一种减少BBO晶体包络的特殊生长工艺的制作方法

本发明涉及晶体生长领域，特别涉及一种减少BBO晶体包络的生长工艺。

背景技术：

低温相偏硼酸钡β-BaB2O4是一种非常重要的新型非线性晶体，具有宽的透光范围，大的有效倍频系数，大的双折射率和高的激光损伤阈值，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。

虽然该晶体具有优异的性能，但是实际晶体生长想要得到大尺寸优质的晶体毛坯并不容易，晶体中存在一些质量问题：主要有中间包络、气泡、生长纹等。

技术实现要素：

本发明的目的是探究一种减少BBO晶体包络的特殊生长工艺，本发明通过如下方式实现：

S1将晶体生长用的旋转炉炉丝沿炉管竖直方向缠绕，炉管面积的四分之一不绕炉丝；

S2将绕好炉丝的炉管置于熔盐炉中，开始升温至1100℃，恒温24h，于饱和温度以上10℃下籽晶，坩埚保持不动，炉子开始旋转，转速2.5转/min，晶体转速4转/min，当晶体生长快至坩埚壁时，停止晶转，开始以1℃/天的速率降温，180天后停止生长，采用转炉，取出晶体，退火至室温，得到高质量BBO晶体。

附图说明

图1旋转炉示意图；

图2炉丝缠绕示意图。

具体实施方式

实施例一：称取一定量的碳酸钡、硼酸和氟化钠，满足BaB2O4:NaF=2:1（摩尔比）于原料桶中混匀。将混好的料于1000℃的硅碳棒炉中熔解至反应完全。将熔好的料倒入铂金坩锅置于旋转炉中，升温至980℃，恒温18h，炉子开始以4r/min旋转，而后在饱和温度以上10℃下。将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢的下至熔液表面，4r/min转动，半小时之后降7℃，晶体开始生长，直至晶体快至坩埚壁停止籽晶杆旋转，以1℃/天降温，降温180天，晶体生长结束，采用转炉，取出晶体，退火至室温。