SiC锭及SiC锭的制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及SiC锭及SiC锭的制造方法。该SiC锭具备：芯部；和表面层，形成于所述芯部的生长方向的表面，所述表面层的线性膨胀系数比所述芯部的线性膨胀系数小。

技术研发人员：金田一麟平;藤川阳平;奥野好成
受保护的技术使用者：昭和电工株式会社
技术研发日：2018.12.17
技术公布日：2019.07.02