用于防止接地故障电流且具有优异去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置的制作方法

文档序号:11621630阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及用于防止接地故障电流且具有优异的去除硅粉尘效果的多晶硅制备装置。所述多晶硅制备装置包括室和陶瓷颗粒层,所述室包括具有打开的下部的外壳和与所述外壳的下部连接的基板,所述陶瓷颗粒层在基板的上表面上,用于防止在过程中产生的硅粉尘与基板直接接触且在所述过程之后与硅粉尘一起被去除。

技术研发人员:吴珉暻;姜秉昶;尹钟寿;尹民荣
受保护的技术使用者:OCI有限公司
技术研发日:2016.12.08
技术公布日:2017.08.04
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