专利名称：多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备的制作方法
技术领域：
本实用新型属于气体分离设备领域，特别涉及多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备。
背景技术：
目前，多晶硅生产主要采用的是改良西门子法。在改良西门子法生产多晶硅的过程中，需要对还原尾气以及氢化尾气中的各组分，主要包括氢气、氯化氢、氯硅烷等，进行分离并回收利用。氯硅烷主要包括二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅。对多晶硅生产中产生的尾气，目前采取的主要方法是“干法回收”。“干法回收”主要是利用还原尾气中氢气、 氯化氢、三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅等各组分物理、化学性质的差异，通过低温变压吸收、脱吸与吸附等化工操作实现各组分的分离，即还原尾气或氢化尾气进入尾气回收系统后，首先用低温氯硅烷对尾气进行淋洗，或使用低温冷媒(如氟利昂)对尾气进行制冷，使尾气组分中的氯硅烷被冷凝成液态，从而将绝大部分氯硅烷从尾气中分离，然后气体压缩后再用低温氯硅烷贫液在填料塔内吸收气体中的氯化氢，使尾气组分中的绝大部分氯化氢分离。与前述“干法回收”方法相适应的多晶硅生产回收氢气的装置主要包括喷淋装置、加压冷凝装置、吸收装置、吸附装置(如活性炭吸附塔)，这些装置均为现有技术。“干法回收”设备回收氢气尾气，最终经活性炭吸附、分离后得到的气体主要组分为氢气，但仍含有少量的氯硅烷和氯化氢。回收得到的氢气中氯化氢和氯硅烷的含量超过一定的限度，会影响多晶硅产品的质量。目前，对于太阳能级多晶硅的生产，经传统“干法回收”设备的活性炭吸附柱吸附除杂后的氢气基本能满足要求(杂质总含量〈lppmv)，但对于电子级多晶硅的生产，经活性炭吸附塔吸附除杂后的氢气则不能满足要求。因此，必须要优化现有技术的多晶硅生产回收氢气的专用设备。
实用新型内容本实用新型的目的是针对上述传统“干法回收”设备存在的回收氢气仍含有一定量氯硅烷和氯化氢，从而影响多晶硅生产质量的问题，提供一种多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备。为实现本实用新型的目的，本实用新型的技术方案为，多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，包括脱氯装置和终端净化装置；所述脱氯装置上设置有进气口和出气口，脱氯装置内填充有脱氯剂，所述脱氯装置通过进气口的管道与活性炭吸附塔相连；所述终端净化装置上设置有入口与出口，终端净化装置内填充有活性炭，终端净化装置通过入口的管道与脱氯装置的出气口相连；所述终端净化装置的容积为活性炭吸附塔容积的1/50 1/10。 前述多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，经脱氯装置脱氯后，能有效分离氢气尾气中残余的氯硅烷和氯化氢。与脱氯装置连接的终端净化装置，可以进一步吸附氢气尾气中剩余的微量含氯杂质以及脱氯装置中可能带入的极少量脱氯剂粉末。因干法回收设备及前述脱氯设备已经将氢气尾气中的绝大部分杂质分离，因此，终端净化装置的容积设计为活性炭吸附塔容积的1/50 1/10即可，这样既可以有效除杂，又能节约物资，保护环境。经前述精脱氯设备脱氯、除杂后的氢气，可直接进入多晶硅生产的还原炉，用于生产多晶硅。作为本实用新型的优选方案，前述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，所述脱氯装置的进气口和出气口处分别设置有阀门，所述终端净化装置的入口和出口处分别设置有阀门。作为本实用新型的优选方案，前述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，所述脱氯装置进气口和出气口，以及终端净化装置的入口和出口分别设置有过滤器。作为本实用新型的进一步优选方案，前述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，所述过滤器为400-600 目的过滤器。设置过滤器，可以防止脱氯剂粉尘被氢气带走，有利于回收氢气的净化。作为本实用新型的优选方案，前述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，所述脱氯装置为两个或两个以上的并联装置，所述终端净化装置为两个或两个以上的并联装置。 使用并联的脱氯装置，并联的终端净化装置，可以有效提高脱氯、净化效率，同时，可以在不中断操作的情况下，实现对脱氯装置中脱氯剂的更换，以及终端净化装置的再生。作为本实用新型的优选方案，前述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，所述终端净化装置设置有冷热流体入口、冷热流体出口 ；所述终端净化装置在入口管道处分流出一个分管道，所述分管道上设置有再生气出口 ；所述终端净化装置在出口管道处分流出一个分管道，所述分管道上设置有再生气入口 ；所述冷热流体入口，冷热流体出口，再生气出口和再生气入口上分别设置有阀门。作为本实用新型的优选方案，前述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，所述脱氯装置的脱氯剂为球形颗粒或环状颗粒。作为本实用新型的优选方案，前述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，所述脱氯装置的脱氯剂优选为球形颗粒，所述球形颗粒直径为1-20 mm。作为进一步优选，所述球形颗粒的直径为3-10 mm。作为本实用新型的优选方案，前述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，所述脱氯装置的脱氯剂为环状颗粒，所述环状颗粒的外直径为1-40 mm。脱氯剂的形状及大小，对脱氯作用有重要影响。一方面，为增加脱氯剂的比表面积，应使用尽量小的脱氯剂颗粒；另一方面，脱氯剂颗粒过小时，又可能因颗粒粒度小，导致在吸附时被氢气尾气所带走。因此，需要对脱氯剂的形状及大小进行研究。发明人经筛选研究发现，当脱氯剂选择球形颗粒或环状颗粒，球形颗粒直径在1-20 mm，环状颗粒外直径选择1-40 mm时，能够实现本实用新型的目的；尤其是选择球形颗粒，颗粒直径在3_10 mm范围内，脱氯效果最佳，且能避免因颗粒粒度小而产生粉尘，随氢气尾气排出。作为本实用新型的优选方案，前述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，所述脱氯装置的脱氯剂的耐压强度为大于0.7Mpa，优选1.2至2.0 Mpa0发明人经多次试验和筛选研究发现，当脱氯剂选择前述耐压强度时，脱氯剂能实现最佳脱氯效果，并适应脱氯反应的反应压力，且同时可避免因耐压强度不够导致脱氯剂粉碎，粉碎后粉末随氢气尾气带走。前述多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，所述脱氯剂的活性成分选自碱土金属氧化物、碱土金属氢氧化物或碱土金属碳氧化物的任一种或它们的任意混合物；作为进一步的优选，所述脱氯剂的活性成分选自Na20、CaO, NaOH, Ca (OH) 2或Na2CO3的任一种或它们的任意混合物，尤其优选CaO和Ca(OH)2的任意混合物。作为本实用新型的优选方案，前述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，所述脱氯装置的脱氯剂的杂质总含量< lOOppmw，其中所述杂质为狗、B、P等。本实用新型的精脱氯设备的工作流程如下(1)氢气尾气经活性炭吸附塔进入填充有脱氯剂的脱氯装置，将氢气尾气中的氢气与氯化氢、氯硅烷分离；(2)经脱氯装置脱氯后的氢气尾气进入终端净化装置，终端净化装置内的活性炭吸附氢气尾气中的杂质，得到除杂后的氢气。除杂后的氢气通过终端净化装置的出口排出，回收后可直接用于多晶硅的生产。所述步骤(1)的吸附温度为_20°C 50°C，吸附压力为0.6 1.4Mpa。步骤(2)所述杂质，包括氢气尾气中残余的微量氯化氢和氯硅烷及脱氯步骤可能带入的脱氯剂颗粒。进一步，前述多晶硅生产回收氢气的同时还可以实现对终端净化装置的再生。所述再生，是打开终端净化装置的再生气出口，使终端净化装置降压，同时打开冷热流体出口及冷热流入口，通过终端净化装置的冷热流体入口向终端净化装置输入蒸汽或导热油，当终端净化装置压力降至0. 3 lkg/Hf时，打开终端净化装置的再生气入口通入高纯氢气进行再生，达到规定再生时间后，关闭再生气出口，保压至压力达到工作压力。当使用蒸汽时， 蒸汽压力应大于Wcg/ cm 2，蒸汽入口温度应高于150°C。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是一、在传统“干法回收”设备基础上，增加了脱氯设备和终端净化设备，并通过对脱氯设备的脱氯剂比表面积、耐压强度等进行的选择，能有效分离氢气尾气中的氯化氢和氯硅烷，回收得到的氢气中氯杂质的浓度低于0. 05ppmv，氢气纯度可达到99. 9999%，可直接用于生产电子级多晶硅。二、通过本实用新型设备回收的氢气，可以直接用于生产多晶硅，减少了环境污
染三、本发明所述方法的设备，能实现连续操作；终端净化设备同时具有除杂和再生功能，不仅可有效减少氢气尾气中的杂质，而且能实现连续生产，吸附剂不断再生，减少了环境污染，提高了回收效率。
图1是本实用新型所述多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备的工作流程图；图2是本实用新型的用于多晶硅生产回收氢气的精脱氯方法的设备结构示意图， 其中1是活性炭吸附塔，2是脱氯装置，3是终端净化装置，4是脱氯装置的进气口，5是脱氯装置的出气口，6是终端净化装置的入口，7是终端净化装置的出口，8是终端净化装置的冷热流体入口，9是终端净化装置的冷热流体出口，10是终端净化装置的再生气出口，11是终端净化装置的再生气入口。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作详细的说明。为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。实施例1如图2所示，多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，包括脱氯装置2和终端净化装置3。脱氯装置2上设置有进气口 4和出气口 5，脱氯装置2内填充有脱氯剂，脱氯装置2通过进气口 4的管道与活性炭吸附塔1相连，终端净化装置3的容积为活性炭吸附塔1容积的 1/10。活性炭吸附塔为现有技术中“干法回收”所使用的现有设备。终端净化装置3上设置有入口 6与出口 7，终端净化装置3内填充有活性炭，终端净化装置3通过入口 6的管道与脱氯装置2的出气口 5相连。脱氯装置2的进气口 4和出气口 5处分别设置有阀门，所述终端净化装置3的入口 6和出口 7处分别设置有阀门。所述脱氯装置2进气口 4和出气口 5处，以及终端净化装置3的入口 6和出口 7 处分别设置有过滤器。过滤器为500目过滤器。所述脱氯装置2为两个的并联装置，所述终端净化装置3为两个的并联装置。所述终端净化装置3设置有冷热流体入口 8、冷热流体出口 9 ；所述终端净化装置 3在入口 6管道处分流出一个分管道，所述分管道上设置有再生气出口 10 ；所述终端净化装置3在出口 7管道处分流出一个分管道，所述分管道上设置有再生气入口 11 ；所述冷热流体入口 8，冷热流体出口 9，再生气出口 10和再生气入口 11上分别设置有阀门。如图1所示的工艺流程，利用本实施例的设备进行多晶硅生产氢气尾气的回收。多晶硅生产回收的尾气经干法回收后，经活性炭吸附塔1分离，氢气尾气进入填充有脱氯剂的脱氯装置2，将氢气尾气中的氢气与氯化氢、氯硅烷分离。脱氯剂为球形颗粒， 活性成分为CaO，颗粒直径为3 mm，杂质含量为3ppmw，耐压强度为1. 5Mpa。吸附温度为-20°C，吸附压力为0. 6Mpa。选择两组脱氯装置2并联使用，首先使用一组脱氯设备2，当使用800小时后，通过阀门，使两组脱氯设备2并行吸附，5分钟后，通过阀门，关闭第一组脱氯设备2，单独使用第二组脱氯设备2。在第二组脱氯设备2工作过程中，将第一组脱氯设备2的脱氯剂进行更换，并先用氮气置换，再用氢气置换，当第一组脱氯设备2的出气口 5的置换气体的露点和氧含量达到要求后，停止置换，用氢气保压，待用。经脱氯装置2脱氯后的氢气尾气进入终端净化装置3，终端净化装置3内的活性炭吸附氢气尾气中的杂质(包括可能存在的脱氯剂粉尘)。除杂质后的氢气，氢气纯度为 99. 9999%，氯杂质含量低于0. 05ppmv，可直接回收用于生产多晶硅。终端净化装置3的出口 7可通过管道与多晶硅生产的还原炉相连，直接生产电子级多晶硅。两组终端净化装置3并联使用。首先使用一组终端净化装置3，当使用300小时后，通过阀门，使两组终端净化装置3并行吸附。5分钟之后，通过阀门，关闭第一组终端净化装置3。在第二组终端净化装置3工作的过程中，对第一组终端净化装置3进行再生。再生步骤为，打开第一组终端净化装置3的再生气出口 10，使第一组终端净化装置的压力降至0. 05 Mpa,同时打开第一组终端净化装置3的冷热流体入口 8、冷热流体出口 9，通入蒸汽。蒸汽压力为8 kg，蒸汽入口温度为M5°C。当第一组终端净化装置3的压力降至0.05 Mpa时，打开第一组终端净化装置3的再生气入口 11，通入高纯氢气进行再生，再生3小时后，关闭再生气出口 10，继续通入高纯氢气保压，当压力达到0.6Mpa，关闭再生气入口 11， 待用。实施例2所述精脱氯设备各装置的连接方式与实施例1相同。终端净化装置3的容积为活性炭吸附塔1容积的1/50。过滤器为500目过滤器。如图1所示的工艺流程，利用本实施例的设备进行多晶硅生产氢气尾气的回收。多晶硅生产回收的尾气经干法回收后，经活性炭吸附塔1分离，氢气尾气进入填充有脱氯剂的脱氯装置2，将氢气尾气中的氢气与氯化氢、氯硅烷分离。脱氯剂为球形颗粒， 活性成分为Ca (OH)2，颗粒直径为10 mm，杂质含量为20ppmw，耐压强度为2. OMpa0吸附温度为50°C，吸附压力为1 · 4Mpa。选择两组脱氯装置2并联使用，首先使用一组脱氯设备2，当使用500小时后，通过阀门，使两组脱氯设备2并行吸附，5分钟后，通过阀门，关闭第一组脱氯设备2，单独使用第二组脱氯设备2。在第二组脱氯设备2工作过程中，将第一组脱氯设备2的脱氯剂进行更换，并先用氮气置换，再用氢气置换，当第一组脱氯设备2的出气口 5的置换气体的露点和氧含量达到要求后，停止置换，用氢气保压，待用。经脱氯装置2脱氯后的氢气尾气进入终端净化装置3，终端净化装置3内的活性炭吸附氢气尾气中的杂质(包括可能存在的脱氯剂粉尘)。除杂质后的氢气，氢气纯度为 99. 9999%，氯杂质含量为低于0. 05ppmv，可直接回收用于生产多晶硅。终端净化装置3的出口 7可通过管道与多晶硅生产的还原炉相连，直接生产电子级多晶硅。两组终端净化装置3并联使用。首先使用一组终端净化装置3，当使用250小时后，通过阀门，使两组终端净化装置3并行吸附。5分钟之后，通过阀门，关闭第一组终端净化装置3。在第二组终端净化装置3工作的过程中，对第一组终端净化装置3进行再生。再生步骤为，打开第一组终端净化装置3的再生气出口 10，使第一组终端净化装置的压力降至
0.IMpa,同时打开第一组终端净化装置3的冷热流体入口 8、冷热流体出口 9，通入蒸汽。蒸汽压力为12坧，蒸汽入口温度为180°C。当第一组终端净化装置3的压力降至0. IMpa时， 打开第一组终端净化装置3的再生气入口 11，通入高纯氢气进行再生，再生5小时后，关闭再生气出口 10，继续通入高纯氢气保压，当压力达到1.4Mpa时，关闭再生气入口 11，待用。实施例3所述精脱氯设备各装置的连接方式与实施例1相同。终端净化装置3的容积为活性炭吸附塔1容积的1/30。过滤器为400目过滤器。如图1所示的工艺流程，利用本实施例的设备进行多晶硅生产氢气尾气的回收。多晶硅生产回收的尾气经干法回收后，经活性炭吸附塔1分离，氢气尾气进入填充有脱氯剂的脱氯装置2，将氢气尾气中的氢气与氯化氢、氯硅烷分离。脱氯剂为球形颗粒，活性成分为CaO和Ca (OH) 2的混合物，颗粒直径为20 mm,杂质含量为2ppmw，耐压强度为
1.5Mpa。吸附温度为30°C，吸附压力为1. OMpa0选择两组脱氯装置2并联使用，首先使用一组脱氯设备2，当使用600小时后，通过阀门，使两组脱氯设备2并行吸附，3分钟后，通过阀门，关闭第一组脱氯设备2，单独使用第二组脱氯设备2。在第二组脱氯设备2工作过程中，将第一组脱氯设备2的脱氯剂进行更换，并先用氮气置换，再用氢气置换，当第一组脱氯设备2的出气口 5的置换气体的露点和氧含量达到要求后，停止置换，用氢气保压，待用。经脱氯装置2脱氯后的氢气尾气进入终端净化装置3，终端净化装置3内的活
7性炭吸附氢气尾气中的杂质。除杂质后的氢气，氢气纯度为99. 9999%，氯杂质含量低于
0.05ppmv，可直接回收用于生产多晶硅。终端净化装置3的出口7可通过管道与多晶硅生产的还原炉相连，直接生产电子级多晶硅。两组终端净化装置3并联使用。首先使用一组终端净化装置3，当使用280小时后，通过阀门，使两组终端净化装置3并行吸附。5分钟之后，通过阀门，关闭第一组终端净化装置3。在第二组终端净化装置3工作的过程中，对第一组终端净化装置3进行再生。再生步骤为，打开第一组终端净化装置3的再生气出口 10，使第一组终端净化装置的压力降至0. IMpa,同时打开第一组终端净化装置3的冷热流体入口 8、冷热流体出口 9，通入蒸汽。 蒸汽压力为10 kg，蒸汽入口温度为170°C。当第一组终端净化装置3的压力降至0. 6 kg / cm2时，打开第一组终端净化装置3的再生气入口 11，通入高纯氢气进行再生，再生7小后， 关闭再生气出口 10，继续通入高纯氢气保压，当压力达到l.OMpa时，关闭再生气入口 11，待用。实施例4所述精脱氯设备各装置的连接方式与实施例1相同。终端净化装置3的容积为活性炭吸附塔1容积的1/20。过滤器为400目过滤器。如图1所示的工艺流程，利用本实施例的设备进行多晶硅生产氢气尾气的回收。多晶硅生产回收的尾气经干法回收后，经活性炭吸附塔1分离，氢气尾气进入填充有脱氯剂的脱氯装置2，将氢气尾气中的氢气与氯化氢、氯硅烷分离。脱氯剂为环状颗粒， 活性成分为CaO和Ca (OH) 2的混合物，颗粒外直径为10 mm,杂质含量为lOppmw，耐压强度为
1.2Mpa。吸附温度为30°C，吸附压力为1. OMpa0选择两组脱氯装置2并联使用，首先使用一组脱氯设备2，当使用320小时后，通过阀门，使两组脱氯设备2并行吸附，3分钟后，通过阀门，关闭第一组脱氯设备2，单独使用第二组脱氯设备2。在第二组脱氯设备2工作过程中，将第一组脱氯设备2的脱氯剂进行更换，并先用氮气置换，再用氢气置换，当第一组脱氯设备2的出气口 5的置换气体的露点和氧含量达到要求后，停止置换，用氢气保压，待用。经脱氯装置2脱氯后的氢气尾气进入终端净化装置3，终端净化装置3内的活性炭吸附氢气尾气中的杂质。除杂质后的氢气，氢气纯度为99. 9999%，氯杂质含量低于 0.05ppmv，可直接回收用于生产多晶硅。终端净化装置的出口 7通过管道与多晶硅生产的还原炉相连，直接生产电子级多晶硅。终端净化装置3的出口 7可通过管道与多晶硅生产的还原炉相连，直接生产电子级多晶硅。两组终端净化装置3并联使用。首先使用一组终端净化装置3，当使用200小时后，通过阀门，使两组终端净化装置3并行吸附。5分钟之后，通过阀门，关闭第一组终端净化装置3。在第二组终端净化装置3工作的过程中，对第一组终端净化装置3进行再生。再生步骤为，打开第一组终端净化装置3的再生气出口 10，使第一组终端净化装置的压力降至0. 3Mpa,同时打开第一组终端净化装置3的冷热流体入口 8、冷热流体出口 9，通入导热油。当第一组终端净化装置3的压力降至0. 3 kg / cm 2时，打开第一组终端净化装置3的再生气入口 11，通入高纯氢气进行再生，再生6小时后，关闭再生气出口 10，继续通入高纯氢气保压，当压力达到l.OMpa时，关闭再生气入口 11，待用。实施例5所述精脱氯设备各装置的连接方式与实施例1相同。终端净化装置3的容积为活性炭吸附塔1容积的1/20。过滤器为600目过滤器。如图1所示的工艺流程，利用本实施例的设备进行多晶硅生产回收氢气的精脱
^L ο多晶硅生产回收的尾气经干法回收后，氢气尾气进入填充有脱氯剂的脱氯装置， 将氢气尾气中的氢气与氯化氢、氯硅烷分离。脱氯剂为环状颗粒，活性成分为CaO和Na(OH) 的混合物，颗粒外直径为1 mm，杂质含量为lOOppmw，耐压强度为0. 8Mpa。吸附温度为30°C，吸附压力为0. 6Mpa。选择两组脱氯装置2并联使用，首先使用一组脱氯设备2，当使用320小时后，通过阀门，使两组脱氯设备2并行吸附，3分钟后，通过阀门，关闭第一组脱氯设备2，单独使用第二组脱氯设备2。在第二组脱氯设备2工作过程中，将第一组脱氯设备2的脱氯剂进行更换，并先用氮气置换，再用氢气置换，当第一组脱氯设备2的出气口 5的置换气体的露点和氧含量达到要求后，停止置换，用氢气保压，待用。经脱氯装置2脱氯后的氢气尾气进入终端净化装置3，终端净化装置3内的活性炭吸附氢气尾气中的杂质。除杂质后的氢气，氢气纯度为99. 9999%，氯杂质含量为低于 0.05ppmv，可直接回收用于生产多晶硅。终端净化装置3的出口 7通过管道与多晶硅生产的还原炉相连，直接生产电子级多晶硅。终端净化装置3的出口 7可通过管道与多晶硅生产的还原炉相连，直接生产电子级多晶硅。两组终端净化装置3并联使用。首先使用一组终端净化装置3，当使用200小时后，通过阀门，使两组终端净化装置3并行吸附。5分钟之后，通过阀门，关闭第一组终端净化装置3。在第二组终端净化装置3工作的过程中，对第一组终端净化装置3进行再生。再生步骤为，打开第一组终端净化装置3的再生气出口 10，使第一组终端净化装置的压力降至0. 3Mpa,同时打开第一组终端净化装置3的冷热流体入口 8、冷热流体出口 9，通入导热油。当第一组终端净化装置3的压力降至0. 3 kg / cm 2时，打开第一组终端净化装置3的再生气入口 11，通入高纯氢气进行再生，再生6小时后，关闭再生气出口 10，继续通入高纯氢气保压，当压力达到l.OMpa时，关闭再生气入口 11，待用。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，包括脱氯装置和终端净化装置；所述脱氯装置上设置有进气口和出气口，脱氯装置内填充有脱氯剂，所述脱氯装置通过进气口的管道与活性炭吸附塔相连；所述终端净化装置上设置有入口与出口，终端净化装置内填充有活性炭，终端净化装置通过入口的管道与脱氯装置的出气口相连；所述终端净化装置的容积为活性炭吸附塔容积的1/50 1/10。
2.根据权利要求1所述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，所述脱氯装置的进气口和出气口处分别设置有阀门，所述终端净化装置的入口和出口处分别设置有阀门。
3.根据权利要求1所述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，所述脱氯装置的进气口和出气口，以及终端净化装置的入口和出口分别设置有过滤器。
4.根据权利要求3所述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，所述过滤器为400-600目的过滤器。
5.根据权利要求1所述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，所述脱氯装置为两个或两个以上的并联装置，所述终端净化装置为两个或两个以上的并联装置。
6.根据权利要求1所述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，所述终端净化装置设置有冷热流体入口、冷热流体出口 ；所述终端净化装置在入口管道处分流出一个分管道，所述分管道上设置有再生气出口 ；所述终端净化装置在出口管道处分流出一个分管道，所述分管道上设置有再生气入口 ；所述冷热流体入口，冷热流体出口，再生气出口和再生气入口上分别设置有阀门。
7.根据权利要求1所述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，所述脱氯装置的脱氯剂为球形颗粒或环状颗粒。
8.根据权利要求7所述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，所述脱氯装置的脱氯剂为球形颗粒，所述球形颗粒直径为1-20 mm。
9.根据权利要求8所述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，所述球形颗粒直径为3-10 mm。
10.根据权利要求7所述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，所述脱氯装置的脱氯剂为环状颗粒，所述环状颗粒的外直径为1-40 mm。
11.根据权利要求1所述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，所述脱氯装置的脱氯剂的耐压强度为大于0. 7Mpa。
12.根据权利要求11所述的多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，其特征在于，所述脱氯装置的脱氯剂的耐压强度为1. 2 2. OMpa0
专利摘要本实用新型涉及气体分离方法的专用设备领域。本实用新型公开了一种多晶硅生产回收氢气的精脱氯设备，包括脱氯装置和终端净化装置；所述脱氯装置上设置有进气口和出气口，脱氯装置内填充有脱氯剂，所述脱氯装置通过进气口的管道与活性炭吸附塔相连；所述终端净化装置上设置有入口与出口，终端净化装置内填充有活性炭，终端净化装置通过入口的管道与脱氯装置的出气口相连；所述终端净化装置的容积为活性炭吸附塔容积的五十分之一至十分之一。通过本实用新型设备回收的氢气纯度高，能直接用于电子级多晶硅的生产。
文档编号C01B33/03GK202072480SQ20112017739
公开日2011年12月14日 申请日期2011年5月30日 优先权日2011年5月30日
发明者刘小锋, 刘畅, 周祥顺, 王岭 申请人:四川新光硅业科技有限责任公司