技术总结
本发明涉及石墨烯薄膜处理领域，具体地，涉及一种石墨烯薄膜的大面积无损转移方法以及该方法得到的石墨烯‑目标衬底的复合体。所述方法包括：(1)将生长有石墨烯的铜箔的石墨烯面与临时衬底进行辊压贴合，并移除所述临时衬底；(2)将所得经过辊压压平的铜箔的石墨烯面与临时基底进行辊压贴合；(3)将所得铜箔‑石墨烯‑临时基底的复合体进行蚀刻以去除铜箔；(4)将所得的复合体的石墨烯面与待转移的目标衬底进行辊压贴合，然后将所述临时基底去除。本发明的方法能够使转移所得的复合体几乎不存在裂纹、撕裂以及残胶残留的现象，因此本发明提供的复合体具有较好的结构完整性，促进了石墨烯薄膜在各电子元件方面的应用。
技术研发人员：王忠辉;马冬敏
受保护的技术使用者：北京旭碳新材料科技有限公司
文档号码：201610696609
技术研发日：2016.08.19
技术公布日：2017.01.11