技术特征：
1.一种微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述沉积台包括：籽晶托，所述籽晶托上表面中心设置有容纳所述籽晶的通孔；均温片，所述籽晶托放置在均温片上，所述均温片的表面尺寸不小于所述籽晶托的表面尺寸；基座，所述基座为轴对称结构，所述基座包括相互平行设置的圆形上顶面和圆形下底面，所述基座的上顶面中心沿其中心轴方向内凹形成容纳所述均温片和籽晶托的片槽；支撑柱，所述均温片通过支撑柱设置在片槽底部；其中，所述籽晶托、均温片、通孔和片槽均为圆柱结构或正棱柱结构，所述片槽深度<均温片厚度+籽晶厚度+支撑柱高度<片槽深度+2mm。2.如权利要求1所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述籽晶托为硅、二氧化硅、钼材质。3.如权利要求1所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述基座的上顶面面积小于下底面面积。4.如权利要求1所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述上顶面与下底面之间通过弧面过渡。5.如权利要求1所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述籽晶托的直径大小与均温片的直径大小一致。6.如权利要求1所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述籽晶托的厚度为籽晶厚度的1/3~3/4。7.如权利要求1所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述片槽直径或边长为均温片直径或边长+1~2mm，所述通孔直径或边长为籽晶直径或边长+1~2mm。8.如权利要求1~7任一项所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述基座的下底面设有增温槽。9.如权利要求8所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述增温槽包括以下底面中心的为圆心的圆环增温槽和/或沿下底面直径设置的直线增温槽。10.如权利要求8所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述增温槽设有1~5个，每个所述增温槽的宽度为0.5~2mm，深度0.5~1mm。
技术总结
本实用新型属于化学气相沉积技术领域，具体公开了一种微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，所述沉积台包括籽晶托、均温片、基座和支撑柱，所述基座的上顶面中心沿其中心轴方向内凹形成容纳所述均温片和籽晶托的片槽；支撑柱，所述均温片通过支撑柱设置在片槽底部；所述籽晶托、均温片、通孔和片槽均为圆柱结构或正棱柱结构，所述片槽深度<均温片厚度+籽晶厚度+支撑柱高度<片槽深度+2mm。本实用新型结构简单，易于生产制造，降低了生产成本，具有良好的工业应用前景。具有良好的工业应用前景。具有良好的工业应用前景。
技术研发人员：冯曙光 于金凤 李光存
受保护的技术使用者：安徽光智科技有限公司
技术研发日：2021.09.10
技术公布日：2022/1/14