一种带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品及其制备方法与流程

文档序号:15131391发布日期:2018-08-10 07:55阅读:299来源:国知局

本发明属于陶艺制备技术领域,尤其涉及一种带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品及其制备方法。



背景技术:

陶瓷是以粘土为主要原料以及各种天然矿物经过粉碎混炼、成型和煅烧制得的材料以及各种制品。陶器和瓷器的总称。陶瓷的传统概念是指所有以粘土等无机非金属矿物为原料的人工工业产品。它包括由粘土或含有粘土的混合物经混炼、成形、煅烧而制成的各种制品。目前,陶艺制品方法多种多样,制备方法也是五花八门,并没有一种比较齐全的制备方法,步骤描述比较模糊,使人们在学习中产生迷惑,制备的陶瓷良品率低且不美观。

综上所述,现有技术存在的问题是:

现有的陶艺制品方法不完善,制备的陶瓷良品率低且不美观。



技术实现要素:

针对现有技术存在的问题,本发明提供了一种带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品及其制备方法。

本发明是这样实现的,一种带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品制备方法,包括以下步骤:在矿区采取瓷石进行练泥;

通过转盘进行拉坯;

通过印模覆盖进行印坯;

通过利桶进行利坯;

放置在木架上进行晒坯;

用竹、骨或铁制的刀具进行雕刻;

对陶瓷内外表面施釉;

将陶瓷放入匣钵进行烧窑;

在釉面进行彩绘;

红炉低温烧烘。

从矿区采取瓷石练成砖状的泥块,通过转盘随手法的屈伸进行拉坯,通过印模覆盖印坯,再通过利通配合车盘转动进行利坯,将利坯后的陶瓷放在木架上进行晾晒;半干后用竹、骨或铁制的刀具对晾晒好的陶瓷进行雕刻,然后对陶瓷内外表面施釉,再将陶瓷放入气窑中进行烧窑,烧制完毕取出后在釉面彩绘,最后放入烤花窑进行低温烧烘。

进一步,练泥步骤为:

步骤一:在矿区采取瓷石;

步骤二:人工用铁锤将瓷石敲碎至鸡蛋大小的块状;

步骤三:利用水碓舂将瓷石打成粉状;

步骤四:淘洗,除去杂质,沉淀后制成砖状的泥块。

进一步,施釉方法包括一下步骤:

(1)湿釉制备:向釉料中加入釉料重量3~5倍量的水,搅拌均匀,置于-23~-21℃冷冻10~12小时,取出后,加入釉料重量3~5倍量的无水酒精,研磨均匀,粒径为60~70μm,得喷施釉料;

(2)一次施釉:将待用釉料均匀喷到坯体表面,厚度为0.3~0.4mm,置于温度为34~38℃、湿度为83~85%的环境中静置10~12小时,得一次施釉坯体;

(3)干釉制备:将步骤(1)得到的喷施釉料冷冻干燥至含水量为4~6%,研磨至粒径为3~5μm,得干施釉料;

(4)二次施釉:将干施釉料用干压施釉法对一次施釉坯体进行施釉,施釉厚度为0.2~0.3mm,置于温度为31~33℃、湿度为74~76%的环境中静置5~6小时,得二次施釉坯体;

(5)烧成干燥:将二次施釉坯体置于窑炉中,加热至1020~1070℃,保温12~14分钟,以2~3℃/分钟的速度降温至70~80℃,取出即可。

进一步,所采用的釉料由以下重量份的原料制成:二氧化硅40份~48份、氧化铝12份~15份、氧化钪7份~9份、氧化硼5.5份~7.5份、氧化镧5份~7.5份、一氧化钯4.5份~6.8份、氯化铑4.5份~7份、锈石4份~5.5份、透辉石3份~5份、颜料3份~4.5份。

本发明的另一目的在于提供一种利用带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品制备方法制得的带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品。

本发明的另一目的在于提供一种所述的带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品的检测方法,所述带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品的检测方法包括:

步骤一,在带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品周围均匀地安装i个通过信号线缆连接至数据采集卡的压电式加速度传感器,用脉冲锤敲击编号为0的传感器,然后通过数据采集卡完成压电式加速度传感器输出信号的采集,保存为x0(n),

x1(n),…,xi(n),…,xi-1(n);

步骤二,对采集到的信号做k点快速傅立叶变换,得到x0(k),x1(k),…,xi(k),…,xi-1(k),k=0,1,…k-1,然后求出第0个传感器至其他各观测传感器之间的实际频率响应函数:

步骤三,定义相同条件下优良带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品中第0个传感器至其他各观测传感器之间的频率响应函数为h0,i(k),然后将hi(k)减去h0,i(k),得到:

yi(k)=hi(k)-h0,i(k),i=1,…i-1;

步骤四:构建y=[y1'(k),y2'(k),…,yi'-1(k)]'作为观察矩阵,对其作基于二阶统计量的盲源分离,估计出混合矩阵w=[g'0,1(k),g'0,2(k),…g'0,j(k)]'和源向量gj,i(k),i=1,…i-1,j=1,2…,j,其中g0,j(k)为第0个传感器至带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品内部第j个缺陷点之间的频率响应函数,gj,i(k)为第j个缺陷点至第i个观测点之间的频率响应函数;

步骤五,对估计出的j个进行k均值聚类分析;

步骤六,根据聚类的结果判别带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品内部有无缺陷,类别数量决定缺陷区域的多少,每类中数据对象的数量表示该缺陷区域的大小;

将y=[y1'(k),y2'(k),…,yi'-1(k)]'作为观察矩阵,对其作基于二阶统计量的盲源分离,估计出混合矩阵w=[g'0,1(k),g'0,2(k),…g'0,j(k)]'和源向量gj,i(k),i=1,…i-1,j=1,2,…,j,其中g0,j(k)为第0个传感器至带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品内部第j个缺陷点之间的频率响应函数,gj,i(k)为第j个缺陷点至第i个观测点之间的频率响应函数,详细步骤为:

(7)估计y的相关矩阵

(8)对作特征值分解(evd)

其中(i-1)×j维矩阵vm=[v1,v2,…vi-1]是与j个按下降顺序排列的的主要特征值λs=diag{λ1≥λ2…≥λj}相对应的特征矢量;(i-1)×(i-1-j)维矩阵vn包含(i-1-j)个噪声特征λn={λj+1≥…≥λi-1}对应的噪声特征矢量,并且λj>λj+1;

(9)白噪声方差估计成(i-1-j)个不重要特征值的均值;

(10)进行稳健的预白化变换:

其中

(11)对于给定的p≠0,估计矢量的协方差阵,并进行协方差阵的奇异值分解:

(12)对于给定的p,检查对角阵所有奇异值是否不同,如果相同,对于不同的时滞p重复步骤(5),如果奇异值不同的,而且彼此远离,则估计出源向量:

对估计出的j个进行k均值聚类分析,具体做法为:

(1)对于给定大小为j的数据集,令l=1,选取3个初始聚类中心zi(l),i=1,2,3;

(2)计算每个数据对象与k个聚类中心的距离如果满足

(3)重新计算k个新的聚类中心以及平方误差准则函数的值:

(4)判断:若||e(l+1)-e(l)||<ε,则算法结束,否则l=l+1,返回继续执行(2)。

本发明的优点及积极效果为:本发明从练泥到烧烘每个步骤均进行了详细介绍,在配釉时使釉质与坯体紧密结合,膨胀系数匹配,使表面光滑均匀,色泽艳丽,耐腐蚀性强,使用寿命延长12.4%,经济收入提高26.7%,大大增加了陶艺釉色制备的成功率与美观性,增加耐用性,节约能源9.6%,保护环境,具有很大的推广价值和意义。

附图说明

图1是本发明实施例提供的带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品的制备方法流程图。

具体实施方式

为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效,兹例举以下实施例,并配合附图详细说明如下。

下面结合附图对本发明的结构作详细的描述。

如图1所示,本发明实施例提供的带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品的制备方法包括:

s101:在矿区采取瓷石进行练泥;

s102:通过转盘进行拉坯;

s103:通过印模覆盖进行印坯;

s104:通过利桶进行利坯;

s105:放置在木架上进行晒坯;

s106:用竹、骨或铁制的刀具进行雕刻;

s107:对陶瓷内外表面施釉;

s108:将陶瓷放入匣钵进行烧窑;

s109:在釉面进行彩绘;

s110:红炉低温烧烘。

从矿区采取瓷石练成砖状的泥块,通过转盘随手法的屈伸进行拉坯,通过印模覆盖印坯,再通过利通配合车盘转动进行利坯,将利坯后的陶瓷放在木架上进行晾晒;用竹、骨或铁制的刀具对晾晒好的陶瓷进行雕刻,然后对陶瓷内外表面施釉,再将陶瓷放入匣钵中进行烧窑,烧制完毕取出后在釉面彩绘,最后放入红炉进行低温烧烘。

进一步,所述练泥步骤为:

步骤一:在矿区采取瓷石;

步骤二:人工用铁锤将瓷石敲碎至鸡蛋大小的块状;

步骤三:利用水碓舂将瓷石打成粉状;

步骤四:淘洗,除去杂质,沉淀后制成砖状的泥块。

本发明实施例提供的施釉方法包括一下步骤:

(1)湿釉制备:向釉料中加入釉料重量3~5倍量的水,搅拌均匀,置于-23~-21℃冷冻10~12小时,取出后,加入釉料重量3~5倍量的无水酒精,研磨均匀,粒径为60~70μm,得喷施釉料;

(2)一次施釉:将待用釉料均匀喷到坯体表面,厚度为0.3~0.4mm,置于温度为34~38℃、湿度为83~85%的环境中静置10~12小时,得一次施釉坯体;

(3)干釉制备:将步骤(1)得到的喷施釉料冷冻干燥至含水量为4~6%,研磨至粒径为3~5μm,得干施釉料;

(4)二次施釉:将干施釉料用干压施釉法对一次施釉坯体进行施釉,施釉厚度为0.2~0.3mm,置于温度为31~33℃、湿度为74~76%的环境中静置5~6小时,得二次施釉坯体;

(5)烧成干燥:将二次施釉坯体置于窑炉中,加热至1020~1070℃,保温12~14分钟,以2~3℃/分钟的速度降温至70~80℃,取出即可。

所述带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品的检测方法包括:

步骤一,在带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品周围均匀地安装i个通过信号线缆连接至数据采集卡的压电式加速度传感器,用脉冲锤敲击编号为0的传感器,然后通过数据采集卡完成压电式加速度传感器输出信号的采集,保存为x0(n),

x1(n),…,xi(n),…,xi-1(n);

步骤二,对采集到的信号做k点快速傅立叶变换,得到x0(k),x1(k),…,xi(k),…,xi-1(k),k=0,1,…k-1,然后求出第0个传感器至其他各观测传感器之间的实际频率响应函数:

步骤三,定义相同条件下优良带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品中第0个传感器至其他各观测传感器之间的频率响应函数为h0,i(k),然后将hi(k)减去h0,i(k),得到:

yi(k)=hi(k)-h0,i(k),i=1,…i-1;

步骤四:构建y=[y1'(k),y2'(k),…,yi'-1(k)]'作为观察矩阵,对其作基于二阶统计量的盲源分离,估计出混合矩阵w=[g'0,1(k),g'0,2(k),…g'0,j(k)]'和源向量gj,i(k),i=1,…i-1,j=1,2…,j,其中g0,j(k)为第0个传感器至带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品内部第j个缺陷点之间的频率响应函数,gj,i(k)为第j个缺陷点至第i个观测点之间的频率响应函数;

步骤五,对估计出的j个进行k均值聚类分析;

步骤六,根据聚类的结果判别带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品内部有无缺陷,类别数量决定缺陷区域的多少,每类中数据对象的数量表示该缺陷区域的大小;

将y=[y1'(k),y2'(k),…,yi'-1(k)]'作为观察矩阵,对其作基于二阶统计量的盲源分离,估计出混合矩阵w=[g'0,1(k),g'0,2(k),…g'0,j(k)]'和源向量gj,i(k),i=1,…i-1,j=1,2,…,j,其中g0,j(k)为第0个传感器至带圆雕图案的羊舞岭窑陶艺制品内部第j个缺陷点之间的频率响应函数,gj,i(k)为第j个缺陷点至第i个观测点之间的频率响应函数,详细步骤为:

(13)估计y的相关矩阵

(14)对作特征值分解(evd)

其中(i-1)×j维矩阵vm=[v1,v2,…vi-1]是与j个按下降顺序排列的的主要特征值λs=diag{λ1≥λ2…≥λj}相对应的特征矢量;(i-1)×(i-1-j)维矩阵vn包含(i-1-j)个噪声特征λn={λj+1≥…≥λi-1}对应的噪声特征矢量,并且λj>λj+1;

(15)白噪声方差估计成(i-1-j)个不重要特征值的均值;

(16)进行稳健的预白化变换:

其中

(17)对于给定的p≠0,估计矢量的协方差阵,并进行协方差阵的奇异值分解:

(18)对于给定的p,检查对角阵所有奇异值是否不同,如果相同,对于不同的时滞p重复步骤(5),如果奇异值不同的,而且彼此远离,则估计出源向量:

对估计出的j个进行k均值聚类分析,具体做法为:

(1)对于给定大小为j的数据集,令l=1,选取3个初始聚类中心zi(l),i=1,2,3;

(2)计算每个数据对象与k个聚类中心的距离如果满足

(3)重新计算k个新的聚类中心以及平方误差准则函数的值:

(4)判断:若||e(l+1)-e(l)||<ε,则算法结束,否则l=l+1,返回继续执行(2)。

本发明实施例采用的釉料由以下重量份的原料制成:二氧化硅40份~48份、氧化铝12份~15份、氧化钪7份~9份、氧化硼5.5份~7.5份、氧化镧5份~7.5份、一氧化钯4.5份~6.8份、氯化铑4.5份~7份、锈石4份~5.5份、透辉石3份~5份、颜料3份~4.5份。

本发明的工作原理:从矿区采取瓷石练成砖状的泥块,通过转盘随手法的屈伸进行拉坯,通过印模覆盖印坯,再通过利通配合车盘转动进行利坯,将利坯后的陶瓷放在木架上进行晾晒;用竹、骨或铁制的刀具对晾晒好的陶瓷进行雕刻,然后对陶瓷内外表面施釉,再将陶瓷放入匣钵中进行烧窑,烧制完毕取出后在釉面彩绘,最后放入红炉进行低温烧烘。

下面结合具体实施例对本发明的应用原理作进一步的描述。

实施例一:

所采用的釉料由以下重量份的原料制成:二氧化硅40份、氧化铝12份、氧化钪7份、氧化硼5.5份、氧化镧5份、一氧化钯4.5份、氯化铑4.5份、锈石4份、透辉石3份、颜料3份。

实施例二:

所采用的釉料由以下重量份的原料制成:二氧化硅44份、氧化铝13.5份、氧化钪8份、氧化硼6.5份、氧化镧6.2份、一氧化钯5.7份、氯化铑5.2份、锈石4.8份、透辉石4份、颜料3.7份。

实施例三:

所采用的釉料由以下重量份的原料制成:二氧化硅48份、氧化铝15份、氧化钪9份、氧化硼7.5份、氧化镧7.5份、一氧化钯6.8份、氯化铑7份、锈石5.5份、透辉石5份、颜料4.5份。

本方法的方法明确清晰,从练泥到烧烘每个步骤均进行了详细介绍,大大增加了陶艺制备的成功率与美观性,提高生产效率与收益,具有很大的推广价值和意义。

以上所述仅是对本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改,等同变化与修饰,均属于本发明技术方案的范围内。

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