技术特征：
技术总结
本发明属于由金属粉末制造工件或制品技术领域，公开了一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法，掺杂多晶Ag6Ge10P12具有十分优越的热电性能，掺杂大约3％的Ga可以将整体性能提高2‑3倍，并且材料生长所需时间与其他传统的多晶热电材料相当(大约一周)。与很多磷基热电材料相比，最高PF(决定材料的电学性能)最高的zT(决定热电性能)或者平均zT(决定转化效率)是目前最好的。本发明成功制备出Ag6Ge10P12多晶块体材料；解决了生长过程中磷元素产生过大蒸汽压，蒸汽压过大会导致石英管爆炸的问题；Ga元素的有效掺杂方法使得材料热电性能得到提升。
技术研发人员：卢旭;周小元;沈星辰;王桂文
受保护的技术使用者：重庆大学
技术研发日：2018.03.19
技术公布日：2018.08.21