二硫化钼、钴修饰的二硫化钼、负载Pd的纳米片及其合成方法和应用与流程

文档序号:17761599发布日期:2019-05-24 21:44阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明属于材料合成领域,具体涉及纳米材料研究合成领域,更为具体的说是涉及二硫化钼、钴修饰的二硫化钼、负载Pd的纳米片及其合成方法和应用。本发明公开的MoS2、Co‑MoS2及Co‑MoS2负载Pd纳米片均为超薄二维片状结构,具有优异的HER性能,能够高效催化燃料电池中的HER。通过对合成方法的改进,提供了一种可控的合成方法,并通过该方法制备得到相应的二硫化钼,进一步合成钴修饰的二硫化钼,并且进一步合成负载Pd的钴修饰的二硫化钼纳米片,该纳米片具有优异的HER性能,能够高效催化燃料电池中的HER。

技术研发人员:陈昌云;刘苏莉;张皖佳;张苏迪;穆雪琴
受保护的技术使用者:南京晓庄学院
技术研发日:2019.03.22
技术公布日:2019.05.24
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