技术特征：
技术总结
一种具有高温度稳定性的高介陶瓷电容器材料及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。该陶瓷材料包括基料和掺杂料，所述基料的晶相为SrTiO3，所述掺杂料包括占基料质量分数0.03％～0.35％的Nb2O5，0.02％～0.40％的Ta2O5，0.10％～0.50％的Li2CO3，0.05％～0.35％的CaCO3，0.03％～0.40％的SiO2，0.02％～0.40％的Al2O3和0.05％～0.35％的MnCO3；所述掺杂料与基料经混合、成型、于还原性气氛中烧结，最后经氧化热处理制得。本发明制备出的陶瓷材料在‑55℃‑150℃具有较好的温度稳定性，电容温度变化率ΔC·C‑1(‑55℃～150℃)在±10％以内，符合X8P标准；并且材料的介电常数为16000～19000，损耗值在2.5％以下，绝缘电阻率在1011Ω·cm，非常适用于高品质单层陶瓷电容器的制作。
技术研发人员：钟朝位;李欣源;唐斌
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2019.01.22
技术公布日：2019.03.26