1.一种单晶硅的制造方法，使用具备腔室、在所述腔室内配置的石英坩埚及覆盖所述石英坩埚上部的热屏蔽体的提拉装置，使不活泼气体在所述腔室内流过且对所述石英坩埚内的硅熔液施加水平磁场，从而提拉单晶硅，所述单晶硅的制造方法的特征在于实施：
在所述热屏蔽体的下端部以及所述石英坩埚内的硅熔液表面之间流过的所述不活泼气体流中，形成相对于包含所述提拉装置的晶体提拉轴以及所述水平磁场的施加方向的平面为非面对称且相对于所述晶体提拉轴为非旋转对称的流动分布的工序；
直到所述石英坩埚内的硅原料完全熔化为止，在无磁场下维持所形成的非面对称且非旋转对称的流动分布的工序；以及
在所述硅原料完全熔化之后，施加所述水平磁场而开始提拉所述单晶硅的工序。
2.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于实施：
在开始提拉所述单晶硅的工序之后，直到结束所述单晶硅的提拉为止，实施不将所述水平磁场的强度降低至恒定值以下而进行所述单晶硅的提拉的工序。
3.一种单晶硅的提拉装置，实施权利要求1或2所述的单晶硅的制造方法，所述单晶硅的提拉装置的特征在于，
构成所述提拉装置的所述热屏蔽体是相对于包含所述晶体提拉轴以及磁场施加方向的平面为非面对称且相对于所述晶体提拉轴为非旋转对称的结构。
4.一种单晶硅的提拉装置，实施权利要求1或2所述的单晶硅的制造方法，所述单晶硅的提拉装置的特征在于，
所述提拉装置具备排出所述不活泼气体的排气口，
所述排气口的形状以所述晶体提拉轴为中心形成为非对称结构。