1.一种保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，包括步骤如下：
将水溶液生长晶体从溶液中取出，浸入到第一有机溶液中进行涮洗，去除水溶液生长晶体表面的水溶液；所述的第一有机溶液的密度小于水的密度，水溶液生长晶体不溶解于第一有机溶液。
2.根据权利要求1所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，其特征在于，浸入第一有机溶液进行涮洗时，第一有机溶液的温度与生长晶体的水溶液温度之差≤5℃。
3.根据权利要求1所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，其特征在于，晶体在浸入第一有机溶液进行涮洗时，同时用第一有机溶液喷射冲洗。
4.根据权利要求1所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，其特征在于，所述的第一有机溶液为正己烷、庚烷或环己烷。
5.根据权利要求1所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，其特征在于，所述的水溶液生长晶体为KDP晶体、ADP晶体或DAST晶体。
6.根据权利要求1-5任一项所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，其特征在于，去除水溶液生长晶体表面的水溶液后保存于第二有机溶液中；所述的第二有机溶液的密度大于水的密度，水溶液生长晶体不溶解于第二有机溶液。
7.根据权利要求6所述的保护水溶液生长晶体表面台阶的方法，其特征在于，所述的第二有机溶液为氯仿或四氯化碳。