技术特征：
技术总结
本发明提供了一种单晶硅锭及晶圆的形成方法，采用区熔法形成单晶硅锭时，对熔融区中的硅通入含有氘元素的气体，使氘元素存储在单晶硅锭的间隙中，降低碳元素及其他杂质的含量；采用单晶硅锭形成晶圆后，在晶圆上形成器件时，氘元素能够扩散出，并与界面处的悬空键进行结合，形成较为稳定的结构，从而增加器件对热载流子的抵抗能力，降低漏电流，提高器件的性能与可靠性。
技术研发人员：肖德元
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2016.04.12
技术公布日：2017.10.24