处理多晶硅还原尾气的系统的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种处理多晶硅还原尾气的系统，包括：第一冷凝装置，具有多晶硅还原尾气入口和还原尾气出口；膜分离装置，具有氢气选择性有机渗透膜、还原尾气入口、第一氢气出口和混合气体出口，其中，还原尾气入口与还原尾气出口相连；还原装置，具有氢气入口、三氯氢硅入口和还原产物出口，其中，氢气入口与第一氢气出口相连；第二冷凝装置，具有混合气体入口、氯硅烷冷凝液出口和不凝气出口；吸附-脱附装置，具有不凝气入口、第二氢气出口和混合物出口，其中，第二氢气出口与氢气入口相连；以及氢化装置，具有混合物入口、四氯化硅入口和三氯化硅出口，其中，混合物入口与混合物出口相连。该系统可以显著降低能耗和设备投资成本。
【专利说明】处理多晶硅还原尾气的系统
【技术领域】
[0001]本实用新型属于多晶硅生产【技术领域】，具体而言，本实用新型涉及一种处理多晶硅还原尾气的系统。
【背景技术】
[0002]改良西门法气相沉积生成高纯度多晶硅过程中，进料三氯氢硅与氢气的摩尔配比约为1:3?1:8，而三氯氢硅生成单质硅的反应转化率在10%左右，因此还原尾气中含有大量未反应的氢气、三氯氢娃和反应副产物四氯化娃、氯化氢、二氯二氢娃等，其中氢气的摩尔比占到75%以上。目前常用的干法回收工艺由“冷凝回收氯硅烷-吸收脱附氯化氢-吸附净化”三部分组成。但随着多晶硅生产规模的不断扩大，对还原尾气干法回收系统装置的大型化要求越来越高，设备、管道投资和运行不稳定性增加。同时由于还原尾气中的氢气全程参与冷凝和加压等状态变化，因此制冷和压缩工序的电力消耗都相应的较大。
[0003]因此，现有的处理还原尾气的技术有待进一步改进。
实用新型内容
[0004]本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种处理多晶硅还原尾气的系统，该系统可以显著降低能耗和设备投资成本。
[0005]在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种处理多晶硅还原尾气的系统，包括:
[0006]第一冷凝装置，所述第一冷凝装置具有多晶硅还原尾气入口和还原尾气出口 ；
[0007]膜分离装置，所述膜分离装置具有氢气选择性有机渗透膜、还原尾气入口、第一氢气出口和混合气体出口，其中，所述还原尾气入口与所述还原尾气出口相连；
[0008]还原装置，所述还原装置具有氢气入口、三氯氢硅入口和还原产物出口，其中，所述氢气入口与所述第一氢气出口相连；
[0009]第二冷凝装置，所述第二冷凝装置具有混合气体入口、氯硅烷冷凝液出口和不凝气出口，其中，所述混合气体入口与所述混合气体出口相连；
[0010]吸附-脱附装置，所述吸附-脱附装置具有不凝气入口、第二氢气出口和混合物出口，其中，所述不凝气出口与所述不凝气入口相连，所述第二氢气出口与所述氢气入口相连；以及
[0011]氢化装置，所述氢化装置具有混合物入口、四氯化硅入口和三氯化硅出口，其中，所述混合物入口与所述混合物出口相连。
[0012]根据本实用新型实施例的处理多晶硅还原尾气的系统通过采用对氢气具有选择性透过的膜分离装置将大部分氢气从多晶硅还原尾气中进行分离，并将分离的氢气返回至还原装置与三氯氢硅发生还原反应制备单质硅，从而可以实现物料的循环利用，同时分离氢气后的还原尾气气体量大幅度较少，使得后续冷凝处理和吸附处理量大幅度降低，从而显著降低能耗和设备投资成本，另外，该系统可以实现大规模处理多晶硅还原尾气。
[0013]另外，根据本实用新型上述实施例的处理多晶硅还原尾气的系统还可以具有如下附加的技术特征:
[0014]在本实用新型的一些实施例中，所述的处理多晶硅还原尾气的系统进一步包括:第一压缩装置，所述第一压缩装置具有第一气体入口和第一压缩后气出口，其中，所述第一气体入口与所述第一氢气出口相连，所述第一压缩后气出口与所述氢气入口相连。
[0015]在本实用新型的一些实施例中，所述的处理多晶硅还原尾气的系统进一步包括:所述第二压缩装置具有第二气体入口和第二压缩后气出口，其中，所述第二气体入口与所述混合物出口相连，所述第二压缩后气出口与所述混合物入口相连。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是根据本实用新型一个实施例的处理多晶硅还原尾气的系统结构示意图；
[0017]图2是根据本实用新型又一个实施例的处理多晶硅还原尾气的系统结构示意图；
[0018]图3是利用本实用新型一个实施例的处理多晶娃还原尾气的系统处理多晶娃还原尾气的方法流程示意图；
[0019]图4是利用本实用新型又一个实施例的处理多晶娃还原尾气的系统处理多晶娃还原尾气的方法流程示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
[0021]在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
[0022]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0023]在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
[0024]在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0025]在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种处理多晶硅还原尾气的系统。下面参考图1-2对本实用新型实施例的处理多晶硅还原尾气的系统进行详细描述。根据本实用新型的实施例，该系统包括:
[0026]第一冷凝装置100:根据本实用新型的实施例，第一冷凝装置100具有多晶硅还原尾气入口 101和还原尾气出口 102，适于将多晶硅还原尾气进行第一冷凝处理，从而可以得到经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气。根据本实用新型的实施例，第一冷凝处理的条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，第一冷凝处理可以在温度为30?50摄氏度和压力为0.5?0.6MPa的条件下进行。发明人发现，该条件下可以显著提高第一冷凝处理效率。该步骤中，具体的，多晶硅还原尾气(550?600摄氏度和0.5?0.6MPa)可以经还原炉进出气换热器、水冷却器回收其所携带的热量，从而实现对多晶硅还原尾气的冷凝。
[0027]膜分离装置200:根据本实用新型的实施例，膜分离装置200具有氢气选择性有机渗透膜(未示出)、还原尾气入口 201、第一氢气出口 202和混合气体出口 203，根据本实用新型的具体实施例，还原尾气入口 201与还原尾气出口 102相连，适于对得到的经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气进行分离处理，从而可以得到氢气和混合气体。根据本实用新型的实施例，氢气可以选择性透过该有机渗透膜。根据本实用新型的实施例，膜分离装置的进气侧(还原尾气入口)压力可以大于膜分离装置的出气侧(第一氢气出口)压力，并且膜分离装置的出气侧压力可以为0.1?0.2MPa。由此，可以显著提高氢气分离效率。根据本实用新型的具体实施例，膜分离装置的出气侧压力的至少一部分可以由三氯氢硅气体提供。由此，可以显著提高后续处理得到的单质硅的纯度。该步骤中，具体的，将经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气由膜分离装置的进气侧导入膜分离装置中，还原尾气中的氢气选择性透过有机渗透膜，而剩余混合气体无法透过有机渗透膜，从而使得多晶硅还原尾气中大部分氢气(70?90%)分离出来从膜分离装置的出气侧导出，为了提高氢气分离效率，在出气侧充满低压的三氯氢硅气体，从而为氢气渗透提供动力。发明人发现，通过采用膜分离装置对还原尾气中的大部分氢气进行分离，可以大幅度减少后续尾气处理量，使得后续冷凝处理和吸附处理压力大幅度降低，从而显著降低能耗和设备投资成本。
[0028]还原装置300:根据本实用新型的实施例，还原装置300具有氢气入口 301、三氯氢硅入口 302和还原产物出口 303，根据本实用新型的具体实施例，氢气入口 301与第一氢气出口 202相连，适于将上述产生的氢气与三氯氢硅进行还原反应，从而可以得到单质硅。
[0029]第二冷凝装置400:根据本实用新型的实施例，第二冷凝装置400具有混合气体入口 401、氯硅烷冷凝液出口 402和不凝气出口 403，根据本实用新型的具体实施例，混合气体入口 401与混合气体出口 203相连，适于将膜分离装置中未透过有机渗透膜的混合气体进行第二冷凝处理，从而可以得到氯硅烷冷凝液和不凝气。根据本实用新型的实施例，第二冷凝处理的条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，第二冷凝处理可以包括一级冷凝处理和二级冷凝处理，其中，一级冷凝处理可以在温度为-30?-10摄氏度和压力为
0.5?0.6MPa的条件下进行的，二级冷凝器处理可以在温度为_40?-30摄氏度和压力为1.0?1.2MPa的条件下进行的。发明人发现，该条件下可以在节省冷量的前提下显著提高混合气体的分离效率。该步骤中，具体的，先将混合气体在-30?-10摄氏度的温度下进行冷凝，然后将混合气体加压至1.0?1.2MPa，在-30?-40摄氏度下进行冷凝，从而使得绝大部分的氯硅烷冷凝为液态。
[0030]吸附-脱附装置500:根据本实用新型的实施例，吸附-脱附装置500具有不凝气入口 501、第二氢气出口 502和混合物出口 503，根据本实用新型的具体实施例，不凝气入口501与不凝气出口 403相连，第二氢气出口 502与氢气入口 301相连，适于将上述得到的不凝气进行吸附处理和脱附处理，以便得到氢气和含有氯硅烷和氯化氢的混合物，并将所得到的氢气的一部分供给至还原装置。根据本实用新型的实施例，经过冷凝处理得到的不凝气中含有氢气、氯硅烷以及氯化氢。根据本实用新型的实施例，吸附处理是采用下列步骤实现的:通过对吸附剂进行选择，使得不凝气中氯化氢和氯硅烷被吸附剂吸附，而氢气则仍保持气态，从而实现了将氢气与不凝气的其他成分例如氯化氢和氯硅烷的有效分离。根据本实用新型的实施例，可以采用的吸附剂的类型并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，可以采用的吸附剂为活性炭吸附剂或其他吸附剂组合。根据本实用新型实施例，吸附处理的压力并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，吸附处理可以在温度为20?40摄氏度和压力为1.0?1.210^的条件下进行。发明人发现，该条件下可以显著提高吸附效率，并降低能耗，进而降低投资成本。根据本实用新型的实施例，脱附处理是采用下列步骤实现的，采用吸附处理过程中得到的氢气的另一部分对吸附有氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行脱附处理，从而可以得到含有氯硅烷和氯化氢的混合物。根据本实用新型的实施例，脱附处理的条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，脱附处理可以在温度为100?130摄氏度和压力为0.03?0.06MPa的条件下进行。发明人发现，该条件下可以显著提高脱附处理效率，从而实现吸附剂的再生。具体的，采用氢气对吸附有氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行吹扫，从而使得氯硅烷和氯化氢从吸附剂上解吸下来。
[0031]氢化装置600:根据本实用新型的实施例，氢化装置600具有混合物入口 601、四氯化硅入口 602和三氯化硅出口 603，根据本实用新型的具体实施例，混合物入口 601与混合物出口 503相连，适于将含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应，从而可以得到三氯氢硅。具体的，将含有氯硅烷和氯化氢的混合物供给至氢化装置，作为反应物参与四氯化硅氢化生成三氯氢硅的反应，由此可以实现物料的循环利用。
[0032]根据本实用新型实施例的处理多晶硅还原尾气的系统通过采用对氢气具有选择性透过的膜分离装置将大部分氢气从多晶硅还原尾气中进行分离，并将分离的氢气返回至还原装置与三氯氢硅发生还原反应制备单质硅，从而可以实现物料的循环利用，同时分离氢气后的还原尾气气体量大幅度减少，使得后续冷凝处理和吸附处理压力大幅度降低，从而显著降低能耗和设备投资成本，另外，该系统可以实现大规模处理多晶硅还原尾气。
[0033]参考图2,本实用新型实施例的处理多晶娃还原尾气的系统进一步包括:
[0034]第一压缩装置700:根据本实用新型的实施例，第一压缩装置700装置具有第一气体入口 701和第一压缩后气出口 702，根据本实用新型的具体实施例，第一气体入口 701与第一氢气出口 202相连,第一压缩后气出口 702与氢气入口 301相连,适于在将膜分离装置中分离得到的氢气供给至还原炉中与三氯氢硅进行还原反应之前，预先对氢气进行第一压缩处理。根据本实用新型的实施例，第一压缩处理的条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，第一压缩可以在0.7?1.0MPa的压力下进行。具体的，将透过分离膜后的氢气与原分离膜另一侧的三氯氢硅的混合气压力由0.2?0.4MPa升压至0.7?1.0MPa,以满足还原反应进料所需压力。
[0035]第二压缩装置800:根据本实用新型的实施例，第二压缩装置800具有第二气体入口 801和第二压缩后气出口 802，根据本实用新型的具体实施例，第二气体入口 801与混合物出口 503相连，第二压缩后气出口 802与混合物入口 601相连，适于将含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应之前，预先对含有氯硅烷和氯化氢的混合物进行第二压缩处理。根据本实用新型的实施例，第二压缩处理的条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，第二压缩处理可以在1.9?3.0MPa的压力下进行。具体的，将脱附后得到的含有氯硅烷和氯化氢的混合物由0.03?0.06MPa提升至1.9?3.0MPa,以满足氢化反应所需压力。
[0036]以上对本实用新型实施例的处理多晶硅还原尾气的系统进行详细描述，为了方便理解，下面参考图3-4对利用本实用新型实施例的处理多晶硅还原尾气的系统处理多晶硅还原尾气的方法进行详细描述。根据本实用新型的实施例，该方法包括:
[0037]SlOO:第一冷凝处理
[0038]根据本实用新型的实施例，将多晶硅还原尾气进行第一冷凝处理，从而可以得到经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气。根据本实用新型的实施例，第一冷凝处理的条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，第一冷凝处理可以在温度为30?50摄氏度和压力为0.5?0.6MPa的条件下进行。发明人发现，该条件下可以显著提高第一冷凝处理效率。该步骤中，具体的，多晶硅还原尾气(550?600摄氏度和0.5?0.6MPa)可以经还原炉进出气换热器、水冷却器回收其所携带的热量，从而实现对多晶硅还原尾气的冷凝。
[0039]S200:分离处理
[0040]根据本实用新型的实施例，采用膜分离器对得到的经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气进行分离处理，从而可以得到氢气和混合气体。根据本实用新型的实施例，膜分离器中可以具有有机渗透膜，并且氢气可以选择性透过该有机渗透膜。根据本实用新型的实施例，膜分离器的进气侧压力可以大于膜分离器的出气侧压力，并且膜分离器的出气侧压力可以为0.1?0.2MPa。由此，可以显著提高氢气分离效率。根据本实用新型的具体实施例，膜分离器的出气侧压力的至少一部分可以由三氯氢硅气体提供。由此，可以显著提高后续处理得到的单质硅的纯度。该步骤中，具体的，将经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气由膜分离器的进气侧导入膜分离器中，还原尾气中的氢气选择性透过有机渗透膜，而剩余混合气体无法透过有机渗透膜，从而使得多晶硅还原尾气中大部分氢气(70?90%)分离出来从膜分离器的出气侧导出，为了提高氢气分离效率，在出气侧充满低压的三氯氢娃气体，从而为氢气渗透提供动力。发明人发现，通过采用膜分离器对还原尾气中的大部分氢气进行分离，可以大幅度减少后续尾气处理量，使得后续冷凝处理和吸附处理量大幅度降低，从而显著降低能耗和设备投资成本。
[0041]S300:还原反应
[0042]根据本实用新型的实施例，将上述产生的氢气供给至还原炉中与三氯氢硅进行还原反应，从而可以得到单质硅。
[0043]S400:第二冷凝处理
[0044]根据本实用新型的实施例，将分离处理过程未透过有机渗透膜的混合气体进行第二冷凝处理，从而可以得到氯硅烷冷凝液和不凝气。根据本实用新型的实施例，第二冷凝处理的条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，第二冷凝处理可以包括一级冷凝处理和二级冷凝处理，其中，一级冷凝处理可以在温度为-30?-10摄氏度和压力为
0.5?0.6MPa的条件下进行的，二级冷凝器处理可以在温度为_40?-30摄氏度和压力为
1.0?1.2MPa的条件下进行的。发明人发现，该条件下可以在节省冷量的前提下显著提高混合气体的分离效率。该步骤中，具体的，先将混合气体在-30?-10摄氏度的温度下进行冷凝，然后将混合气体加压至1.0?1.2MPa，在-30?-40摄氏度下进行冷凝，从而使得绝大部分的氯硅烷冷凝为液态。
[0045]S500:吸附处理
[0046]根据本实用新型的实施例，将以上所得到的不凝气进行吸附处理，从而可以得到氢气以及吸附氯硅烷和氯化氢的吸附剂，并将所得到的氢气的一部分供给至还原炉。根据本实用新型的实施例，经过冷凝处理得到的不凝气中含有氢气、氯硅烷以及氯化氢，可以通过对吸附剂进行选择，使得不凝气中氯化氢和氯硅烷被吸附剂吸附，而氢气则仍保持气态，从而实现了将氢气与不凝气的其他成分例如氯化氢和氯硅烷的有效分离。根据本实用新型的实施例，可以采用的吸附剂的类型并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，可以采用的吸附剂为活性炭吸附剂或其他吸附剂组合。根据本实用新型实施例，吸附处理的压力并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，吸附处理可以在温度为20?40摄氏度和压力为1.0?1.210^的条件下进行。发明人发现，该条件下可以显著提高吸附效率，并降低能耗，进而降低投资成本。
[0047]S600:脱附处理
[0048]根据本实用新型的实施例，采用S500步骤中得到的氢气的另一部分对吸附有氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行脱附处理，从而可以得到含有氯硅烷和氯化氢的混合物。根据本实用新型的实施例，脱附处理的条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，脱附处理可以在温度为100?130摄氏度和压力为0.03?0.06MPa的条件下进行。发明人发现，该条件下可以显著提高脱附处理效率，从而实现吸附剂的再生。该步骤中，具体的，采用氢气对吸附有氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行吹扫，从而使得氯硅烷和氯化氢从吸附剂上解吸下来。
[0049]S700:氢化反应
[0050]根据本实用新型的实施例，将含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应，从而可以得到三氯氢硅。该步骤中，具体的，将含有氯硅烷和氯化氢的混合物供给至氢化系统，作为反应物参与四氯化硅氢化生成三氯氢硅的反应，由此可以实现物料的循环利用。
[0051]根据本实用新型实施例的处理多晶硅还原尾气的方法通过采用对氢气具有选择性透过的膜分离器将大部分氢气从多晶硅还原尾气中进行分离，并将分离的氢气返回至还原炉与三氯氢硅发生还原反应制备单质硅，从而可以实现物料的循环利用，同时分离氢气后的还原尾气气体量大幅度减少，使得后续冷凝处理和吸附处理量大幅度降低，从而显著降低能耗和设备投资成本，另外，该方法可以实现大规模处理多晶硅还原尾气。
[0052]参考图4，利用本实用新型实施例的处理多晶硅还原尾气的系统处理多晶硅还原尾气的方法进一步包括:
[0053]S800:第一压缩处理
[0054]根据本实用新型的实施例，在将S200分离得到的氢气供给至还原炉中与三氯氢硅进行还原反应之前，预先对氢气进行第一压缩处理。根据本实用新型的实施例，第一压缩处理的条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，第一压缩可以在0.7?
1.0MPa的压力下进行。具体的，将透过分离膜后的氢气与原分离膜另一侧的三氯氢硅的混合气压力由0.2?0.4MPa升压至0.7?1.0MPa,以满足还原反应进料所需压力。
[0055]S900:第二压缩处理
[0056]根据本实用新型的实施例，将含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应之前，预先对含有氯硅烷和氯化氢的混合物进行第二压缩处理。根据本实用新型的实施例，第二压缩处理的条件并不受特别限制，根据本实用新型的具体实施例，第二压缩处理可以在1.9?3.0MPa的压力下进行。具体的，将脱附后得到的含有氯硅烷和氯化氢的混合物由0.03?0.06MPa提升至1.9?3.0MPa,以满足氢化反应所需压力。
[0057]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0058]尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
【权利要求】
1.一种处理多晶硅还原尾气的系统，其特征在于，包括: 第一冷凝装置，所述第一冷凝装置具有多晶硅还原尾气入口和还原尾气出口 ； 膜分离装置，所述膜分离装置具有氢气选择性有机渗透膜、还原尾气入口、第一氢气出口和混合气体出口，其中，所述还原尾气入口与所述还原尾气出口相连； 还原装置，所述还原装置具有氢气入口、三氯氢硅入口和还原产物出口，其中，所述氢气入口与所述第一氢气出口相连； 第二冷凝装置，所述第二冷凝装置具有混合气体入口、氯硅烷冷凝液出口和不凝气出口，其中，所述混合气体入口与所述混合气体出口相连； 吸附-脱附装置，所述吸附-脱附装置具有不凝气入口、第二氢气出口和混合物出口，其中，所述不凝气出口与所述不凝气入口相连，所述第二氢气出口与所述氢气入口相连；以及 氢化装置，所述氢化装置具有混合物入口、四氯化硅入口和三氯化硅出口，其中，所述混合物入口与所述混合物出口相连。
2.根据权利要求1所述的处理多晶硅还原尾气的系统，其特征在于，进一步包括: 第一压缩装置，所述第一压缩装置具有第一气体入口和第一压缩后气出口，其中，所述第一气体入口与所述第一氢气出口相连，所述第一压缩后气出口与所述氢气入口相连。
3.根据权利要求1所述的处理多晶硅还原尾气的系统，其特征在于，进一步包括: 第二压缩装置，所述第二压缩装置具有第二气体入口和第二压缩后气出口，其中，所述第二气体入口与所述混合物出口相连，所述第二压缩后气出口与所述混合物入口相连。
【文档编号】C01B33/03GK204039067SQ201420420207
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年7月28日 优先权日:2014年7月28日
【发明者】杨永亮, 张志刚, 司文学, 严大洲, 肖荣晖, 汤传斌 申请人:中国恩菲工程技术有限公司