本发明涉及单晶硅技术领域,具体为一种单晶硅上料装置。
背景技术:
单晶硅大多是用字拉法制备。在这种方法中,单晶硅锭的生产步骤如下:往熔炉中加入多晶硅,然后将一个籽晶加入硅熔体中,以一种足够达到晶锭所希望直径的方式提拉籽晶,并在那个直径下生长单晶。当在给熔炉加料的过程中,传统的加料方式,费时费力,而且容易发生堵塞,严重影响生产效率,因此需要改进。
技术实现要素:
本发明的目的在于提供一种单晶硅上料装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种单晶硅上料装置,包括底板和第二电机,所述底板上设有熔炉本体,所述熔炉本体上设有进料口,所述进料口上设有进料斗,所述底板的上方通过安装架固定安装有第一电机,所述第一电机的输出轴的下端转动安装有转轴,所述转轴的外壁焊接有螺旋刀片,所述底板的右侧上方通过支架倾斜固定安装有主梁,所述主梁的上下两端转动安装有从动轮和主动轮,所述从动轮和主动轮的外壁套装有传送带,所述主动轮的皮带轮与第二电机的皮带轮通过皮带传动连接。
优选的,所述传送带的前后两侧的外部均套装有环形限位板。
优选的,所述传送带的外壁设有板块,且板块至少设有八个,且板块呈等距分布设置。
优选的,所述转轴的左右两侧壁上均焊接有刮板,所述刮板与进料斗的斜壁平行。
优选的,所述转轴的底部套装有轴承,所述轴承的外壁通过连接杆与进料口的内壁固定焊接。
优选的,所述刮板为弧线型刮板设置。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:该单晶硅上料装置,使用时,依次启动第一电机和第二电机,将原料放在传送带上,第二电机带动主动轮带动传送带旋转,将运料运送至进料斗的上方,下落到进料斗的内部,第一电机带动转轴带动螺旋刀片旋转为熔炉本体进行强制供料,操作简单,上料效率高,进行强制供料,有效的防止堵塞。该单晶硅上料装置,操作简单,上料效率高,进行强制供料,有效的防止堵塞,大大提高了生产效率。
附图说明
图1为本发明结构主视图;
图2为本发明传送带结构示意图;
图3为本发明刮板结构示意图。
图中:1底板、2熔炉本体、3进料口、4进料斗、5安装架、6第一电机、7转轴、8螺旋刀片、9支架、10主梁、11从动轮、12主动轮、13传送带、14第二电机、15环形限位板、16刮板、17轴承、18连接杆、19板块。
具体实施方式
下面结合说明书附图和实施例,对本发明的具体实施例做进一步详细描述:
请参阅图1-3,本发明提供一种技术方案:一种单晶硅上料装置,包括底板1和第二电机14,所述底板1上设有熔炉本体2,所述熔炉本体2上设有进料口3,所述进料口3上设有进料斗4,所述底板1的上方通过安装架5固定安装有第一电机6,所述第一电机6的输出轴的下端转动安装有转轴7,所述转轴7的外壁焊接有螺旋刀片8,所述底板1的右侧上方通过支架9倾斜固定安装有主梁10,所述主梁10的上下两端转动安装有从动轮11和主动轮12,所述从动轮11和主动轮12的外壁套装有传送带13,所述主动轮12的皮带轮与第二电机14的皮带轮通过皮带传动连接。
具体地,所述传送带13的前后两侧的外部均套装有环形限位板15。防止原料从传送带13的前后两侧滑落。
具体地,所述传送带13的外壁设有板块19,且板块19至少设有八个,且板块19呈等距分布设置。多个板块19的限位作用,防止原料顺着传送带13下滑,有利于平稳上料。
具体地,所述转轴7的左右两侧壁上均焊接有刮板16,所述刮板16与进料斗4的斜壁平行。转轴7带动刮板16旋转,刮板16可刮动进料斗4的侧壁上的原料。
具体地,所述转轴7的底部套装有轴承17,所述轴承17的外壁通过连接杆18与进料口3的内壁固定焊接。提高了转轴7的稳定性。
具体地,所述刮板16为弧线型刮板设置。刮板16在转动时,可将进料斗4边缘的饲料推动到进料斗4的中心。
该单晶硅上料装置,使用时,依次启动第一电机6和第二电机14,将原料放在传送带13上,第二电机14带动主动轮12带动传送带13旋转,将运料运送至进料斗4的上方,下落到进料斗4的内部,第一电机6带动转轴7带动螺旋刀片8旋转为熔炉本体2进行强制供料,操作简单,上料效率高,进行强制供料,有效的防止堵塞;
传送带13的前后两侧的外部均套装有环形限位板15,防止原料从传送带13的前后两侧滑落;
多个板块19的限位作用,防止原料顺着传送带13下滑,有利于平稳上料;
转轴7带动刮板16旋转,刮板16可刮动进料斗4的侧壁上的原料;
转轴7的底部套装有轴承17,轴承17的外壁通过连接杆18与进料口3的内壁固定焊接,提高了转轴7的稳定性;
刮板16为弧线型刮板设置,刮板16在转动时,可将进料斗4边缘的饲料推动到进料斗4的中心。
因此该单晶硅上料装置,操作简单,上料效率高,进行强制供料,有效的防止堵塞,大大提高了生产效率。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明的技术范围作出任何限制,故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明的技术方案的范围内。