本发明涉及晶须生产技术领域，尤其涉及一种新型制备tic晶须的生产工艺方法。
背景技术：
tic晶须是一种拒用高度取向性的短纤维状单晶体材料，其晶体结构缺陷少、长径比大、强度和模量均接近于完整晶体材料的理论值，同时它又是一种非化学计量的过渡族金属化合物，具有热稳定性好、弹性模量高、硬度高、热膨胀系数低的特点，因而也是一种热和电的良导体，受到了广泛关注和应用。
但是现有的tic晶须制备工艺比较复杂，不利于大规模控制和生产，并且采用的工艺流程不利于晶须的形成，产品质量差，产量低，生产成本高，而且杂质含量高，不利于后续使用。
技术实现要素：
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛50%-70%、碳30%-45%、卤化物5%-15%和催化剂2%-8%。
优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
s1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
s2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
s3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
s4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
s5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
s6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
优选的，所述卤化物为氯化钠、氯化镁或氯化钙的一种或多种混合物。
优选的，所述催化剂为镍粉或钴粉。
优选的，所述s2步骤中采用行星式球磨机，速率为300转每分钟至400转每分钟，时间为1小时至2小时。
优选的，所述s4步骤中预制压力为180mpa-220mpa。
优选的，所述s5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
优选的，所述s6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
优选的，所述s6步骤中烘干方式采用热风烘干，温度为60摄氏度至80摄氏度，时间为50分钟至90分钟。
本发明提供的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法采用原料粉碎后进行混合，然后再进行压制后进行烧结，利于材料和反应稳定，保证高效催化生产，同时再烧结是采用阶梯式升温的方式，利于稳定控制，同时保证受热催化均匀性，最后再用水洗过滤取出杂质，提高产品质量，保证生产效率，有效降低成本，利于大规模生产推广。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛50%-70%、碳30%-45%、卤化物5%-15%和催化剂2%-8%。
作为优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
s1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
s2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
s3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
s4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
s5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
s6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
作为优选的，所述卤化物为氯化钠、氯化镁或氯化钙的一种或多种混合物。
作为优选的，所述催化剂为镍粉或钴粉。
作为优选的，所述s2步骤中采用行星式球磨机，速率为300转每分钟至400转每分钟，时间为1小时至2小时。
作为优选的，所述s4步骤中预制压力为180mpa-220mpa。
作为优选的，所述s5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
作为优选的，所述s6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
作为优选的，所述s6步骤中烘干方式采用热风烘干，温度为60摄氏度至80摄氏度，时间为50分钟至90分钟。
本发明提供的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法采用原料粉碎后进行混合，然后再进行压制后进行烧结，利于材料和反应稳定，保证高效催化生产，同时再烧结是采用阶梯式升温的方式，利于稳定控制，同时保证受热催化均匀性，最后再用水洗过滤取出杂质，提高产品质量，保证生产效率，有效降低成本，利于大规模生产推广。
实施例1
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛60%、碳30%、卤化物6%和催化剂4%。
作为优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
s1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
s2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
s3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
s4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
s5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
s6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
作为优选的，所述卤化物为氯化钠、氯化镁的混合物，且质量比例为1:1-1.5。
作为优选的，所述催化剂为镍粉。
作为优选的，所述s2步骤中采用行星式球磨机，速率为300转每分钟至400转每分钟，时间为1小时至2小时。
作为优选的，所述s4步骤中预制压力为180mpa。
作为优选的，所述s5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
作为优选的，所述s6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
作为优选的，所述s6步骤中烘干方式采用热风烘干，温度为60摄氏度至80摄氏度，时间为50分钟至90分钟。
实施例2
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛55%、碳34%、卤化物7%和催化剂4%。
作为优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
s1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
s2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
s3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
s4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
s5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
s6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
作为优选的，所述卤化物为氯化钠。
作为优选的，所述催化剂为粉。
作为优选的，所述s2步骤中采用双仓式球磨机，速率为120转每分钟至150转每分钟，时间为3小时至4小时。
作为优选的，所述s4步骤中预制压力为200mpa。
作为优选的，所述s5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
作为优选的，所述s6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
作为优选的，所述s6步骤中烘干方式采用真空微波干燥箱，温度为60摄氏度至80摄氏度，真空度为800pa-1000pa，频率为2.2ghz-2.5ghz，时间为50分钟至90分钟。
实施例3
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛50%、碳36%、卤化物10%和催化剂4%。
作为优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
s1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
s2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
s3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
s4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
s5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
s6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
作为优选的，所述卤化物为氯化钠、氯化镁或氯化钙的一种或多种混合物。
作为优选的，所述催化剂为镍粉或钴粉。
作为优选的，所述s2步骤中采用圆锥球磨机，速率为300转每分钟至400转每分钟，时间为1小时至2小时。
作为优选的，所述s4步骤中预制压力为210mpa。
作为优选的，所述s5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
作为优选的，所述s6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
作为优选的，所述s6步骤中烘干方式采用热风烘干，温度为120摄氏度至130摄氏度，时间为30分钟至45分钟。
实施例4
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛56%、碳32%、卤化物7和催化剂5%。
作为优选的，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
s1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
s2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
s3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
s4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
s5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
s6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
作为优选的，所述卤化物为氯化钠、氯化镁或氯化钙的一种或多种混合物。
作为优选的，所述催化剂为镍粉或钴粉。
作为优选的，所述s2步骤中采用超细层压磨机，速率为70转每分钟至90转每分钟，时间为3小时至4小时。
作为优选的，所述s4步骤中预制压力为220mpa。
作为优选的，所述s5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
作为优选的，所述s6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
作为优选的，所述s6步骤中烘干方式采用.远红外干燥箱，温度为150摄氏度至180摄氏度，功能率为750w，时间为25分钟至30分钟。