一种高透型三银low‑e玻璃的制作方法

文档序号:11821718阅读:781来源:国知局

本发明涉及low-e玻璃领域,具体是涉及一种高透型三银low-e玻璃。



背景技术:

据统计,我国建筑物能耗已经占到全国年能源消耗总量的27.8%,经由门窗流失的热量更是占到了建筑物总能耗的一半以上。近年来社会各界对可持续发展以及节能减排工作的愈发关注,建筑业对门窗玻璃的性能要求也大幅提高。LOW-E玻璃因为有着优异的热性能和良好的光学性能,在社会生活中的运用越来越广泛,品种也越来越多。

而在LOW-E玻璃发展近30年的历程中,从最初的单银LOW-E玻璃,发展成为双银LOW-E玻璃,近些年又开发出了三银LOW-E玻璃产品,三银LOW-E玻璃具有较高的可见光透射比,可保证室内足够的自然采光,有更低的太阳红外线透射比和更低的传热系数,是目前世界建筑领域公认的最节能、最符合人性需求的建筑玻璃。

在热学方面,三银LOW-E玻璃保持了较低的U值,夜晚通过限制对流传导传热阻止室内的远红外辐射泄出室外,且具有较高的遮阳系数和G值,使三银玻璃的节能效果大幅度提升,同比普通玻璃的节能水平提高80%。这一方面是现代建筑对能耗节约的需求驱动,更是人们节能、环保、低碳生活意识的提高所致。

在现有技术中,合理的膜层结构设计对Low-E玻璃的透过率、可加工性影响至关重要,膜层厚度和厚度均匀性是决定镀膜玻璃颜色及其均匀性的关键因素,这些也都是目前Low-E玻璃设计和生产的瓶颈和难点。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种膜层结构合理,透过率高的三银low-e玻璃。

本发明采用的技术方案为:一种高透型三银low-e玻璃,包括玻璃基片,在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有十五个膜层,第一膜层为SSTZrOx层,第二层为ZnAlOx层,第三层为TiOx层,第四层为Ag层,第五层为ZnAlOx层,第六层为SiAlNx层,第七层为ZnO层,第八层为Ag层,第九层为ZnSnO2层,第十层为NiCrOx层,第十一层为AZO层,第十二层为Ag层,第十三层为CrNxOy层,第十四层为ZnAlOx层,第十五层为SnO2层。

作为优选方案,所述第一膜层SSTZrOx层的厚度为20-30nm。

作为优选方案,所述第二层ZnAlOx层、第五层ZnAlOx层和第十四层ZnAlOx层的厚度均为20-30nm。

作为优选方案,所述第三层TiOx层的厚度为10-20nm。

作为优选方案,所述第四层Ag层、第八层Ag层以及第十二层Ag层的厚度均为10-15nm。

作为优选方案,所述第六层SiAlNx层的厚度为30-45nm。

作为优选方案,所述第七层ZnO层和第十一层AZO层的厚度为10-20nm。

作为优选方案,所述第九层ZnSnO2层的厚度为18-20nm。

作为优选方案,所述第十层NiCrOx层的厚度为1-3nm。

作为优选方案,所述第十三层CrNxOy层和第十五层SnO2层的厚度为3-6nm。

本发明的有益效果是:

1、本发明采用新型膜系结构,提高了膜层的硬度及致密性。

2、第一膜层为SSTZrOx层,即掺锆氧化不锈钢层,在反应溅射时提高膜层的折射率,从而提升膜系的通过率,色泽鲜艳,透光率高达80%以上。

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

图中:

玻璃基片-1 第一层SSTZrOx层-21 第二层ZnAlOx层-22

第三层TiOx层-23 第四层Ag层-24 第五层ZnAlOx层-25

第六层SiAlNx层-26 第七层ZnO层-27 第八层Ag层-28

第九层ZnSnO2层-29 第十层NiCrOx层-210 第十一层AZO层-211

第十二层Ag层-212 第十三层CrNxOy层-213 第十四层ZnAlOx层-214

第十五层SnO2层-215

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本发明的技术方案进行说明。

参照图1所示,一种高透型三银low-e玻璃,包括玻璃基片,在玻璃基片1的复合面上由内到外依次相邻地复合有十五个膜层,第一膜层为SSTZrOx层21,第二层为ZnAlOx层22,第三层为TiOx层23,第四层为Ag层24,第五层为ZnAlOx层25,第六层为SiAlNx层26,第七层为ZnO层27,第八层为Ag层28,第九层为ZnSnO2层29,第十层为NiCrOx层210,第十一层为AZO层211,第十二层为Ag层212,第十三层为CrNxOy层213,第十四层为ZnAlOx层214,第十五层为SnO2层215。

第一膜层SSTZrOx层21,即掺锆氧化不锈钢层,在反应溅射时提高膜层的折射率,从而提升膜系的通过率,色泽鲜艳,透光率高达80%以上。SSTZrOx层的厚度为20-30nm,优选25nm。

第二层ZnAlOx层22可与TiOx层23氧化,减少膜层的光衰减,使得膜系产品有较高的透光率。第二层ZnAlOx层22的厚度为20-30nm,优选25nm。

第三层TiOx层23即钛的氧化物,采用高折射率n=2.5的TiOx是为了提高玻璃的透光率,降低银层的面电阻,减少银的消耗,有可以减少Low-e热处理后产生光散射,而且玻璃呈中性颜色,TiOx层23的厚度为10-20nm,优选15nm。

第四层Ag层24即金属银层,为功能层,金属银层提供了较低的辐射率,起环保的作用,Ag层24的厚度为10-15nm,优选13nm。

第五层ZnAlOx层25用以减少膜层的光衰减,使得膜系产品有较高的透光率,其厚度为20-30nm,优选25nm。

第六层SiAlNx层26为复合电介质层,起到玻璃与膜层的粘结过渡作用,其厚度为30-45nm,优选38nm。

第七层ZnO层27即氧化锌层,平整层,为AG层作铺垫,降低辐射率,其厚度为10-20nm,优选15nm。

第八层Ag层28即金属银层,为功能层,金属银层提供了较低的辐射率,起环保的作用,Ag层24的厚度为10-15nm,优选13nm。

第九层ZnSnO2层29即氧化锌锡层,为中间介质层,保护层,增加玻璃的透光率,其厚度为18-20nm,优选19nm。

第十层NiCrOx层210即氧化镍铬层,为阻挡层,还能提高膜层耐磨性、透光率以及钢化时抗高温氧化性,其厚度为1-3nm,优选2nm。

第十一层AZO层211即铝掺杂的氧化锌层,平整层,为AG层作铺垫,降低辐射率,其厚度为10-20nm,优选为15nm。

第十二层Ag层212即金属银层,为功能层,金属银层提供了较低的辐射率,起环保的作用,Ag层24的厚度为10-15nm,优选13nm。

第十三层CrNxOy层213即氮氧化铬层,提高膜层耐磨性和透光率,其厚度为3-6nm,优选5nm。

第十四层ZnAlOx层214用以减少膜层的光衰减,使得膜系产品有较高的透光率,其厚度为20-30nm,优选25nm。

第十五层SnO2层215为介质层,作为保护层,其厚度为3-6nm,优选4nm。

本发明的制备方法包括如下步骤:

(1)磁控溅射SSTZrOx层21,用交流中频电源,氧气作反应气体溅射掺锆的不锈钢靶Fe:Zr=80:20,氩氧比为400SCCM-420SCCM:450SCCM-500SCCM,本步骤中氩氧比决定成膜的质量。

(2)磁控溅射ZnAlOx层22层,用交流中频电源,功率为18KW-25KW,纯氮气、纯氧气或者氮气和氧气混合气体溅射的合金圆靶。

(3)磁控溅射TiOx层23,用中频交流电源溅射陶瓷钛靶,用氩气作为溅射气体,掺入少量O2,氩氧比为400SCCM-420SCCM:20SCCM-40SCCM。

(4)磁控溅射Ag层24,直流电源溅射,用氩气作为工艺气体,气体流量500SCCM-550SCCM。

(5)磁控溅射ZnAlOx层25,用交流中频电源,功率为18KW-25KW,纯氮气、纯氧气或者氮气和氧气混合气体溅射的合金圆靶。

(6)磁控溅射SiAlNx层26,用交流中频电源,纯氮气、纯氧气或者氮气和氧气混合气体溅射的合金圆靶。

(7)磁控溅射ZnO层27,用交流中频交流电源溅射陶瓷靶,用氩气作为溅射气体,掺入少量O2,氩氧比为400SCCM-420SCCM:20SCCM-40SCCM。

(8)磁控溅射Ag层28,直流电源溅射,用氩气作为工艺气体,气体流量500SCCM-550SCCM。

(9)磁控溅射ZnSnO2层29,用中频交流电源,氧气作为反应气体溅射Sn靶,氩氧比为400SCCM-420SCCM:450SCCM-500SCCM,本步骤中氩氧比决定成膜的质量。

(10)磁控溅射NiCrOx层210,用直流电源溅射,用氩气作为反应气体,掺入少量O2,氩氧比为400SCCM-420SCCM:20SCCM-40SCCM。

(11)磁控溅射AZO层211,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,用氩气作为反应气体,掺入少量O2,氩氧比为400SCCM-420SCCM:20SCCM-40SCCM。

(12)磁控溅射Ag层212,直流电源溅射,用氩气作为工艺气体,气体流量500SCCM-550SCCM。

(13)磁控溅射CrNxOy层213,直流电源溅射,用氮气作为工艺气体,掺入少量O2

(14)磁控溅射ZnAlOx层214,用交流中频电源,功率为18KW-25KW,纯氮气、纯氧气或者氮气和氧气混合气体溅射的合金圆靶。

(15)磁控溅射SnO2层215,用交流中频电源,用氧气作为反应气体溅射Sn靶,氩氧比为400SCCM-420SCCM:450SCCM-500SCCM,本步骤中氩氧比决定成膜的质量。

上述实施例仅是显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。

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