1.去除有机物杂质提纯制备高纯四氯化锗工艺方法，其特征在于该方法按照下列步骤实施：
（1）将锗精矿氯化蒸馏产出的粗四氯化锗加入浓硫酸进行加热初蒸；
（2）初蒸产出的四氯化锗中加入分析纯盐酸并通入氯气进行一次复蒸；
（3）一次复蒸产出的四氯化锗重复步骤（2）进行第二次复蒸；
（4）二次复蒸产出的四氯化锗加入浓硫酸进行二次消解蒸馏；
（5）二次消解蒸馏产出的四氯化锗转移加入分析纯浓硫酸，加热精馏提纯得到高纯四氯化锗。
2.如权利要求1中所述的去除有机物杂质提纯制备高纯四氯化锗的工艺方法，其特征在于初次生产时步骤（1）中浓硫酸采用分析纯浓硫酸，浓硫酸用量为四氯化锗体积的0.2-0.5倍。
3.如权利要求1中所述的去除有机物杂质提纯制备高纯四氯化锗工艺方法，其特征在于连续生产时步骤（1）中浓硫酸采用上一阶段步骤（4）中回收的残酸，步骤（4）中浓硫酸采用上一阶段步骤（5）中回收的残酸，用量为四氯化锗体积的0.2-0.5倍。
4.如权利要求1中所述的去除有机物杂质提纯制备高纯四氯化锗的工艺方法，其特征在于步骤（1）初蒸蒸馏温度80-90℃，蒸馏时间2-2.2h。
5.如权利要求1中所述的去除有机物杂质提纯制备高纯四氯化锗的工艺方法，其特征在于步骤（2）复蒸中分析纯盐酸用量为四氯化锗体积的1-2倍，氯气用量为四氯化锗体积的2-3倍，复蒸温度为80-90℃，复蒸时间为3-3.2 h。
6.如权利要求1中所述的去除有机物杂质提纯制备高纯四氯化锗的工艺方法，其特征在于步骤（4）消解蒸馏中所述的蒸馏温度80-90℃，蒸馏时间2.5 h。