覆头，其特征在于所述半导体激光器、光学聚焦系统、气体保护装置、除尘装置、送粉头之间通过螺纹结构连接。
【专利摘要】本实用新型集成式激光熔覆头，包括自上而下依次设置的半导体激光器、光学聚焦系统、气体保护装置、除尘装置、送粉头，所述除尘装置和气体保护装置连接有冷却装置；所述光学聚焦系统设置有光斑模块。作为优化，所述光学聚焦系统设置的光斑模块为可拆卸的。所述除尘装置和气体保护装置外部连接冷却装置。所述光学聚焦系统包括圆光斑模块、矩形光斑模块、线性光斑模块。所述圆光斑模块、矩形光斑模块、线性光斑模块纵向排列，圆光斑模块、矩形光斑模块、线性光斑模块可分别横向移动。
【IPC分类】C23C24-10
【公开号】CN204529982
【申请号】CN201420857433
【发明人】陈家富
【申请人】陈家富
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2014年12月30日